SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
1N5402 onsemi 1n5402 -
RFQ
 ECAD 1690 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5402 Станода Do-201ad СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,2 V @ 3 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
SK54B-LTP Micro Commercial Co SK54B-LTP 0,4800
RFQ
 ECAD 173 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK54 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 1 май @ 40 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 200pf @ 4V, 1 мгха
UES1105 Microchip Technology UES1105 24.3900
RFQ
 ECAD 9474 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru А, осево Станода А, осево - Rohs Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,25 - @ 1 a 50 млн -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
JAN1N5615/TR Microchip Technology Jan1n5615/tr 4.6800
RFQ
 ECAD 6623 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/429 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru А, осево Станода А, осево - Rohs3 DOSTISH 150 января 5615/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,6 V @ 3 a 150 млн 500 NA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
DPG60I400HA IXYS DPG60I400HA 6.3200
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 DPG60I400 Станода 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,47 В @ 60 a 45 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 60A -
RB521S-30-TP Micro Commercial Co RB521S-30-TP 0,3000
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 RB521 ШOTKIй SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 500 м. @ 200 Ма 30 мк. 125 ° C (MMAKS) 200 май -
JAN1N6874UTK2CS Microchip Technology Jan1n6874utk2cs 364.5450
RFQ
 ECAD 8455 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/469 МАССА Актифен Пефер ThinKey ™ 2 Станода ThinKey ™ 2 - DOSTISH 150 января 6874TK2CS Ear99 8541.10.0070 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 V @ 400 мая -65 ° C ~ 175 ° C. 400 май -
MUR320SB R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR320SB R5G 1.0500
RFQ
 ECAD 726 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB MUR320 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 3 a 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
HSM825GE3/TR13 Microchip Technology HSM825GE3/TR13 1.3950
RFQ
 ECAD 5937 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-215AB, SMC Gull Wing HSM825 ШOTKIй DO-215AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 25 В 620 м. @ 8 a 250 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 8. -
B5819WHE3-TP Micro Commercial Co B5819WHE3-TP 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 B5819 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 1 a 40 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 120pf @ 4V, 1 мгха
FML-G22S Sanken FML-G22S 0,7900
RFQ
 ECAD 342 0,00000000 САНКЕН - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 Станода TO-220F-2L СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) FML-G22S DK Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 980 мВ @ 10 a 40 млн 200 мк @ 200 -40 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
ES3G-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3G-M3/9AT 0,2193
RFQ
 ECAD 4550 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Es3g Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.1 V @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
S1PB-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PB-M3/85A 0,0592
RFQ
 ECAD 9040 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA S1p Станода DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 6pf @ 4V, 1 мгха
HS5J Taiwan Semiconductor Corporation HS5J 0,2748
RFQ
 ECAD 3111 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC HS5J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
VSSAF522-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF522-M3/H. 0,6800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds ШOTKIй DO-221AC (Slimsma) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 5 a 50 мк. -40 ° C ~ 175 ° C. 2A 240pf @ 4V, 1 мгест
RS07K-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS07K-M-18 0,1485
RFQ
 ECAD 4747 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS07 Станода DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 50 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 300 млн 2 мк -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
VS-E5PH6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PH6006L-N3 3.2100
RFQ
 ECAD 949 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 E5PH6006 Станода DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-VS-E5PH6006L-N3 Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 60 a 54 м 25 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 60A -
SCS208AJTLL Rohm Semiconductor SCS208AJTLL 4.4500
RFQ
 ECAD 227 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SCS208 Sic (kremniewый karbid) DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 В @ 8 a 0 м 160 мкр 600 175 ° C (MMAKS) 8. 291pf @ 1V, 1 мгест
MBR130T1 onsemi MBR130T1 -
RFQ
 ECAD 6414 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123 MBR130 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 470 мВ @ 1 a 60 мка прри 30в 1A -
SB050-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB050-E3/73 -
RFQ
 ECAD 6594 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SB050 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 600 мая 5 май @ 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 600 май -
MBRF1650 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1650 C0G -
RFQ
 ECAD 7058 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF1650 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
GP02-40HM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-40HM3/73 -
RFQ
 ECAD 2741 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP02 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 4000 3 V @ 1 A 2 мкс 5 мка 4000 -65 ° C ~ 175 ° C. 250 май 3pf @ 4V, 1 мгест
ES1GFL Taiwan Semiconductor Corporation Es1gfl 0,0862
RFQ
 ECAD 1912 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F Станода SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES1GFLTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
SS12-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12-E3/5AT 0,4900
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SS12 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 1 a 200 мк @ 20 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A -
1N3663R Microchip Technology 1n3663r 41.6850
RFQ
 ECAD 6995 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Прет DO-208AA Ставень, обратно DO-21 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1N3663R Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 35 A 10 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 35A -
S10KC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S10KC R7 -
RFQ
 ECAD 3800 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S10Kcr7tr Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 10 A 1 мка, 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
S4PJHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4pjhm3_b/h -
RFQ
 ECAD 8697 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn S4PJ Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА 112-S4PJHM3_B/HTR Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 4 a 2,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 30pf @ 4V, 1 мгест
1N4942GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4942GP-E3/73 -
RFQ
 ECAD 1097 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4942 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 1 мка, 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
RL106-AP Micro Commercial Co RL106-AP -
RFQ
 ECAD 3435 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Оос RL106 Станода A-405 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
ER106_R2_00001 Panjit International Inc. ER106_R2_00001 0,3800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ER106 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-ER106_R2_00001CT Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть