Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]()  |                                                           1N4938TR | - | ![]()  |                              5750 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N4938 | Стандартный | ДО-35 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 30 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1 В @ 100 мА | 50 нс | 100 нА при 75 В | 175°С (макс.) | 500 мА | 5 пФ @ 0 В, 1 МГц | |||
| 1N5805 | - | ![]()  |                              9962 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | Сквозное отверстие | А, Осевой | Стандартный | А, Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 125 В | 875 мВ при 1 А | 25 нс | 1 мкА при 125 В | -65°С ~ 125°С | 1А | 25пФ @ 10В, 1МГц | ||||
![]()  |                                                           MSQ1PG-M3/H | 1,5600 | ![]()  |                              51 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | eSMP® | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | МикроСМП | MSQ1 | Стандартный | МикроСМП (ДО-219АД) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 4500 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 400 В | 1,2 В при 1 А | 650 нс | 1 мкА при 400 В | -55°С ~ 175°С | 1А | 4пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]()  |                                                           НРВТС560ЕМФСТ3Г | 0,5600 | ![]()  |                              9564 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 8-PowerTDFN, 5 выводов | НРВТС560 | Шоттки | 5-ДФН (5х6) (8-СОФЛ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 610 мВ при 5 А | 30 мкА при 60 В | -55°С ~ 175°С | 5А | - | |||
![]()  |                                                           ВС-80АПС08-М3 | 7.9000 | ![]()  |                              204 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | 80APS08 | Стандартный | ТО-247АС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | ВС-80АПС08-М3ГИ | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 800 В | 1,17 В при 80 А | 100 мкА при 800 В | -40°С ~ 150°С | 80А | - | ||
![]()  |                                                           GP15DHE3/54 | - | ![]()  |                              1848 г. | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ГП15 | Стандартный | ДО-204АС (ДО-15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 4000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200 В | 1,1 В при 1,5 А | 3,5 мкс | 5 мкА при 200 В | -65°С ~ 175°С | 1,5 А | - | ||
![]()  |                                                           US1KWF-HF | 0,0690 | ![]()  |                              8582 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-123Ф | US1K | Стандартный | СОД-123Ф | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 641-US1KWF-HFTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 800 В | 1,65 В @ 1 А | 75 нс | 5 мкА при 800 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 15пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]()  |                                                           SEG10FG-M3/И | 0,3900 | ![]()  |                              10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | Стандартный | ДО-219АБ (СМФ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 400 В | 1,1 В при 700 мА | 1,2 мкс | 5 мкА при 400 В | -55°С ~ 175°С | 1А | 7,3 пФ @ 4 В, 1 МГц | |||
![]()  |                                                           F1T6G А1Г | - | ![]()  |                              2079 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и коробка (ТБ) | Активный | Сквозное отверстие | Т-18, Осевой | F1T6 | Стандартный | ТС-1 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 800 В | 1,3 В при 1 А | 500 нс | 5 мкА при 800 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 15пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]()  |                                                           ВС-1Н1184 | 6.9600 | ![]()  |                              1517 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | Шасси, Крепление на шпильке | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1Н1184 | Стандартный | ДО-203АБ (ДО-5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 100 В | 1,7 В при 110 А | 10 при мА 100 В | -65°С ~ 190°С | 35А | - | |||
![]()  |                                                           DSF10TE-BT | 0,0600 | ![]()  |                              87 | 0,00000000 | онсеми | * | Масса | Активный | скачать | Поставщик не определен | REACH не касается | 2156-DSF10TE-BT-488 | 1 | |||||||||||||||||
![]()  |                                                           SFF502GHC0G | - | ![]()  |                              3614 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | SFF502 | Стандартный | ИТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 980 мВ при 2,5 А | 35 нс | 10 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | 5А | 70пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]()  |                                                           AZ23B12 | 0,0270 | ![]()  |                              300 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-AZ23B12TR | EAR99 | 3000 | ||||||||||||||||
![]()  |                                                           10BQ015 | 0,3900 | ![]()  |                              27 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | 10БК | Шоттки | СМБ (ДО-214АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 15 В | 350 мВ при 1 А | 1 при мА 15 В | -55°С ~ 125°С | 1А | 74пФ @ 5В, 1МГц | |||
![]()  |                                                           1N3643 | 15.8400 | ![]()  |                              7582 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | С, Осевой | 1N3643 | Стандартный | С, Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1000 В | 5 В при 250 мА | 100 мкА при 1000 В | -65°С ~ 175°С | 250 мА | - | |||
![]()  |                                                           70ХФР30 | 3,6600 | ![]()  |                              490 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Масса | Активный | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | Стандартный | ДО-5 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2383-70ХФР30 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 300 В | 1,3 В при 70 А | 200 мкА при 300 В | -65°С ~ 150°С | 70А | - | |||
![]()  |                                                           SS2030FL-AU_R1_000A1 | 0,4400 | ![]()  |                              5 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-123Ф | ВС2030 | Шоттки | СОД-123ФЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 В | 500 мВ при 2 А | 100 мкА при 30 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 100пФ @ 4В, 1МГц | |||
![]()  |                                                           ВС-СТПС1045БТРЛПБФ | - | ![]()  |                              1145 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | СТПС1045 | Шоттки | Д-ПАК (ТО-252АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 45 В | 570 мВ при 10 А | 200 мкА при 45 В | -40°С ~ 175°С | 10А | - | |||
![]()  |                                                           1N4448WS-E3-08 | 0,0342 | ![]()  |                              8200 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | 1N4448 | Стандартный | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 75 В | 720 мВ при 5 мА | 4 нс | 5 мкА при 75 В | -55°С ~ 150°С | 150 мА | - | ||
![]()  |                                                           УЭС1305Е3 | 30,5850 | ![]()  |                              2391 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | Б, Осевой | Стандартный | Б, Осевой | - | REACH не касается | 150-УЭС1305Е3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 300 В | 1,25 В при 3 А | 50 нс | 20 мкА при 300 В | -55°С ~ 150°С | 3А | - | ||||
![]()  |                                                           ВС-45АПФ06Л-М3 | - | ![]()  |                              2542 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | 45APF06 | Стандартный | ТО-247АД | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 112-ВС-45АПФ06Л-М3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,31 В при 45 А | 180 нс | 100 мкА при 600 В | -40°С ~ 150°С | 45А | - | |
| КМР1Ф-10М ТР13 ПБФРИ | 0,6000 | ![]()  |                              4 | 0,00000000 | Центральная полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | КМР1Ф-10 | Стандартный | СМА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1000 В | 1,3 В при 1 А | 500 нс | 5 мкА при 1000 В | -65°С ~ 150°С | 1А | 15пФ @ 4В, 1МГц | |||
![]()  |                                                           CDBB360-HF | 0,5000 | ![]()  |                              53 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | CDBB360 | Шоттки | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 700 мВ при 3 А | 500 мкА при 60 В | -50°С ~ 150°С | 3А | 250пФ @ 4В, 1МГц | |||
![]()  |                                                           Р4330ИЛ | 102.2400 | ![]()  |                              4774 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Крепление шпильки | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | Стандартный | ДО-205АА (ДО-8) | - | REACH не касается | 150-Р4330ИЛ | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 300 В | 1,1 В при 200 А | 50 мкА при 300 В | -65°С ~ 200°С | 150А | - | |||||
![]()  |                                                           HERAF803G C0G | - | ![]()  |                              9934 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-2 Полный пакет | ГЕРАФ803 | Стандартный | ИТО-220АС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1 В @ 8 А | 50 нс | 10 мкА при 200 В | -55°С ~ 150°С | 8А | 80пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]()  |                                                           JANTX1N3646 | 19.0050 | ![]()  |                              8216 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/279 | Масса | Активный | Сквозное отверстие | С, Осевой | 1N3646 | Стандартный | С, Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1750 В | 5 В при 250 мА | 5 мкА при 1750 В | -65°С ~ 175°С | 250 мА | - | |||
![]()  |                                                           ВС-50WQ06FNTRHM3 | 0,9913 | ![]()  |                              8157 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 50WQ06 | Шоттки | Д-ПАК (ТО-252АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | ВС50ВК06ФНТРХМ3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2000 г. | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 570 мВ при 5 А | 3 при мА 60 В | -40°С ~ 150°С | 5,5 А | 360пФ @ 5В, 1МГц | ||
![]()  |                                                           1Н456А | 0,1500 | ![]()  |                              233 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Стандартный | ДО-35 | скачать | не соответствует RoHS | 2368-1Н456А | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 30 В | 1 В @ 100 мА | 25 нА при 25 В | 175°С (макс.) | 500 мА | - | |||||
![]()  |                                                           ВС-С1282 | - | ![]()  |                              8644 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Последняя покупка | S1282 | - | 112-ВС-С1282 | 1 | ||||||||||||||||||
![]()  |                                                           1N3613/ТР | 5.2800 | ![]()  |                              3552 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | А, Осевой | Стандартный | А, Осевой | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-1Н3613/ТР | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 1,1 В при 1 А | 1 мкА при 600 В | -65°С ~ 175°С | 1А | - | 

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)