SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
SK34B-TP Micro Commercial Co SK34B-TP 0,5200
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AA, SMB SK34 ШOTKIй DO-214AA, HSMB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
D4015L56TP Littelfuse Inc. D4015L56TP 2.9400
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Littelfuse Inc. Teccor® Трубка Актифен Чereз dыru До-220-3 Иолированая D4015 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,6 В @ 9,5 а 4 мкс 10 мка 400 -40 ° C ~ 125 ° C. 9.5A -
IDD09E60BUMA1 Infineon Technologies Idd09e60buma1 -
RFQ
 ECAD 7944 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IDD09E60 Станода PG-TO252-3 СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 9 A 75 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 19.3a -
121NQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 121NQ045 -
RFQ
 ECAD 1478 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо ШASCI D-67 Half-Pak 121NQ045 ШOTKIй D-67 Half-Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 650 мВ @ 120 a 10 май @ 45 120a 5200pf @ 5V, 1 мгновение
APD360VRTR-G1 Diodes Incorporated APD360VRTR-G1 -
RFQ
 ECAD 2464 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA APD360 ШOTKIй DO-214AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 680 мВ @ 3 a 500 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
RL103-N-2-4-AP Micro Commercial Co RL103-N-2-4-AP -
RFQ
 ECAD 7619 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Оос RL103 Станода A-405 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) RL103-N-2-4-APMS Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
APT60D120BG Microchip Technology APT60D120BG 3.8200
RFQ
 ECAD 780 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 APT60D120 Станода ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 2,5 - @ 60 a 400 млн 250 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 60A -
BYD33MGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byd33mgp-e3/54 -
RFQ
 ECAD 3291 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Byd33 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,3 V @ 1 a 300 млн 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
E1GQ Yangjie Technology E1gq 0,0720
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-e1gqtr Ear99 3000
UPS540E3/TR13 Microchip Technology UPS540E3/TR13 0,5200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер PowerMite®3 UPS540 ШOTKIй Powermite 3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 540 мВ @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 5A 250pf @ 4V, 1 мгест
B360A-13-F Diodes Incorporated B360A-13-F 0,3800
RFQ
 ECAD 111 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA B360 ШOTKIй СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 200pf @ 4V, 1 мгха
1N1403 Solid State Inc. 1n1403 15,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Станода Дол - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N1403 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,2 - @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 100 а -
C6D20065G Wolfspeed, Inc. C6D20065G 8,7000
RFQ
 ECAD 1181 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB C6D20065 Sic (kremniewый karbid) 263-2 - Neprigodnnый 1697-C6D20065G 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,27 В @ 20 a 0 м -55 ° C ~ 175 ° C. 20 часов -
VS-70HFL20S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFL20S02 11.0044
RFQ
 ECAD 5407 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 70hfl20 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,85 Е @ 219,8 А 200 млн 100 мк. -40 ° C ~ 125 ° C. 70A -
1N4936G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936G R1G -
RFQ
 ECAD 7777 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4936 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
HS5B Taiwan Semiconductor Corporation HS5B 0,6870
RFQ
 ECAD 1606 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5BTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 5 A 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
MMBD6050-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD6050-E3-18 0,0270
RFQ
 ECAD 9709 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD6050 Станода SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1,1 - @ 100mma 4 млн 100 na @ 50 v 150 ° C (MMAKS) 200 май -
SK38AE3/TR13 Microsemi Corporation SK38AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8650 0,00000000 Microsemi Corporation - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK38 ШOTKIй SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 850 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
R7004003XXUA Powerex Inc. R7004003XXUA 180.6150
RFQ
 ECAD 3934 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-200AA, A-Puk R7004003 Станода DO-200AA, R62 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 4000 2,15 Е @ 1500 А 9 мкс 50 май @ 4000 -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
VS-42HFR140 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42HFR140 9.2359
RFQ
 ECAD 1046 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 42HFR140 Ставень, обратно Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS42HFR140 Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1,5 В @ 125 А -65 ° C ~ 160 ° C. 40a -
NSF8JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSF8JThe3/45 -
RFQ
 ECAD 6750 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка NSF8 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
SD165SC150B.T SMC Diode Solutions SD165SC150B.T 2.8660
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 SMC Diode Solutions - Поднос Актифен Пефер Умират SD165 ШOTKIй Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1655-1769 Ear99 8541.10.0040 20 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 890mw @ 30 a 1 мая @ 150 -55 ° C ~ 200 ° C. 30A 1000pf @ 5V, 1 мгест
1N4003GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003GPE-E3/53 -
RFQ
 ECAD 3800 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4003 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 2 мкс 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1N3290A Microchip Technology 1n3290a 93 8550
RFQ
 ECAD 6864 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud 1N3290 Станода DO-205AA (DO-8) СКАХАТА Rohs DOSTISH 1N3290 UTRA Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1.1 V @ 200 a 200 мк @ 300 -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
SB10-03A3 onsemi SB10-03A3 -
RFQ
 ECAD 8394 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SB10 ШOTKIй DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 30 млн 1 мая @ 30 125 ° C (MMAKS) 1A -
V6PWM45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6PWM45-M3/I. 0,5700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ШOTKIй Слимдпак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 580 мВ @ 6 a 50 мк 45 -40 ° C ~ 175 ° C. 6A 990pf @ 4V, 1 мгновение
F50A Semtech Corporation F50A -
RFQ
 ECAD 6933 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА ПРЕКРЕВО Чereз dыru Оос F50 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 5000 8 w @ 50 мая 300 млн 1 мка При 5000 -65 ° C ~ 175 ° C. 100 май 2pf @ 5V, 1 мгест
ES3A SMC Diode Solutions Es3a -
RFQ
 ECAD 2581 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AB, SMC ES3 Станода SMC (DO-214AB) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Es3asmc Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
SK24 SMC Diode Solutions SK24 0,0661
RFQ
 ECAD 9526 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK24 ШOTKIй SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 2 a 500 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 2A -
1N4591 Powerex Inc. 1N4591 -
RFQ
 ECAD 9230 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-205AA, DO-8, Stud 1N4591 Станода DO-205AA (DO-8) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 500 8 май @ 500 -60 ° C ~ 200 ° C. 150a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть