SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
40HF120 Solid State Inc. 40HF120 2,5000
RFQ
 ECAD 7501 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-40HF120 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,3 - @ 40 a 100 мк @ 1200 -65 ° С ~ 150 ° С. 40a -
US5MB-HF Comchip Technology US5MB-HF 0,1783
RFQ
 ECAD 7827 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB US5M Станода SMB/DO-214AA - Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-US5MB-HFTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,68 В @ 5 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
VS-ETU3006FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU3006FP-M3 1.7700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FRED PT® МАССА Актифен Чereз dыru 220-2 ETU3006 Станода 220-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSETU3006FPM3 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 30 A 45 м 30 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 30A -
DSB1A20 Microchip Technology DSB1A20 -
RFQ
 ECAD 5469 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй DSB1A20 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 600 мВ @ 1 a 100 мк. - 1A -
S1JB-13 Diodes Incorporated S1JB-13 -
RFQ
 ECAD 9254 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S1J Станода МАЛИ СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
1N2138 Microchip Technology 1n2138 74 5200
RFQ
 ECAD 3069 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода Do-5 (do-203ab) СКАХАТА DOSTISH 150-1N2138 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,25 w @ 200 a 25 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
RL202-AP Micro Commercial Co RL202-AP -
RFQ
 ECAD 3549 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй RL202 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 2 A 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
VS-35APF06LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-35APF06LHM3 3.8500
RFQ
 ECAD 494 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 35APF06 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,46 В @ 35 а 160 м 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 35A -
STPSC606D STMicroelectronics STPSC606D 2.9400
RFQ
 ECAD 5183 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 STPSC606 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-10309-5 Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 600 1,7 - @ 6 a 0 м 75 мк -пр. 600 -40 ° C ~ 175 ° C. 6A 375pf @ 0v, 1 мгха
SR208-TP Micro Commercial Co SR208-TP 0,3800
RFQ
 ECAD 9290 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR208 ШOTKIй DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 850 мВ @ 2 a 1 мая @ 80 -50 ° C ~ 125 ° C. 2A 170pf @ 4V, 1 мгха
FR106GP-TP Micro Commercial Co FR106GP-TP 0,0418
RFQ
 ECAD 6439 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй FR106 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
ES2C Fairchild Semiconductor Es2c -
RFQ
 ECAD 4914 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода SMB (DO-214AA) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 2 a 20 млн 5 мк -прри 150 -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
SD103BWS_R1_00001 Panjit International Inc. SD103BWS_R1_00001 0,2100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F SD103 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-SD103BWS_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 600 мВ @ 200 5 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 350 май -
FESF16DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fesf16dthe3_a/p 1.3200
RFQ
 ECAD 1449 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка FESF16 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 16 A 35 м 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 16A -
RFUH10TF6S Rohm Semiconductor RFUH10TF6S 0,8460
RFQ
 ECAD 5215 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте Чereз dыru ДО-220-2 RFUH10 Станода DO-220NFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,8 В @ 10 A 25 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 10 часов -
VS-72HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-72HF100 8.7623
RFQ
 ECAD 8338 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 72HF100 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS72HF100 Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,35 В @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
S10KC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S10KC R7 -
RFQ
 ECAD 3800 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S10Kcr7tr Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 10 A 1 мка, 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
S1KB-13 Diodes Incorporated S1KB-13 -
RFQ
 ECAD 9007 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S1K Станода МАЛИ СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мк -400 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
189NQ150-1 SMC Diode Solutions 189nq150-1 27.4551
RFQ
 ECAD 4469 0,00000000 SMC Diode Solutions - МАССА Актифен ШASCI Половина 189nq ШOTKIй Prm1-1 (napolovinumymodooly pak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 189NQ150-1SMC Ear99 8541.10.0080 27 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1.07 V @ 180 A 4,5 мая @ 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 180a 4500pf @ 5V, 1 мгновение
ES2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A R5G -
RFQ
 ECAD 4626 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB Es2a Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
RM 10ZV1 Sanken Electric USA Inc. RM 10ZV1 -
RFQ
 ECAD 2004 0,00000000 Sanken Electric USA Inc. - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Оос RM 10 Станода Оос СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 910 мв 1,5 а 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 1,5а -
S3605 Microchip Technology S3605 61.1550
RFQ
 ECAD 2146 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-S3605 1
MBR130T1 onsemi MBR130T1 -
RFQ
 ECAD 6414 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123 MBR130 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 470 мВ @ 1 a 60 мка прри 30в 1A -
SBRT20M60SP5-13D Diodes Incorporated SBRT20M60SP5-13D 0,3445
RFQ
 ECAD 2252 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 SBRT20 Yperrarher Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 60 570 мВ @ 20 a 180 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
RKR0303AKJ#P1 Renesas Electronics America Inc RKR0303AKJ#P1 0,1300
RFQ
 ECAD 188 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен RKR0303 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 4000
SF2L8GH Taiwan Semiconductor Corporation SF2L8GH 0,1139
RFQ
 ECAD 9526 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF2L8 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 35 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
SB050-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB050-E3/73 -
RFQ
 ECAD 6594 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SB050 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 600 мая 5 май @ 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 600 май -
FESB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16JT-E3/45 1,8000
RFQ
 ECAD 121 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FESB16 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 - @ 16 a 50 млн 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 16A 145pf @ 4V, 1 мгест
NRVUD340T4G-VF01 onsemi NRVUD340T4G-VF01 -
RFQ
 ECAD 4322 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NRVUD340 Станода Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.15 V @ 3 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
GP02-40HM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-40HM3/73 -
RFQ
 ECAD 2741 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP02 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 4000 3 V @ 1 A 2 мкс 5 мка 4000 -65 ° C ~ 175 ° C. 250 май 3pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть