SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
MA2YD3300L Panasonic Electronic Components MA2YD3300L -
RFQ
 ECAD 9863 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123F MA2YD33 ШOTKIй Mini2-f1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. 5 млн 50 мк. 125 ° C (MMAKS) 500 май 60pf @ 0v, 1 мгест
MA27077G0L Panasonic Electronic Components MA27077G0L -
RFQ
 ECAD 2768 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. MA27077 Станода Sssmini2-F3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 35 1 V @ 100 май 100 na @ 33 -25 ° C ~ 85 ° C. 100 май 1,2pf @ 6V, 1 мгха
VS-VSKE270-12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE270-12PBF 149 9550
RFQ
 ECAD 8295 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШASCI 3-MAGN-A-PAK ™ VSKE270 Станода Magn-A-Pak® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSVSKE27012PBF Ear99 8541.10.0080 2 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 50 май @ 1200 -40 ° С ~ 150 ° С. 270a -
NTE6050 NTE Electronics, Inc NTE6050 9.7000
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6050 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,25 Е @ 20 мая 2 мая @ 100 -65 ° C ~ 190 ° C. 70A -
S1JB SMC Diode Solutions S1JB 0,0254
RFQ
 ECAD 8488 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S1J Станода SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 2,5 мкс 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
US1BHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1BHE3/5AT -
RFQ
 ECAD 7508 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA US1 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
JANS1N6864US Microchip Technology Jans1n6864us -
RFQ
 ECAD 5994 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/620 МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, б ШOTKIй B, SQ-Melf - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 700 мВ @ 3 a 150 мкр. -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
VS-8TQ100STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100strrpbf -
RFQ
 ECAD 9155 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 8TQ100 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 720 мВ @ 8 a 550 мк -пки 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 8. 500pf @ 5V, 1 мгновение
M1MA151AT1 onsemi M1MA151AT1 -
RFQ
 ECAD 3332 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 M1MA151 Станода SC-59 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 1,2 Е @ 100 мая 3 млн 100 na @ 35 150 ° C (MMAKS) 100 май 2pf @ 0v, 1 мгест
SMLJ60S6-TP Micro Commercial Co SMLJ60S6-TP 0,9500
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SMLJ60S6 Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 6 A 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 150pf @ 4V, 1 мгест
20ETF06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20etf06 -
RFQ
 ECAD 5645 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 20etf06 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 20 a 160 м 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
UF4002 SMC Diode Solutions UF4002 -
RFQ
 ECAD 2287 0,00000000 SMC Diode Solutions - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF400 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 5 мк -4 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SS16LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS16LHMHG -
RFQ
 ECAD 2300 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS16 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
MBRF5150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150HC0G -
RFQ
 ECAD 3471 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 MBRF5150 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,02 В @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SD101C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101C-TR 0,3600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй SD101 ШOTKIй DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 900 мВ @ 15 мая 200 na @ 30 v 125 ° C (MMAKS) 30 май 2.2pf @ 0V, 1 мгест
RL204GP-AP Micro Commercial Co RL204GP-AP 0,0583
RFQ
 ECAD 5188 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй RL204 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 2 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
STPS1L60ZF STMicroelectronics STPS1L60ZF 0,4500
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F STPS1 ШOTKIй SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 2 a 50 мк. -40 ° C ~ 175 ° C. 1A -
VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12STR-M3 3.4300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 8ewf12 Станода D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 1.3 V @ 8 a 270 м 100 мк @ 1200 -40 ° С ~ 150 ° С. 8. -
SMD12HE-TP Micro Commercial Co SMD12HE-TP -
RFQ
 ECAD 6493 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123H SMD12 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
85HFR80 Solid State Inc. 85HFR80 3.9500
RFQ
 ECAD 430 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-85HFR80 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,3 - @ 85 A 200 мк -400 -65 ° С ~ 150 ° С. 85а -
S1A-LS Diodes Incorporated S1A-LS -
RFQ
 ECAD 9093 0,00000000 Дидж - МАССА Управо Пефер DO-214AC, SMA Станода СМА - DOSTISH 31-S1A-LS Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MBR1035 onsemi MBR1035 -
RFQ
 ECAD 4893 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 MBR103 ШOTKIй ДО-220-2 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 840 мВ @ 20 a 100 мк @ 35 -65 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
NTE6359 NTE Electronics, Inc NTE6359 98.5600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-9, Stud Станода DO-9 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6359 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 30 май @ 1000 -40 ° C ~ 180 ° C. 300A -
PMEG030V030EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG030V030EPDZ 0,5600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn PMEG030 ШOTKIй CFP15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 450 мВ @ 3 a 12 млн 150 мкр 30 175 ° C (MMAKS) 3A 495pf @ 1V, 1 мгест
MUR140-TP Micro Commercial Co MUR140-TP -
RFQ
 ECAD 5809 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй MUR140 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,35 - @ 1 a 60 млн 5 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
VS-MBR350 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR350 -
RFQ
 ECAD 1287 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй MBR3 ШOTKIй C-16 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 730 мВ @ 3 a 600 мк -при 50 -40 ° С ~ 150 ° С. 3A 190pf @ 4V, 1 мгха
S8NC-13 Diodes Incorporated S8NC-13 0,6300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S8NC Станода SMC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 8 A 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 8. 40pf @ 4V, 1 мгест
RURG8060 onsemi RUG8060 -
RFQ
 ECAD 1356 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо Чereз dыru ДО-247-2 Коврик80 Станода ДО-247-2 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,6 V @ 80 A 85 м 250 мк -при 600 -65 ° C ~ 175 ° C. 80A -
VS-VSKE270-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE270-12 -
RFQ
 ECAD 8625 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо ШASCI 3-MAGN-A-PAK ™ VSKE270 Станода Magn-A-Pak® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 270a -
VS-6EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6EWX06FNTR-M3 0,3800
RFQ
 ECAD 8854 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FRED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 6EWX06 Станода D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 3.1 V @ 6 a 19 млн 20 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 6A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть