SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
SBLF1040HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF1040HE3/45 -
RFQ
 ECAD 2975 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SBLF1040 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 10 a 1 май @ 40 -40 ° C ~ 125 ° C. 10 часов -
FR204-AP Micro Commercial Co FR204-AP -
RFQ
 ECAD 7258 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR204 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 40pf @ 4V, 1 мгест
MBR5200VP-E1 Diodes Incorporated MBR5200VP-E1 -
RFQ
 ECAD 6389 0,00000000 Дидж - МАССА Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй DO-27 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 5 a 500 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 5A -
UH1D-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1D-M3/61T -
RFQ
 ECAD 9738 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA UH1 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 1 A 30 млн 1 мка При 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SL04-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL04-E3-08 0,4200
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SL04 ШOTKIй DO-219AB (SMF) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 540 мв 1,1 а 10 млн 20 мка 40, 175 ° C (MMAKS) 1.1a 65pf @ 4V, 1 мгест
JAN1N5618US Microchip Technology Январь 5618US -
RFQ
 ECAD 1732 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/429 МАССА Пркрэно Пефер SQ-Melf, A Станода D-5A СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.3 V @ 3 a 2 мкс 500 NA @ 600 -65 ° C ~ 200 ° C. 1A -
SR102 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR102 B0G -
RFQ
 ECAD 4562 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR102 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
CDBB280-G Comchip Technology CDBB280-G -
RFQ
 ECAD 5409 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB CDBB280 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 850 мВ @ 2 a 500 мк. 125 ° C (MMAKS) 2A -
DL4001-TP Micro Commercial Co DL4001-TP -
RFQ
 ECAD 3303 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AB, MELF DL4001 Станода Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A -
SBRT25U60SLP-13 Diodes Incorporated SBRT25U60SLP-13 0,9400
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Дидж Трентсбр Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn SBRT25 Yperrarher PowerDI5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 60 550 м. @ 25 A 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 25 а -
1T4G A1G Taiwan Semiconductor Corporation 1T4G A1G -
RFQ
 ECAD 3617 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос 1t4g Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 1 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
1N6764 Microchip Technology 1n6764 199 5300
RFQ
 ECAD 1203 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/642 МАССА Актифен Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. 1n6764 Станода 254 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,05 В @ 12 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 12A 300pf @ 5V, 1 мгест
S1BLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation S1blhmqg -
RFQ
 ECAD 6232 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SBR6035R Microchip Technology SBR6035R 126.8400
RFQ
 ECAD 5368 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud ШOTKIй До 5 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 600 мВ @ 60 a -65 ° С ~ 150 ° С. 60A -
LFUSCD10120A Littelfuse Inc. LFUSCD10120A -
RFQ
 ECAD 2715 0,00000000 Littelfuse Inc. - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 500 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,7 - @ 10 a 0 м 250 мк. 175 ° C (MMAKS) 10 часов 500pf @ 1V, 1 мгест
PMEG4002ELD/S500315 NXP USA Inc. PMEG4002ELD/S500315 0,0500
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 6836
BAT54 SMC Diode Solutions BAT54 0,3200
RFQ
 ECAD 946 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-523 BAT54 ШOTKIй SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 125 ° C (MMAKS) 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
GF1MHE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1MHE3/5CA -
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214BA GF1 Станода DO-214BA (GF1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 1 a 2 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
IDH10G65C5ZXKSA2 Infineon Technologies IDH10G65C5ZXKSA2 -
RFQ
 ECAD 6478 0,00000000 Infineon Technologies * Трубка Актифен IDH10G65 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001673846 Ear99 8541.10.0080 500
VSSAF5N50-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5N50-M3/6B 0,4800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TMBS®, Slimsma ™ Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SAF5N50 ШOTKIй DO-221AC (Slimsma) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 410 мВ 2,5 а 1,4 мая @ 50 -40 ° С ~ 150 ° С. 3A 850pf @ 4V, 1 мгест
BAV19W-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAV19W-G RHG 0,0347
RFQ
 ECAD 5229 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 BAV19 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 100 v -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
SK39/TR13 Microsemi Corporation SK39/TR13 -
RFQ
 ECAD 2486 0,00000000 Microsemi Corporation * Lenta и катахка (tr) Актифен SK39 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000
SFA801GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA801GHC0G -
RFQ
 ECAD 7261 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SFA801 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 8 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 100pf @ 4V, 1 мгха
1N6263W-7 Diodes Incorporated 1N6263W-7 -
RFQ
 ECAD 6452 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOD-123 1n6263 ШOTKIй SOD-123 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 60 1 V @ 15 мая 1 млн 200 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C. 15 май 2.2pf @ 0V, 1 мгест
CMDD6001 TR PBFREE Central Semiconductor Corp Cmdd6001 tr pbfree 0,7000
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 Cmdd6001 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 75 1,1 - @ 100mma 3 мкс 500 п. @ 75 -65 ° С ~ 150 ° С. 250 май 2pf @ 0v, 1 мгест
NRVTSM260ET1G onsemi NRVTSM260ET1G -
RFQ
 ECAD 6402 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-216AA NRVTSM2 ШOTKIй Powermite СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 650 мВ @ 2 a 12 мк -пр. 60 В -55 ° C ~ 175 ° C. 2A -
RGL34D-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34D-E3/83 0,1635
RFQ
 ECAD 6662 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA (Стекло) RGL34 Станода DO-213AA (GL34) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 9000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
UF4002 BK Central Semiconductor Corp UF4002 BK -
RFQ
 ECAD 7768 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4002 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 10 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
SB250 Diotec Semiconductor SB250 0,1051
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй ШOTKIй Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB250TR 8541.10.0000 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
1N5623 Microchip Technology 1n5623 7.2150
RFQ
 ECAD 3950 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru А, осево 1n5623 Станода А, осево СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,6 V @ 3 a 500 млн 500 NA @ 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 12v, 1 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть