SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
DGS20-025A IXYS DGS20-025A -
RFQ
 ECAD 2591 0,00000000 Ixys - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 DGS20 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 250 1,5 Е @ 7,5 А 2 мая @ 250 -55 ° C ~ 175 ° C. 18:00 -
US1M-AQ Diotec Semiconductor US1M-AQ 0,0724
RFQ
 ECAD 3525 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC, SMA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-US1M-AQTR 8541.10.0000 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
UPR20E3/TR13 Microchip Technology UPR20E3/TR13 1.0800
RFQ
 ECAD 1449 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-216AA UPR20 Станода Powermite СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 12 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,25 - @ 1 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
PX8895EDQGG005XUMA1 Infineon Technologies PX8895EDQGG005XUMA1 -
RFQ
 ECAD 7869 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо Px8895ed - Rohs3 DOSTISH Управо 1
RGP02-17E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17E-M3/54 -
RFQ
 ECAD 6255 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP02 Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1700 В. 1,8 Е @ 100 мая 300 млн 5 мка @ 1700 -65 ° C ~ 175 ° C. 500 май 5pf @ 4V, 1 мгест
1N1190 Microchip Technology 1n1190 74 5200
RFQ
 ECAD 1097 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 1n1190 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH 1n1190ms Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,4 В @ 110 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 35A -
UF3005-G Comchip Technology UF3005-G 0,1615
RFQ
 ECAD 3987 0,00000000 Комхип - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй UF3005 Станода DO-27 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SS19LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS19lhrhg -
RFQ
 ECAD 9095 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS19 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 800 мВ @ 1 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
EGP10A-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10A-M3/54 -
RFQ
 ECAD 5485 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй EGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 22pf @ 4v, 1 мг
CEFM102-G Comchip Technology CEFM102-G 0,1604
RFQ
 ECAD 3559 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123T CEFM102 Станода Mini SMA/SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 875 MV @ 1 A 25 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1N4002L-T Diodes Incorporated 1N4002L-T -
RFQ
 ECAD 4136 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4002 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 1 A 5 мк -4 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
ES2BAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es2bahr3g -
RFQ
 ECAD 2787 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA ES2B Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
NRVB140SFT3G onsemi NRVB140SFT3G -
RFQ
 ECAD 2582 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F NRVB140 ШOTKIй SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
DMA10P1800PZ-TRL IXYS DMA10P1800PZ-TRL 3.1264
RFQ
 ECAD 6042 0,00000000 Ixys - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB DMA10 Станода ДО-263HV СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 238-DMA10P1800PZ-TRLTR Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1800 v 1,26 В @ 10 A 10 мк @ 1800 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 4pf @ 400V, 1 мгновение
60HF120 Solid State Inc. 60hf120 2.4670
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-60HF120 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,3 V @ 60 A 200 мк @ 1200 -65 ° С ~ 150 ° С. 60A -
SDT5100LP5-7D Diodes Incorporated SDT5100LP5-7D 0,1595
RFQ
 ECAD 8692 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 SDT5100 ШOTKIй Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 820 м. @ 5 a 4 мк -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
1N2128RA Solid State Inc. 1n2128ra 3.9500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Ставень, обратно До 5 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N2128RA Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,25 w @ 200 a 25 мка прри 50 -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
GPP60B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP60B-E3/54 -
RFQ
 ECAD 3351 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru P600, OSEVOй GPP60 Станода P600 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 6 a 5,5 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 6A -
BAV103 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BAV103 L1G -
RFQ
 ECAD 3199 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAV103 Станода Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 250 1 V @ 100 май 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
VS-2EQH02-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EQH02-M3/H. 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA 2EQH02 Станода DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 2 a 23 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 6pf @ 200v
EGL34GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egl34ghe3_a/i -
RFQ
 ECAD 5628 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA (Стекло) EGL34 Станода DO-213AA (GL34) СКАХАТА DOSTISH Egl34ghe3_b/i Ear99 8541.10.0070 9000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,35 Е @ 500 Ма 50 млн 5 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 500 май 7pf @ 4V, 1 мгха
VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4EGH06-M3/5BT 0,5900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB 4EGH06 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 4 a 41 м 3 мка пр. 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а -
RB085B-40GTL Rohm Semiconductor RB085B-40GTL -
RFQ
 ECAD 7082 0,00000000 ROHM Semiconductor * Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 3000
FSV12100V onsemi FSV12100V 0,9600
RFQ
 ECAD 6636 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn FSV12100 ШOTKIй Дол 277-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 670 мВ @ 12 a 27,33 млн 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 1124pf @ 4V, 1 мгновение
S30780 Microchip Technology S30780 49.0050
RFQ
 ECAD 1289 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-S30780 1
RGL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41D-E3/96 0,4700
RFQ
 ECAD 934 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF (Стекло) RGL41 Станода DO-213AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
V6PWM45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6PWM45-M3/I. 0,5700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ШOTKIй Слимдпак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 580 мВ @ 6 a 50 мк 45 -40 ° C ~ 175 ° C. 6A 990pf @ 4V, 1 мгновение
BAV19WS Diotec Semiconductor BAV19WS 0,0257
RFQ
 ECAD 816 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F BAV19 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 8541.10.0000 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 100 v 150 ° С 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
SURS8320T3G onsemi SURS8320T3G -
RFQ
 ECAD 6271 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AB, SMC Surs8320 Станода SMC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 875 MV @ 3 A 35 м 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SR809 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR809 R0G -
RFQ
 ECAD 8625 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR809 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 920 мВ @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть