Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SF43G | - | ![]() | 5568 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-201АД, Осевой | Стандартный | ДО-201АД | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1801-SF43GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 В | 1 В @ 4 А | 35 нс | 5 мкА при 150 В | -55°С ~ 150°С | 4А | 100пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]() | ИДДД04G65C6XTMA1 | 2.5300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | CoolSiC™+ | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | Модуль 10-PowerSOP | ИДДД04 | SiC (карбид кремния) Шоттки | PG-HDSOP-10-1 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1700 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 14 мкА при 420 В | -55°С ~ 175°С | 13А | 205пФ @ 1В, 1МГц | |||
![]() | ЯН1Н5807УРС | 17.4750 | ![]() | 4098 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/477 | Масса | Активный | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 1N5807 | Стандартный | Б, SQ-MELF | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 875 мВ при 4 А | 30 нс | 5 мкА при 50 В | -65°С ~ 175°С | 3А | 60пФ @ 10В, 1МГц | ||
![]() | БАС316Q | 0,0180 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-BAS316QTR | EAR99 | 3000 | ||||||||||||||||
![]() | HER107G | 0,0981 | ![]() | 4452 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | HER107 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 800 В | 1,7 В @ 1 А | 75 нс | 5 мкА при 800 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 10пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]() | 1N6702 | 23.6550 | ![]() | 8761 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | Осевой | Шоттки | Осевой | - | REACH не касается | 150-1Н6702 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 470 мВ при 5 А | 200 мкА при 40 В | -65°С ~ 125°С | 5А | - | |||||
![]() | ES2BALH | 0,1491 | ![]() | 5284 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | DO-221AC, плоские выводы SMA | Стандартный | Тонкая СМА | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-ES2BALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 950 мВ при 2 А | 35 нс | 1 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 28пФ @ 4В, 1МГц | |||
![]() | SD103CWSHE3-TP | 0,3800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | SD103 | Шоттки | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 353-SD103CWSHE3-TPTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 В | 600 мВ при 200 мА | 10 нс | 5 мкА при 10 В | -55°С ~ 125°С | 350 мА | 50пФ @ 0В, 1МГц | |
![]() | MSASC100H30HX/ТР | - | ![]() | 5437 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | * | Лента и катушка (TR) | Активный | - | REACH не касается | 150-MSASC100H30HX/ТР | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | МУР2020Р | - | ![]() | 6934 | 0,00000000 | онсеми | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Трубка | Устаревший | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | 20 МАР | Стандартный | ТО-220-2 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1,1 В при 20 А | 95 нс | 50 мкА при 200 В | -65°С ~ 175°С | 20А | - | ||
![]() | FR1A_R1_00001 | 0,0486 | ![]() | 5032 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | ФР1А | Стандартный | СМБ (ДО-214АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 60 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 1,3 В @ 1 А | 150 нс | 1 мкА при 50 В | -50°С ~ 150°С | 1А | 12пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]() | РГП30Д | 0,7000 | ![]() | 120 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | РГП30 | Сумка | Активный | Сквозное отверстие | ДО-201АД, Осевой | Стандартный | ДО-201АД | скачать | не соответствует RoHS | 2368-РГП30Д | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1,3 В при 3 А | 150 нс | 5 мкА при 200 В | - | 3А | 60пФ @ 4В, 1МГц | ||||
![]() | СМС560-3G | 0.2011 | ![]() | 7478 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | Шоттки | МЭЛФ ДО-213АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2796-СМС560-3ГТР | 8541.10.0000 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 550 мВ при 5 А | 80 мкА при 60 В | -50°С ~ 150°С | 5А | - | |||||
![]() | GC9704-00 | - | ![]() | 4764 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | Поверхностный монтаж | Править | Шоттки | Чип | - | REACH не касается | 150-GC9704-00 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 5 В | 600 мВ при 1 мА | 100 нА при 1 В | -55°С ~ 150°С | 10 мА | 0,8 пФ @ 0 В, 1 МГц | |||||
![]() | S8JC R6 | - | ![]() | 3384 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | Стандартный | ДО-214АБ (СМЦ) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1801-S8JCR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 985 мВ при 8 А | 10 мкА при 600 В | -55°С ~ 150°С | 8А | 48пФ @ 4В, 1МГц | |||
![]() | МУРС1560Л-БП | 0,5597 | ![]() | 8688 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | МУРС1560 | Стандартный | ТО-220АС | скачать | 353-МУРС1560Л-БП | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,5 В @ 15 А | 75 нс | 10 мкА при 600 В | -55°С ~ 175°С | 15А | 95пФ @ 4В, 1МГц | ||||
| СТТХ2006В | - | ![]() | 4442 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Трубка | Устаревший | Сквозное отверстие | DO-247-2 (прямые выводы) | СТТХ2 | Стандартный | ДО-247 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,75 В при 20 А | 70 нс | 25 мкА при 600 В | 175°С (макс.) | 20А | - | |||
![]() | 10А03-ТП | 0,2565 | ![]() | 2465 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Не для новых дизайнов | Сквозное отверстие | Р-6, Осевой | 10А03 | Стандартный | Р-6 | скачать | 353-10А03-ТП | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200 В | 1 В при 10 А | 10 мкА при 200 В | -55°С ~ 150°С | 10А | 150пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | СС38 | 0,0670 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-СС38ТР | EAR99 | 3000 | ||||||||||||||||
![]() | CMG06A,LQ(М | - | ![]() | 9033 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Коробка | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-128 | Стандартный | М-ПЛОСКАЯ (2,4х3,8) | скачать | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 1,1 В @ 1 А | 5 мкА при 600 В | 150°С | 1А | - | |||||||
![]() | GS3BQ | 0,1140 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-GS3BQTR | EAR99 | 3000 | ||||||||||||||||
![]() | SK56C R6 | - | ![]() | 5289 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | Шоттки | ДО-214АБ (СМЦ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1801-SK56CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 750 мВ при 5 А | 500 мкА при 60 В | -55°С ~ 150°С | 5А | - | |||
![]() | БАС116GWX | 0,2600 | ![]() | 5187 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-123 | БАС116 | Стандартный | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 75 В | 1,25 В при 150 мА | 3 мкс | 5 нА при 75 В | 150°С (макс.) | 215 мА | 2пФ при 0 В, 1 МГц | ||
![]() | ГБ01SLT12-252 | 1,3500 | ![]() | 5379 | 0,00000000 | GeneSiC Полупроводник | Карбид кремния Шоттки MPS™ | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ГБ01SLT12 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-252 | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 2500 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 1,8 В при 1 А | 0 нс | 2 мкА при 1200 В | -55°С ~ 175°С | 1А | 69пФ @ 1В, 1МГц | ||
![]() | РУРД620 | 0,7100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Стандартный | И-ПАК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1 В @ 6 А | 30 нс | 100 мкА при 200 В | -65°С ~ 175°С | 6А | - | |||
| MSC030SDA120BCT | 20.3400 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | MSC030 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-247-3 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 150-MSC030SDA120BCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 1,8 В при 30 А | 0 нс | 200 мкА при 1200 В | -55°С ~ 175°С | 65А | 141пФ при 400В, 1МГц | |||
![]() | MB36_R1_00001 | 0,4500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | МБ36 | Шоттки | СМК (ДО-214АБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 740 мВ при 3 А | 50 мкА при 60 В | -65°С ~ 175°С | 3А | 140пФ @ 4В, 1МГц | |||
![]() | S8B | 0,2813 | ![]() | 2125 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | Стандартный | СМК (ДО-214АБ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2796-С8БТР | 8541.10.0000 | 3000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 100 В | 980 мВ при 8 А | 1,5 мкс | 10 мкА при 100 В | -50°С ~ 150°С | 8А | - | |||
![]() | B0530WS | 0,0240 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | Шоттки | СОД-323 | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-B0530WSTR | EAR99 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 В | 550 мВ при 500 мА | 300 мкА при 30 В | -55°С ~ 125°С | 500 мА | 30пФ @ 4В, 1МГц | |||||
| MSC030SDA120B | 10.7000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-247-2 | MSC030 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-247 | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 1,5 В при 30 А | 0 нс | - | 30А | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)