SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
V2PM15LHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2pm15lhm3/h 0,4600
RFQ
 ECAD 6039 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA V2PM15 ШOTKIй DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 760 мВ @ 1 a 100 мк. -40 ° C ~ 175 ° C. 1.7a 110pf @ 4V, 1 мгновение
BYD13DGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byd13dgphe3/54 -
RFQ
 ECAD 1190 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Byd13 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1N5402-G Comchip Technology 1n5402-g 0,1085
RFQ
 ECAD 9046 0,00000000 Комхип - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5402 Станода DO-27 (DO-201AD) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 3 a 5 мка При 200 -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SJPL-H6VL Sanken SJPL-H6VL 0,6800
RFQ
 ECAD 583 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, J-Lead SJPL-H6 Станода SJP СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 - @ 2 a 50 млн 50 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 2A -
STTA106U STMicroelectronics STTA106U -
RFQ
 ECAD 1408 0,00000000 Stmicroelectronics Turboswitch ™ Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB STTA106 Станода МАЛИ СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,75 - @ 1 a 50 млн 10 мк. 125 ° C (MMAKS) 1A -
RBR3LAM30BTR Rohm Semiconductor Rbr3lam30btr 0,5300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Rbr3lam30 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 530 мВ @ 3 a 80 мка прри 30в 150 ° C (MMAKS) 3A -
PMEG3005EH,115 Nexperia USA Inc. PMEG3005EH, 115 0,4100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F PMEG3005 ШOTKIй SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 430 мВ @ 500 150 мкр 30 150 ° C (MMAKS) 500 май 55pf @ 1V, 1 мгест
P300K-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P300K-E3/73 -
RFQ
 ECAD 8093 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй P300 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,2 V @ 3 a 2 мкс 5 мк -400 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
BAV20WS-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20WS-HE3-08 0,3100
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV20 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 150 ° C (MMAKS) 250 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
GE1004 Harris Corporation GE1004 0,5600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен Чereз dыru TO-204AE Станода TO-204AE СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 2 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 45pf @ 4V, 1 мгест
SBR8040R Microchip Technology SBR8040R 138.6150
RFQ
 ECAD 4170 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud ШOTKIй До 5 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 740 мВ @ 80 a -65 ° C ~ 175 ° C. 80A -
FR607GP-AP Micro Commercial Co FR607GP-AP -
RFQ
 ECAD 6968 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй FR607 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 450 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 6 a 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 150pf @ 4V, 1 мгест
BAT32LS-QYL Nexperia USA Inc. BAT32LS-QYL 0,0464
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-882 ШOTKIй DFN1006BD-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 600 мВ @ 200 2 мка При 30в 150 ° С 200 май 20pf @ 1V, 1 мгест
VFT3045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3045BP-M3/4W 1.6300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TMBS® Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка VFT3045 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VFT3045BPM34W Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 700 мВ @ 30 a 2 мая @ 45 200 ° C (MMAKS) 30A -
RB050LA-40TFTR Rohm Semiconductor RB050LA-40TFTR -
RFQ
 ECAD 8907 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-128 RB050 ШOTKIй PMDT СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RB050LA-40TFTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 100 мка 40, 150 ° С 3A -
1N4526 Microchip Technology 1N4526 62.1150
RFQ
 ECAD 2734 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 1N4526 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,19 В @ 90 a 10 мка 400 -65 ° C ~ 200 ° C. 40a -
FFH75H60S onsemi FFH75H60S 4.2800
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо Чereз dыru ДО-247-2 FFH75H60 Станода ДО-247-2 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.2 V @ 75 A 75 м 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 75а -
BY251P-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division By251p-e3/73 -
RFQ
 ECAD 4485 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй By251 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1.1 V @ 3 a 3 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
MURS120HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS120HE3_A/H. 0,1815
RFQ
 ECAD 4602 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB MURS120 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 875 MV @ 1 A 35 м 2 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
A397P Powerex Inc. A397P -
RFQ
 ECAD 5345 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Зaжimatth DO-200AA, A-Puk A397 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 -40 ° C ~ 125 ° C. 400A -
SK54L-TP Micro Commercial Co SK54L-TP 0,4700
RFQ
 ECAD 182 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SK54 ШOTKIй SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 1 май @ 40 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SD103AWS-TP-HF Micro Commercial Co SD103AWS-TP-HF -
RFQ
 ECAD 5036 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер SC-76, SOD-323 SD103 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА 353-SD103AWS-TP-HF Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 200 10 млн 5 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 350 май 50pf @ 0v, 1 мгест
CRH01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 (TE85L, Q, M) 0,5200
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F CRH01 Станода S-Flat (1,6x3,5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 980 мВ @ 1 a 35 м 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 1A -
BYM11-100-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM11-100-E3/96 0,4300
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF (Стекло) BYM11 Станода DO-213AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 В @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
S1BLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation S1blhmtg -
RFQ
 ECAD 2867 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
MURS360S-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS360S-E3/5BT 0,5200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB MURS360 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,45 В @ 3 a 75 м 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1,5а -
SRA840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA840HC0G -
RFQ
 ECAD 7042 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SRA840 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
AG01V0 Sanken Ag01v0 -
RFQ
 ECAD 8336 0,00000000 САНКЕН - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Оос Ag01 Станода Оос СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) AG01V0 DK Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,8 В @ 700 мая 100 млн 100 мк 400 -40 ° С ~ 150 ° С. 700 май -
3SM4 Semtech Corporation 3SM4 -
RFQ
 ECAD 4350 0,00000000 Semtech Corporation Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос 3SM4 Станода Оос СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 3 a 2 мкс 1 мка 400 - 5A 92pf @ 5V, 1 мгест
1N2129 Microchip Technology 1n2129 74 5200
RFQ
 ECAD 6062 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода Do-5 (do-203ab) СКАХАТА DOSTISH 150-1N2129 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,25 w @ 200 a 25 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть