SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
BAS70T-7-F Diodes Incorporated BAS70T-7-F 0,4600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-523 BAS70 ШOTKIй SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 5 млн 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C. 70 май 2pf @ 0v, 1 мгест
S12MC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R7 -
RFQ
 ECAD 7925 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S12MCR7TR Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 12 A 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
SK24A Taiwan Semiconductor Corporation SK24A 0,0821
RFQ
 ECAD 5344 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK24 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MBRB1645 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1645 -
RFQ
 ECAD 9145 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB16 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 16 a 200 мк @ 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 16A -
S5Y-CT Diotec Semiconductor S5y-Ct 1.4343
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-S5Y-CT 8541.10.0000 15 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 1.1 V @ 5 A 1,5 мкс 10 мк @ 2 -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
BAS516,L3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 9356 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 BAS516 Станода ЭСК СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,25 В @ 150 3 млн 200 na @ 80 v 150 ° C (MMAKS) 250 май 0,35pf pri 0 v, 1 мгц
SBR8M100P5-13 Diodes Incorporated SBR8M100P5-13 0,5700
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 SBR8M100 Yperrarher Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 880 мВ @ 8 a 2 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 8. -
JAN1N5554US Microchip Technology Jan1n5554us 9.9900
RFQ
 ECAD 5469 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/420 МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, e 1N5554 Станода D-5B СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.3 V @ 9 A 2 мкс 1 мка При 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A -
AGP15-600-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AGP15-600-E3/54 -
RFQ
 ECAD 9752 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй AGP15 Лавина DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,1 В @ 1,5 А. 2 мкс 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1,5а -
VS-SD1053C22S20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1053C22S20L 144.6200
RFQ
 ECAD 3039 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл Зaжimatth Do-200ab, b-puk SD1053 Станода Do-200ab, b-puk СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2200 1,9 @ 1500 А 2 мкс 50 май @ 2200 1050. -
SCS315AMC Rohm Semiconductor SCS315AMC 6.7700
RFQ
 ECAD 179 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SCS315 Sic (kremniewый karbid) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,5 - @ 15 A 0 м 75 мк -при 650 175 ° C (MMAKS) 15A 750pf @ 1V, 1 мгха
FR301GP-AP Micro Commercial Co FR301GP-AP -
RFQ
 ECAD 7930 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй FR301 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SF31GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31GHA0G -
RFQ
 ECAD 2011 год 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF31 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
1N5614 TR Central Semiconductor Corp 1n5614 tr -
RFQ
 ECAD 4424 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и коробка (TB) Прохл Чereз dыru R-1, osevoй 1n5614 Станода GPR-1A - DOSTISH 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,2 - @ 10 мая 2 мкс 500 NA @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 1A 35pf @ 12V, 130
SD103AW-13 Diodes Incorporated SD103AW-13 -
RFQ
 ECAD 9217 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123 SD103A ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 200 10 млн 5 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 350 май 28pf @ 0V, 1 мгест
STTH112 STMicroelectronics STTH112 -
RFQ
 ECAD 5798 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй STTH112 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 1,9 - @ 1 a 75 м 5 мка @ 1200 175 ° C (MMAKS) 1A -
UPS3200/TR13 Microchip Technology UPS3200/TR13 2.5800
RFQ
 ECAD 1552 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен UPS3200 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000
ST1060 SMC Diode Solutions ST1060 0,7600
RFQ
 ECAD 318 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 650 мВ @ 10 a 850 мк -при 60 -55 ° C ~ 150 ° С. - -
EGP51F-E3/D Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP51F-E3/D. -
RFQ
 ECAD 7429 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй EGP51 Станода Do-201ad СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,25 - @ 5 a 50 млн 5 мка @ 300 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A 48pf @ 4V, 1 мгха
SK515C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK515C R6 -
RFQ
 ECAD 7469 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK515CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 5 a 300 мк -при 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
MBR7H35HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR7H35HE3/45 -
RFQ
 ECAD 8094 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 MBR7 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 630 мв 7,5 а 50 мк @ 35 -65 ° C ~ 175 ° C. 7,5а -
FR152GP-AP Micro Commercial Co FR152GP-AP -
RFQ
 ECAD 9562 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR152 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
GI1-1400GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1-1400GPHE3/54 -
RFQ
 ECAD 7925 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй GI1 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 10 мк @ 1400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
SK13BH Taiwan Semiconductor Corporation SK13BH 0,1145
RFQ
 ECAD 7716 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK13 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
VS-3ECH02-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3ECH02-M3/9AT 0,2026
RFQ
 ECAD 2656 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC 3ECH02 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 900 мВ @ 3 a 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
F50A Semtech Corporation F50A -
RFQ
 ECAD 6933 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос F50 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 5000 8 w @ 50 мая 300 млн 1 мка При 5000 -65 ° C ~ 175 ° C. 100 май 2pf @ 5V, 1 мгест
NRVRGF1A onsemi Nrvrgf1a 0,1402
RFQ
 ECAD 7073 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-nrvrgf1atr Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8,5pf @ 4V, 1 мгха
AL01V1 Sanken AL01V1 -
RFQ
 ECAD 4743 0,00000000 САНКЕН - Веса Управо Чereз dыru Оос Станода Оос СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 w @ 1 a 50 млн 10 мка 400 -40 ° С ~ 150 ° С. 1A -
EGP30FHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30FHE3/54 -
RFQ
 ECAD 5377 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй EGP30 Станода GP20 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,25 В @ 3 a 50 млн 5 мка @ 300 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A -
SBR230LS SMC Diode Solutions SBR230LS 0,0727
RFQ
 ECAD 7036 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SBR230 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 750 мВ @ 2 a 1 май @ 40 -55 ° C ~ 125 ° C. 2A 150pf @ 5V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть