SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
PMEG6020AELPX Nexperia USA Inc. PMEG60202020 0,5400
RFQ
 ECAD 91 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 PMEG6020 ШOTKIй SOD-128/CFP5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 670 мВ @ 2 a 9 млн 700 NA @ 60 V 175 ° C (MMAKS) 2A 220pf @ 1V, 1 мгест
PMEG6010CEJ/ZLF Nexperia USA Inc. PMEG6010CEJ/ZLF -
RFQ
 ECAD 3816 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-90, SOD-323F PMEG6010 ШOTKIй SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934070444135 Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 660 мВ @ 1 a 50 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A 60pf @ 1V, 1 мгест
VS-31DQ06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ06 -
RFQ
 ECAD 5012 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 31DQ06 ШOTKIй C-16 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 620 мВ @ 3 a 2 мая @ 60 -40 ° С ~ 150 ° С. 3.3a -
PMEG120G10ELRX Nexperia USA Inc. PMEG120G10ELRX 0,4800
RFQ
 ECAD 133 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W PMEG120 Sige (kremniйgermanyna) SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 120 840mw @ 1 a 12 млн 30 Na @ 120 V 175 ° C (MMAKS) 1A 36pf @ 1V, 1 мгха
UPDS5100H Microsemi Corporation UPDS5100H -
RFQ
 ECAD 4955 0,00000000 Microsemi Corporation - Веса Управо Пефер Powerdi ™ 5 UPDS5100 ШOTKIй СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 710 мВ @ 5 a 10 мк -пки 100 5A -
SS22-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22-E3/52T 0,4500
RFQ
 ECAD 740 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS22 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 2A -
1N4007G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007G 0,4000
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4007 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 1 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BAS521,115 Nexperia USA Inc. BAS521,115 0,3100
RFQ
 ECAD 560 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 BAS521 Станода SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,1 - @ 100mma 50 млн 150 NA @ 250 150 ° C (MMAKS) 250 май 5pf @ 0v, 1 мгц
BAS16W,115 Nexperia USA Inc. BAS16W, 115 0,1600
RFQ
 ECAD 133 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101, BAS16 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 BAS16 Станода SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 В @ 150 4 млн 500 NA @ 80 V -65 ° С ~ 150 ° С. 175 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
SB120-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB120-E3/54 0,4200
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SB120 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 480 мВ @ 1 a 500 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 1A -
CD214A-B340LF Bourns Inc. CD214A-B340LF -
RFQ
 ECAD 7746 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA CD214A ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 250pf @ 4V, 1 мгест
JAN1N6657R Microchip Technology Январь1N6657R 213.6600
RFQ
 ECAD 5890 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. Станода 254 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,2 - @ 20 a 35 м 10 мк -пки 100 - 15A 150pf @ 10 v, 1 мгха
FFPF10U120STU onsemi FFPF10U120STU -
RFQ
 ECAD 2735 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 FFPF10 Станода TO-220F-2L СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 3,5 - @ 10 a 100 млн 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
MBRF2060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060 C0G -
RFQ
 ECAD 1862 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru 220-2 MBRF2060 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 820 м. @ 20 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
R6000425XXYA Powerex Inc. R6000425XXYA -
RFQ
 ECAD 7685 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud R6000425 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 11 мкс 50 май @ 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 250a -
CDBW0520L-G Comchip Technology CDBW0520L-G 0,4000
RFQ
 ECAD 2954 0,00000000 Комшип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 CDBW0520 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 385 м. @ 500 мая 250 мк. 125 ° C (MMAKS) 500 май -
1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403, H3F 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 1SS403 Станода USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1,2 Е @ 100 мая 60 млн 1 мка, 200 125 ° C (MMAKS) 100 май 3pf @ 0v, 1 мгц
S2A-LTP Micro Commercial Co S2A-LTP 0,0474
RFQ
 ECAD 9050 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S2A Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,15 h @ 2 a 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
SR208-TP Micro Commercial Co SR208-TP 0,3800
RFQ
 ECAD 9290 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR208 ШOTKIй DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 850 мВ @ 2 a 1 мая @ 80 -50 ° C ~ 125 ° C. 2A 170pf @ 4V, 1 мгха
SE70PGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE70PGHM3_A/H. 0,8500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn SE70 Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,05 В @ 7 a 2,6 мкс 20 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 2.9а 76pf @ 4V, 1 мгест
AZ23B36 Yangjie Technology AZ23B36 0,0270
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-AZ23B36TR Ear99 3000
RS1KLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1klhrhg -
RFQ
 ECAD 8447 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1K Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 - @ 800 мая 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
ES3DP115 Nexperia USA Inc. ES3DP115 0,1000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 3000
VS-3ECH02-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3ECH02-M3/9AT 0,2026
RFQ
 ECAD 2656 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC 3ECH02 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 900 мВ @ 3 a 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SDM2L40P1-7 Diodes Incorporated SDM2L40P1-7 -
RFQ
 ECAD 3625 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер PowerDi®123 ШOTKIй Powerdi ™ 123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 100 мка 40, - 2A 63pf @ 10V, 1 мгха
STTA2006P STMicroelectronics STTA2006P -
RFQ
 ECAD 3050 0,00000000 Stmicroelectronics Turboswitch ™ Трубка Управо Чereз dыru SOD-93-2 STTA200 Станода SOD-93-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,75 - @ 20 a 60 млн 100 мк. 150 ° C (MMAKS) 20 часов -
PMEG120G10ELRZ Nexperia USA Inc. PMEG120G10ELRZ -
RFQ
 ECAD 1947 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123W PMEG120 Sige (kremniйgermanyna) CFP3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 120 840mw @ 1 a 6 м 30 Na @ 120 V 175 ° С 1A 36pf @ 1V, 1 мгха
BAT54JFILM STMicroelectronics BAT54JFILM 0,3700
RFQ
 ECAD 172 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAT54 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 900 мВ @ 100 мая 5 млн 1 мка 30 30 -40 ° С ~ 150 ° С. 300 май 10pf @ 1V, 1 мгха
SK520CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK520CHM6G -
RFQ
 ECAD 4419 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC SK520 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
1N4002GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002GHB0G -
RFQ
 ECAD 5060 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4002 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 1 A 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть