SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
1SS400CST2R Rohm Semiconductor 1SS400CST2R 0,0797
RFQ
ECAD 5951 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-923 1SS400 Станода VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1,2 Е @ 100 мая 100 na @ 80 150 ° C (MMAKS) 100 май 3pf @ 0,5 -
1N4944GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N494444GP-M3/54 -
RFQ
ECAD 1752 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4944 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 150 млн 1 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MUR460 Taiwan Semiconductor Corporation MUR460 0,2730
RFQ
ECAD 6654 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй MUR460 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,28 w @ 4 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
S1M-26R2G Taiwan Semiconductor Corporation S1M-26R2G -
RFQ
ECAD 6249 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1M-26 Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SDM30004 Microsemi Corporation SDM30004 -
RFQ
ECAD 7378 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо ШASCI Модул Станода Модул СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 @ 300 a 75 мка 400 300A -
S1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1bl rhg -
RFQ
ECAD 8515 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1N914ATR onsemi 1n914atr 0,3600
RFQ
ECAD 123 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n914a Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 20 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
MUR305S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR305S V7G -
RFQ
ECAD 5863 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR305 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 25 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SDM2A20CSP-7 Diodes Incorporated SDM2A20CSP-7 0,4000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-xdfn SDM2A20 ШOTKIй X3-WLB1406-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 530 мВ @ 2 a 80 мка @ 20 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 70pf @ 5V, 1 мгха
GP15J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15J-E3/54 0,6300
RFQ
ECAD 8935 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй GP15 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,1 В @ 1,5 А. 3,5 мкс 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1,5а -
SD101A-A Diodes Incorporated SD101A-A -
RFQ
ECAD 1645 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй SD101A ШOTKIй DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 60 1 V @ 15 мая 1 млн 200 na @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C. 15 май 2pf @ 0v, 1 мгест
ER3DA_R1_00001 Panjit International Inc. ER3DA_R1_00001 0,4600
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Er3d Станода SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
BAS116H,115 Nexperia USA Inc. BAS116H, 115 0,2900
RFQ
ECAD 73 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F BAS116 Станода SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 75 1,25 В @ 150 3 мкс 5 Na @ 75 V 150 ° C (MMAKS) 215 май 2pf @ 0v, 1 мгест
NTS10100MFST3G onsemi NTS10100MFST3G -
RFQ
ECAD 6805 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTS10100 ШOTKIй 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 690 мВ @ 10 a 70 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
MUR440S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S M6G -
RFQ
ECAD 1073 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR440 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
MA3J7410GL Panasonic Electronic Components MA3J7410GL 0,4700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-85 MA3J7410 ШOTKIй Smini3-F2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 V @ 30 май 1 млн 300 NA @ 30 V 125 ° C (MMAKS) 30 май -
1N3295AR Microchip Technology 1N3295AR 102.2400
RFQ
ECAD 7877 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud 1N3295 Ставень, обратно DO-205AA (DO-8) СКАХАТА Rohs DOSTISH 1N3295Arms Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
S53100 Microchip Technology S53100 158.8200
RFQ
ECAD 4803 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-S53100 1
S1ALHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1alhmhg -
RFQ
ECAD 7746 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1N459ATR Fairchild Semiconductor 1n459atr 0,0300
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 11 539 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 100 май 25 Na @ 175 V 175 ° C (MMAKS) 500 май 6pf @ 0v, 1 мгест
SFAF1006G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1006G -
RFQ
ECAD 2201 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFAF1006G Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 10 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 140pf @ 4V, 1 мгест
VS-SD1700C24K Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1700C24K 230.3650
RFQ
ECAD 4130 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен Зaжimatth DO-200AC, K-PUK SD1700 Станода DO-200AC, K-PUK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2400 1,81 В @ 4000 А 75 мая @ 2400 2080a -
ISL9R18120P2 onsemi ISL9R18120P2 -
RFQ
ECAD 5752 0,00000000 OnSemi Stealth ™ Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 ISL9 Станода ДО-220-2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 3.3 V @ 18 a 70 млн 100 мк @ 1200 -55 ° C ~ 150 ° С. 18:00 -
VS-8ETU04-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETU04-1HM3 0,7425
RFQ
ECAD 9252 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Трубка Актифен Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA 8etu04 Станода 262-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 8 a 43 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 8. -
CDBB340-HF Comchip Technology CDBB340-HF 0,5000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB CDBB340 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -40 ° C ~ 70 ° C. 3A 250pf @ 4V, 1 мгест
1N5397-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5397-E3/54 0,3300
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5397 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,4 Е @ 1,5 А 2 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
R7220407CSOO Powerex Inc. R7220407CSOO 88.9927
RFQ
ECAD 5428 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШASCI Do-200ab, b-puk R7220407 Станода Do-200ab, b-puk СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,65 Е @ 1500 А 5 мкс 50 май @ 400 700A -
BAS20,215 Nexperia USA Inc. BAS20,215 0,1500
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas20 Станода TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 150 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
OB2052V WeEn Semiconductors OB2052V -
RFQ
ECAD 2423 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki * Трубка Управо OB2052 - 1 (neograniчennnый) 934070134005 Управо 0000.00.0000 63 243
MBR120LSFT3 onsemi MBR120LSFT3 -
RFQ
ECAD 9323 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123F MBR120 ШOTKIй SOD-123fl СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 450 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе