SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
MBR1100G onsemi MBR1100G 0,4400
RFQ
 ECAD 9412 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй MBR1100 ШOTKIй Оос СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 790mw @ 1 a 500 мк -пки 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
1N914-T50A onsemi 1N914-T50A 0,1400
RFQ
 ECAD 190 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n914 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1khe3_a/i 0,4200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
1N5282TR Fairchild Semiconductor 1n5282tr 0,0200
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 900 мВ @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 55 175 ° C (MMAKS) 200 май 2,5pf @ 0v, 1 мгха
BAV21WS SMC Diode Solutions BAV21WS 0,2000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F BAV21 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1 V @ 100 май 50 млн 100 na @ 100 v -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
S3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3B V6G -
RFQ
 ECAD 1700 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,5 мкс 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
EGP10AE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10AE-E3/54 -
RFQ
 ECAD 5116 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй EGP10AE Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 112-EGP10AE-E3/54TR Ear99 8541.10.0080 1100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 22pf @ 4v, 1 мг
HS3G M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3G M6G -
RFQ
 ECAD 1278 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
11DQ04 SMC Diode Solutions 11dq04 0,2800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 11dq ШOTKIй DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 710 мВ @ 2 a 1 май @ 40 -40 ° С ~ 150 ° С. 1.1a 55pf @ 5V, 1 мгновение
SSL33 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 R6 -
RFQ
 ECAD 2685 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SSL33R6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 410 мВ @ 3 a 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
NTE5867 NTE Electronics, Inc NTE5867 8,5000
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5867 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 19 a 12 май @ 800 В -65 ° C ~ 175 ° C. 6A -
SS210-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS210-M3/52T 0,1460
RFQ
 ECAD 8693 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS210 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,05 В @ 2 a 2 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 42pf @ 4V, 1 мгест
BAT46WT-05 Yangjie Technology BAT46WT-05 0,0200
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BAT46WT-05TR Ear99 3000
A330PD Powerex Inc. A330PD -
RFQ
 ECAD 3359 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Зaжimatth DO-200AA, A-Puk A330 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 - 1400 -40 ° C ~ 200 ° C. 1200A -
STPSC12C065DY STMicroelectronics STPSC12C065DY 4.2600
RFQ
 ECAD 154 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 STPSC12 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 650 1,75 - @ 12 a 120 мк -при 650 -40 ° C ~ 175 ° C. 12A 530pf @ 0v, 1 мгест
CD214B-R3800 Bourns Inc. CD214B-R3800 -
RFQ
 ECAD 9706 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB CD214B Станода SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 1 A 5 мк -400 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
SD101AW-13-F Diodes Incorporated SD101AW-13-F -
RFQ
 ECAD 2966 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123 SD101A ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 60 1 V @ 15 мая 1 млн 200 na @ 50 v -65 ° C ~ 125 ° C. 15 май 2pf @ 0v, 1 мгест
SS5U45 Yangjie Technology SS5U45 0,2010
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS5U45TR Ear99 5000
VS-60EPU06HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPU06HN3 5.1789
RFQ
 ECAD 8603 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 60EPU06 Станода К 247AC МОДИФИИРОВАНАН СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS60EPU06HN3 Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,68 В @ 60 a 81 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 60A -
UF1010G_R2_00001 Panjit International Inc. UF1010G_R2_00001 0,3200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1010 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-UF1010G_R2_00001CT Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 100 млн 1 мка @ 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
DST1545S Littelfuse Inc. DST1545S 1.2800
RFQ
 ECAD 5935 0,00000000 Littelfuse Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn DST1545 ШOTKIй ДО-277B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 580 мВ @ 15 A 1,5 мая @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A 868pf @ 5V, 1 мгновение
RA256 Diotec Semiconductor RA256 0,3717
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер RaStwOr Станода RaStwOr СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-RA256TR 8541.10.0000 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 80 A 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
CR2-160 BK Central Semiconductor Corp CR2-160 BK -
RFQ
 ECAD 4267 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Neprigodnnый CR2-160BK Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1.1 V @ 2 A 10 мк @ 1600 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
1N249A Microchip Technology 1n249a 74 5200
RFQ
 ECAD 1945 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода Do-5 (do-203ab) СКАХАТА DOSTISH 150-1N249A Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,19 В @ 90 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 200 ° C. 40a -
BA158-TP Micro Commercial Co BA158-TP -
RFQ
 ECAD 6566 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BA159 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
D1800N46TVFXPSA1 Infineon Technologies D1800N46TVFXPSA1 618.5375
RFQ
 ECAD 9514 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Прохл Зaжimatth DO-200AC, K-PUK D1800N46 Станода - СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 4600 1,32 Е @ 1500 А 100 май @ 4600 -40 ° C ~ 160 ° C. 1800:00 -
VS-ETX3007-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETX3007-M3 1.5100
RFQ
 ECAD 738 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ETX3007 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 650 2,5 - @ 30 a 35 м 30 мк @ 650 -55 ° C ~ 175 ° C. 30A -
RS2BHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs2bhe3/5bt -
RFQ
 ECAD 2135 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB Rs2 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
BAS521,115 Nexperia USA Inc. BAS521,115 0,3100
RFQ
 ECAD 560 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 BAS521 Станода SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,1 - @ 100mma 50 млн 150 NA @ 250 150 ° C (MMAKS) 250 май 5pf @ 0v, 1 мгц
MBRB8100-TP Micro Commercial Co MBRB8100-TP 0,5639
RFQ
 ECAD 2248 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Прохл Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB8100 ШOTKIй D2Pak СКАХАТА 353-MBRB8100-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 8 a 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть