SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
SD103AW RHG Taiwan Semiconductor Corporation SD103AW RHG 0,0573
RFQ
 ECAD 1808 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SD103 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 200 5 мка 40, 125 ° C (MMAKS) 350 май 50pf @ 0v, 1 мгест
SL23-7001HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL23-7001HE3_A/i -
RFQ
 ECAD 9088 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB SL23 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 112-SL23-7001HE3_A/ITR Ear99 8541.10.0080 3200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 440 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
SR009HR1G Taiwan Semiconductor Corporation SR009HR1G -
RFQ
 ECAD 1553 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR009 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 65pf @ 4V, 1 мгест
SRAF5150H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5150H -
RFQ
 ECAD 3603 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SRAF5150H Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 5 a 200 мк @ 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
1N914 Microchip Technology 1n914 0,9800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n914 Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1n914ms Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1,2 Е @ 50 MMA 20 млн 500 NA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
1N4936GP onsemi 1N4936GP -
RFQ
 ECAD 2794 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4936 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 - @ 1 a 150 млн 5 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
1N2426R Solid State Inc. 1n2426r 15,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Ставень, обратно Дол - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N2426R Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,2 - @ 200 a 50 мк -прри 50 -65 ° C ~ 200 ° C. 100 а -
FGP30BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP30BHE3/73 -
RFQ
 ECAD 4262 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FGP30 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 70pf @ 4V, 1 мгха
ACGRBT205-HF Comchip Technology ACGRBT205-HF 0,4000
RFQ
 ECAD 2431 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA ACGRBT205 Станода 2114/DO-214AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A 14pf @ 4V, 1 мгха
SHV-06JV1 Sanken SHV-06JV1 -
RFQ
 ECAD 4776 0,00000000 САНКЕН * Lenta и коробка (TB) Актифен SHV-06 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000
1N4007FFG onsemi 1n4007ffg 0,2400
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4007 Станода Оос СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
R7003203XXUA Powerex Inc. R7003203XXUA -
RFQ
 ECAD 1224 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-200AA, A-Puk R7003203 Станода DO-200AA, R62 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 3200 В. 2,15 Е @ 1500 А 9 мкс 50 май @ 3200 -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
DA2610100L Panasonic Electronic Components DA2610100L -
RFQ
 ECAD 8553 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOD-882 DA26101 Станода SOD-882 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1,2 Е @ 100 мая 3 млн 100 na @ 80 150 ° C (MMAKS) 100 май 2pf @ 0v, 1 мгест
HER302G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER302G A0G -
RFQ
 ECAD 3079 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй HER302 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
B330Q-13-F Diodes Incorporated B330Q-13-F 0,1710
RFQ
 ECAD 7239 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC B330 ШOTKIй SMC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 м. @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 200pf @ 4V, 1 мгха
EGP10GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10GHE3/73 -
RFQ
 ECAD 2827 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй EGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
20ETS12FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ets12fp -
RFQ
 ECAD 5289 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 20ets12 Станода TO-220AC Full Pack СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 20 a 100 мк @ 1200 -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
1N4007W EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007W 0,0670
RFQ
 ECAD 2547 0,00000000 EIC Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 2439-1N4007WTR 8541.10.0000 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 2 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
VS-HFA08TB60SR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB60SR-M3 0,4519
RFQ
 ECAD 6393 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Hexfred® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HFA08 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 16 A 55 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
SL36PL-TP Micro Commercial Co SL36PL-TP 0,4100
RFQ
 ECAD 3088 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F SL36 ШOTKIй SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 500 м. @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1N5401-T Diodes Incorporated 1n5401-t -
RFQ
 ECAD 2647 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5401 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 3 a 10 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SE100PWG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE100PWG-M3/I. 0,2673
RFQ
 ECAD 7089 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SE100 Станода Слимдпак СКАХАТА DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,14 В @ 10 A 2,6 мкс 20 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 78pf @ 4V, 1 мгест
BYG23MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg23mhe3_a/i 0,1419
RFQ
 ECAD 4472 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Byg23 Лавина DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а -
1N4150_T26A onsemi 1N4150_T26A -
RFQ
 ECAD 4381 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4150 Станода DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 200 MMA 6 м 100 na @ 50 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 2,5pf @ 0v, 1 мгха
UF5404/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF5404/54 -
RFQ
 ECAD 1183 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UF5404 Станода Do-201ad - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
SGL41-20/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-20/1 -
RFQ
 ECAD 7148 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Пефер DO-213AB, MELF SGL41 ШOTKIй GL41 (DO-213AB) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
1N1202B Solid State Inc. 1n1202b 1.9500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N1202b Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,2 - @ 30 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 12A -
FR304G Yangjie Technology FR304G 0,1030
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и коробка (TB) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-FR304GTB Ear99 1250
ES2BA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2BA M2G -
RFQ
 ECAD 2095 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA ES2B Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
CDBZ0130L-A1HF Comchip Technology CDBZ0130L-A1HF -
RFQ
 ECAD 5093 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 0201 (0603 МЕТРИКА) ШOTKIй 0201/DFN0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-CDBZ0130L-A1HFTR Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 800 мВ @ 100 мая 50 мк. 125 ° С 100 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть