SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
FR85KR05 GeneSiC Semiconductor FR85KR05 24.1260
RFQ
 ECAD 9264 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud Ставень, обратно До 5 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) FR85KR05GN Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,4 В @ 85 А 500 млн 25 мк. -40 ° C ~ 125 ° C. 85а -
RS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation RS1Gal 0,4800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds RS1G Станода ТОНКИЯ СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 150 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
SM20 Semtech Corporation SM20 -
RFQ
 ECAD 4489 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос Станода Оос СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) SM20S Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 5 w @ 250 мая 2,5 мкс 1 мка @ 2000 -65 ° C ~ 175 ° C. 600 май 8pf @ 5V, 1 мгха
SIDC110D170HX1SA2 Infineon Technologies SIDC110D170HX1SA2 -
RFQ
 ECAD 5477 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Пркрэно Пефер Умират SIDC110D Станода R. СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1700 В. 1,8 В @ 200 a 27 Мка @ 1700 -55 ° C ~ 150 ° С. 200a -
D121K18BXPSA1 Infineon Technologies D121K18BXPSA1 -
RFQ
 ECAD 1417 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо Стало DO-205AA, DO-8, Stud D121K Станода - СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1800 v 20 май @ 1800 -40 ° C ~ 180 ° C. 210A -
CMAD6001 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMAD6001 TR PBFREE 0,5000
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-923 CMAD6001 Станода SOD-923 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 75 1,1 - @ 100mma 3 мкс 500 п. @ 75 -65 ° С ~ 150 ° С. 250 май 2pf @ 0v, 1 мгест
HSMLWH Taiwan Semiconductor Corporation HSMLWH 0,0906
RFQ
 ECAD 8945 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HSMLWHTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 В @ 800 мая 75 м 1 мка @ 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 5pf @ 4V, 1 мгест
SS2H10-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2H10-M3/52T 0,1498
RFQ
 ECAD 5601 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS2H10 ШOTKIй DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 790mw @ 2 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
1N4053R Solid State Inc. 1n4053r 21.0000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud Ставень, обратно DO-9 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N4053R Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 700 1,3 В @ 300 А 75 мк -при 700 -65 ° C ~ 190 ° C. 275A -
12TQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12TQ035Strr -
RFQ
 ECAD 1864 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 12TQ035 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 560 мВ @ 15 A 1,75 мая @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
QR606F_T0_00001 Panjit International Inc. QR606F_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 9353 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Управо Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка QR606 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3757-QR606F_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,45 В @ 6 a 75 м 3 мка пр. 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 6A -
PMEG10030ELPX Nexperia USA Inc. PMEG10030ELPX 0,5800
RFQ
 ECAD 384 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 PMEG10030 ШOTKIй SOD-128/CFP5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 770 мВ @ 3 a 8 млн 450 NA @ 100 V 175 ° C (MMAKS) 3A 200pf @ 1V, 1 мгха
G1G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd G1G 0,1800
RFQ
 ECAD 9789 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F Станода SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 5 мка @ 1700 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
MBRF40250TG onsemi MBRF40250TG 2.8900
RFQ
 ECAD 1205 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Трубка Актифен Чereз dыru 220-3- MBRF40250 ШOTKIй 220FP СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 250 970 мВ @ 40 a 35 м 30 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 40a 500pf @ 5V, 1 мгновение
1N1344 Microchip Technology 1n1344 45 3600
RFQ
 ECAD 7138 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став 1n1344 Станода DO-4 (DO-203AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,3 В @ 30 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 16A -
BY229-800HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229-800HE3/45 -
RFQ
 ECAD 8124 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 By229 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,85 - @ 20 a 145 м 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 8. -
SRAS840 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS840 Mng -
RFQ
 ECAD 1142 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRAS840 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 8 a 100 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
1N4005-G Comchip Technology 1N4005-G 0,0317
RFQ
 ECAD 6605 0,00000000 Комхип - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4005 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
VS-10BQ015PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ015PBF -
RFQ
 ECAD 9075 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Пефер DO-214AA, SMB 10BQ015 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 15 350 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
ES2CBF Yangjie Technology ES2CBF 0,0450
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-ES2CBFTR Ear99 5000
1N5399G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G 0,0779
RFQ
 ECAD 7266 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5399 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1В @ 1,5 а 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
HS2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A R5G -
RFQ
 ECAD 1943 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB HS2A Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 2 A 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
JANTXV1N5809 Microchip Technology Jantxv1n5809 15.3750
RFQ
 ECAD 4243 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/477 МАССА Актифен Чereз dыru Б., Ос 1n5809 Станода Б., Ос СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 875 MV @ 4 A 30 млн 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 65pf @ 10V, 1 мгха
MMBD4148 Taiwan Semiconductor Corporation MMBD4148 0,0301
RFQ
 ECAD 3639 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MMBD4148TR Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
SJPB-H9VR Sanken SJPB-H9VR -
RFQ
 ECAD 8985 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, J-Lead SJPB-H9 ШOTKIй SJP СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) SJPB-H9VR DK Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 200 мк @ 90 -40 ° С ~ 150 ° С. 2A -
FR2GF_R1_00001 Panjit International Inc. FR2GF_R1_00001 0,1061
RFQ
 ECAD 7898 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AA, Plat Plat Heds SMB FR2G Станода SMBF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 120 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 150 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 24pf @ 4V, 1 мгха
SVT10100U_R1_00001 Panjit International Inc. SVT10100U_R1_00001 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn SVT10100 ШOTKIй ДО-277 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 670 мВ @ 10 a 60 мка 3 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
LFUSCD08065A Littelfuse Inc. LFUSCD08065A -
RFQ
 ECAD 9602 0,00000000 Littelfuse Inc. - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 500 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 8 a 0 м 230 мк -пр. 650 175 ° C (MMAKS) 8. 260pf @ 1V, 1 мгха
JAN1N5711UR-1/TR Microchip Technology Январь 1N5711UR-1/Tr 10.2900
RFQ
 ECAD 6305 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/444 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA ШOTKIй DO-213AA - Rohs3 DOSTISH 150 января 571111UR-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 200 na @ 50 v -65 ° С ~ 150 ° С. 33 май 2pf @ 0v, 1 мгест
SS5P6-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P6-M3/87A 0,6200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn SS5P6 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 690 мВ @ 5 a 150 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 200pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть