SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
RS3K-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS3K-E3/9AT 0,6600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC RS3K Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 Е @ 2,5 А 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 34pf @ 4V, 1 мгха
MURS260 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MURS260 0,3800
RFQ
 ECAD 8440 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 - @ 2 a 50 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 24pf @ 4V, 1 мгха
FGP50B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50B-E3/73 -
RFQ
 ECAD 8113 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй FGP50 Станода GP20 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 5 a 35 м 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A 100pf @ 4V, 1 мгха
V2P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2P22HM3/H. 0,4200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Microsmp ШOTKIй Microsmp (do-219AD) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 160 930 мВ @ 2 a 35 мк -при. -40 ° C ~ 175 ° C. 2A 60pf @ 4V, 1 мгест
D255N02BXPSA1 Infineon Technologies D255N02BXPSA1 -
RFQ
 ECAD 9772 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо Стало DO-205AA, DO-8, Stud D255N Станода - СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 20 май @ 200 -40 ° C ~ 180 ° C. 255A -
SS24 Yangjie Technology SS24 0,0400
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (HSMA) - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS24TR Ear99 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 2 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
1SS88TD-E Renesas Electronics America Inc 1ss88td-e 0,2200
RFQ
 ECAD 115 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 1 250 1 V @ 100 май 100 млн 200 NA @ 250 175 ° С 200 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
S70B GeneSiC Semiconductor S70B 9.8985
RFQ
 ECAD 6419 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) S70BGN Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 70 A 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
RB751V-40-TP Micro Commercial Co RB751V-40-TP 0,4200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 RB751 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 30 V 125 ° C (MMAKS) 30 май 2pf @ 1V, 1 мгест
BAS21 Taiwan Semiconductor Corporation BAS21 0,0322
RFQ
 ECAD 6859 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BAS21TR Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 250 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 1V, 1 мгха
RS1KL Taiwan Semiconductor Corporation RS1Kl 0,0725
RFQ
 ECAD 5499 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-219AB RS1K Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 - @ 800 мая 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
MS105E3/TR12 Microsemi Corporation MS105E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 9787 0,00000000 Microsemi Corporation - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй MS105 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 690 мВ @ 1 a 100 мк -прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
20ETF08S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20etf08s -
RFQ
 ECAD 5861 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 20etf08 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,31 В @ 20 a 400 млн 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
VS-12FLR80S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FLR80S05 6.0189
RFQ
 ECAD 5650 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12flr80 Ставень, обратно DO-203AA (DO-4) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,4 w @ 12 a 500 млн 50 мкр 800 -65 ° С ~ 150 ° С. 12A -
1N6940UTK3CS Microchip Technology 1n6940utk3cs 267.2850
RFQ
 ECAD 1295 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Пефер ThinKey ™ 3 ШOTKIй ThinKey ™ 3 - DOSTISH 150-1N6940UTK3CS Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 15 500 м. @ 150 a 5 мая @ 15 -65 ° С ~ 150 ° С. 150a 10000pf @ 5V, 1 мгест
MBRF1690HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1690HC0G -
RFQ
 ECAD 7237 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF1690 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 16 a 300 мк -при 90 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
DSEP60-12B IXYS DSEP60-12B 10.0200
RFQ
 ECAD 8687 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 DSEP60 Станода 247 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 238-DSEP60-12B Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 3,25 - @ 60 a 65 м 200 мк @ 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 60A 30pf @ 600V, 1 мгновение
MBRA120ET3G onsemi Mbra120et3g 0,4700
RFQ
 ECAD 3854 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA MBRA120 ШOTKIй СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 530 мВ @ 1 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
DSK22 MDD DSK22 0,1455
RFQ
 ECAD 204 0,00000000 MDD SOD-123fl Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F ШOTKIй SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A 220pf @ 4V, 1 мгест
SR003HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR003HA0G -
RFQ
 ECAD 8848 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR003 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 110pf @ 4V, 1 мгновение
1N5406GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5406gha0g -
RFQ
 ECAD 7017 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5406 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 3 a 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
DL4936-13-F Diodes Incorporated DL4936-13-F -
RFQ
 ECAD 2547 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AB, MELF (Стекло) DL4936 Станода Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
RS1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1bhe3_a/h 0,1022
RFQ
 ECAD 5974 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA RS1B Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 В @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
HS3K M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3K M6G -
RFQ
 ECAD 5442 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3K Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
ACGRAT104-HF Comchip Technology ACGRAT104-HF 0,1006
RFQ
 ECAD 6428 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Acgrat104 Станода 2010/DO-214AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1 V @ 1 A 5 мк -400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
SD103BM3 Taiwan Semiconductor Corporation SD103bm3 0,0330
RFQ
 ECAD 4459 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F SD103 ШOTKIй SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SD103bm3tr Ear99 8541.10.0070 9000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 600 мВ @ 200 5 мка @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 350 май 50pf @ 0v, 1 мгест
S2115 Microchip Technology S2115 33 4500
RFQ
 ECAD 4567 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-S2115 1
1N5408G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1n5408g 0,3700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Веса Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода Do-201ad (do-27) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 3 a 2,5 мка пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
1N2130RA Microchip Technology 1n2130ra 74 5200
RFQ
 ECAD 7649 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Ставень, обратно Do-5 (do-203ab) СКАХАТА DOSTISH 150-1N2130RA Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 150 1,25 w @ 200 a 25 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
SF31-AP Micro Commercial Co SF31-AP -
RFQ
 ECAD 3440 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF31 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 100pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть