SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
ESH1PC-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PC-E3/85A -
RFQ
 ECAD 7538 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-220AA ESH1 Станода DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 1 a 25 млн 1 мка При 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 25pf @ 4V, 1 мгха
SBG1025L-T-F Diodes Incorporated SBG1025L-TF -
RFQ
 ECAD 7872 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SBG1025 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 25 В 450 мВ @ 10 a 1 мая @ 25 -65 ° C ~ 125 ° C. 10 часов 350pf @ 4V, 1 мгест
CN646 TR Central Semiconductor Corp CN646 Tr -
RFQ
 ECAD 1063 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1 V @ 400 мая 200 NA @ 300 -65 ° С ~ 150 ° С. 400 май 11pf @ 12V, 1 мгест
VS-80APS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APS16-M3 7.4621
RFQ
 ECAD 4421 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 80AS16 Станода ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS80APS16M3 Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1.17 V @ 80 A 100 мк @ 1600 -40 ° С ~ 150 ° С. 80A -
A190M Powerex Inc. A190M -
RFQ
 ECAD 8541 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud A190 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,3 В @ 250 a -40 ° C ~ 200 ° C. 250a -
JANTXV1N5416US/TR Microchip Technology Jantxv1n5416us/tr 13.1250
RFQ
 ECAD 2690 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/411 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SQ-Melf, e Станода D-5B - Rohs3 DOSTISH 150 jantxv1n5416us/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,5 - @ 9 a 150 млн 1 мка рри 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
VS-20ETF02STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20etf02strr-M3 1.5728
RFQ
 ECAD 3616 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 20etf02 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 20 a 160 м 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
VS-8TQ100STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100strrpbf -
RFQ
 ECAD 9155 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 8TQ100 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 720 мВ @ 8 a 550 мк -пки 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 8. 500pf @ 5V, 1 мгновение
1N3909A Microchip Technology 1n3909a 48.5400
RFQ
 ECAD 7774 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 1N3909 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,4 В @ 50 a 150 млн 15 мк -прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 50 часов -
NTE177 NTE Electronics, Inc NTE177 0,6000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE177 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 175 ° C (MMAKS) 250 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
RSFGL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL MTG -
RFQ
 ECAD 9596 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFGL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
1N5395 Diotec Semiconductor 1n5395 0,0331
RFQ
 ECAD 2545 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-1N5395TR 8541.10.0000 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 1,5 мкс 5 мка @ 1700 -50 ° C ~ 175 ° C. 1,5а -
SJPB-D9VR Sanken SJPB-D9VR -
RFQ
 ECAD 2471 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, J-Lead SJPB-D9 ШOTKIй SJP СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) SJPB-D9VR DK Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 1 a 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 1A -
NTS10120EMFST3G onsemi NTS10120EMFST3G -
RFQ
 ECAD 1310 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTS10120 ШOTKIй 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 120 820 мВ @ 10 A 30 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
STPSC12H065DY STMicroelectronics STPSC12H065DY 4.4100
RFQ
 ECAD 234 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Трубка Прохл Чereз dыru ДО-220-2 STPSC12 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 650 1,75 - @ 12 a 120 мк -при 650 -40 ° C ~ 175 ° C. 12A 600pf @ 0v, 1 мгха
M1MA151AT1 onsemi M1MA151AT1 -
RFQ
 ECAD 3332 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 M1MA151 Станода SC-59 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 1,2 Е @ 100 мая 3 млн 100 na @ 35 150 ° C (MMAKS) 100 май 2pf @ 0v, 1 мгест
GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A 18500
RFQ
 ECAD 143 0,00000000 Полук Amp+™ Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 GP3D006 Sic (kremniewый karbid) ДО-220-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 В @ 6 a 15 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 20 часов 229pf @ 1V, 1 мгха
1N5833 Microchip Technology 1n5833 57.4200
RFQ
 ECAD 9304 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 1n5833 ШOTKIй До 5 СКАХАТА Rohs DOSTISH 1n5833ms Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 40 a 20 май @ 30 -65 ° C ~ 125 ° C. 40a -
VS-40HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL60S02 11.9500
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 40hfl60 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,95 - @ 40 a 200 млн 100 мк. -40 ° C ~ 125 ° C. 40a -
IRD3CH9DF6 Infineon Technologies IRD3CH9DF6 -
RFQ
 ECAD 7396 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо IRD3CH9 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001544604 Ear99 8541.10.0080 1
S280W555-751 Souriau-Sunbank by Eaton S280W555-751 -
RFQ
 ECAD 9155 0,00000000 Souriau-Sunbank Ot Itonan * МАССА Актифен Модул S280W55 Модул - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50
STPSC10H065D STMicroelectronics STPSC10H065D 4.2700
RFQ
 ECAD 9575 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 STPSC10 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,75 В @ 10 a 0 м 100 мк @ 650 -40 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 480pf @ 0v, 1 мгха
20ETF06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20etf06 -
RFQ
 ECAD 5645 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 20etf06 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 20 a 160 м 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
RS1BL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL RTG -
RFQ
 ECAD 3286 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
MMSD914-TP Micro Commercial Co MMSD914-TP 0,2000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 MMSD914 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
ES2J Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Es2j 0,3000
RFQ
 ECAD 9197 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 12pf @ 4V, 1 мгновение
1N4001B-G Comchip Technology 1n4001b-g 0,2100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Комхип - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4001 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
QRS4506002 Powerex Inc. QRS4506002 -
RFQ
 ECAD 4668 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Управо Пефер 3-SMD Модуль Станода - СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 4500 В. 6,2 - @ 60 a 230 млн 1 мая @ 4500 -55 ° C ~ 150 ° С. 60 а -
RK 49 Sanken RK 49 -
RFQ
 ECAD 7735 0,00000000 САНКЕН - МАССА Управо Чereз dыru Оос ШOTKIй - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 810 мв 3,5 а 5 май @ 90 -40 ° С ~ 150 ° С. 3.5a -
SD200N12PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD200N12PV -
RFQ
 ECAD 3815 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Стало DO-205AC, DO-30, STAUD SD200 Станода DO-205AC (DO-30) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *SD200N12PV Ear99 8541.10.0080 25 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,4 В @ 630 А 15 май @ 1200 -40 ° C ~ 180 ° C. 200a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть