Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MA2S78400L | - | ![]() | 5729 | 0,00000000 | Электронные компоненты Panasonic | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | СК-79, СОД-523 | МА2С784 | Шоттки | ССМини2-Ф1 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 30 В | 550 мВ при 100 мА | 2 нс | 15 мкА при 30 В | 125°С (макс.) | 100 мА | 20пФ @ 0В, 1МГц | ||||
![]() | НТЕ116-10 | 5.5800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Стандартный | ДО-41 | скачать | не соответствует RoHS | 2368-НТЭ116-10 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 1,1 В @ 1 А | 10 мкА при 600 В | -65°С ~ 175°С | 1А | - | |||||
![]() | SIDC03D60F6X1SA2 | - | ![]() | 8437 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | Поверхностный монтаж | Править | СИДК03 | Стандартный | Распил на фольгу | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,6 В при 6 А | 27 мкА при 600 В | -40°С ~ 150°С | 6А | - | |||
![]() | РБР2Л60АДДТЕ25 | 0,4400 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | РБР2Л60 | Шоттки | ПМДС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 650 мВ при 2 А | 75 мкА при 60 В | 150°С | 2А | - | |||
| СС23Л КОВЕР | - | ![]() | 9788 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | ВС23 | Шоттки | Суб-SMA | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1800 г. | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 В | 500 мВ при 2 А | 400 мкА при 30 В | -55°С ~ 150°С | 2А | - | ||||
![]() | G5S12010C | - | ![]() | 3634 | 0,00000000 | Компания Global Power Technology Co. Ltd. | - | Масса | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-252 | - | Поставщик не определен | 4436-G5S12010C | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 1,7 В при 10 А | 0 нс | 50 мкА при 1200 В | -55°С ~ 175°С | 34,2А | 825пФ при 0 В, 1 МГц | ||||||
![]() | LLSD101C-TP | - | ![]() | 9893 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | LLSD101 | Шоттки | Мини МЕЛФ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 2500 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 40 В | 900 мВ при 15 мА | 1 нс | 200 нА при 30 В | -55°С ~ 150°С | 15 мА | - | ||
| DSB5712/ТР | - | ![]() | 9531 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Шоттки, Обратная полярность | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-DSB5712/ТР | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 20 В | 1 В @ 35 мА | 150 мкА при 16 В | -65°С ~ 150°С | 75 мА | 2пФ при 0 В, 1 МГц | ||||||
![]() | ВС-25ETS08STRRPBF | - | ![]() | 1514 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 25ETS08 | Стандартный | ТО-263АБ (Д²ПАК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | ВС25ЕТС08СТРРПБФ | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 800 В | 1,14 В при 25 А | 100 мкА при 800 В | -40°С ~ 150°С | 25А | - | ||
![]() | ТВР10Г-Е3/73 | - | ![]() | 2878 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и коробка (ТБ) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ТВР10 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400 В | 300 нс | -65°С ~ 175°С | 1А | - | ||||
![]() | ПМЭГ050Т150ЭПДЗ | 0,9900 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-277, 3-PowerDFN | ПМЭГ050 | Шоттки | CFP15 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 550 мВ при 15 А | 60 нс | 100 мкА при 50 В | 175°С (макс.) | 15А | 800пФ @ 10В, 1МГц | ||
![]() | SF35G-BP | 0,1454 | ![]() | 1687 г. | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | ДО-201АД, Осевой | SF35 | Стандартный | ДО-201АД | скачать | 353-СФ35Г-БП | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 300 В | 1,27 В при 3 А | 35 нс | 5 мкА при 300 В | -65°С ~ 150°С | 3А | 30пФ @ 4В, 1МГц | ||||
![]() | S1M-AQ-CT | 0,1972 | ![]() | 8826 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Полоска | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | С1М | Стандартный | ДО-214АС (СМА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 2721-S1M-AQ-CT | 8541.10.0000 | 30 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1,5 мкс | 5 мкА при 1 В | -50°С ~ 150°С | 1А | - | ||
![]() | М1104НК450 | - | ![]() | 8411 | 0,00000000 | ИКСИС | * | Коробка | Активный | М1104 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 238-М1104НК450 | 12 | |||||||||||||||
![]() | MSASC75H60F/ТР | - | ![]() | 9384 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | * | Лента и катушка (TR) | Активный | - | REACH не касается | 150-MSASC75H60F/ТР | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | Р7014003XXUA | - | ![]() | 4969 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Масса | Активный | Шасси, Крепление на шпильке | ДО-200АА, А-ПУК | Р7014003 | Стандартная, обратная полярность | ДО-200АА, Р62 | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 4000 В | 2,15 В при 1500 А | 9 мкс | 50 при мА 4000 В | -65°С ~ 200°С | 300А | - | |||
![]() | CSFA105-G | 0,4300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | CSFA105 | Стандартный | ДО-214АС (СМА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,5 В при 1 А | 35 нс | 5 мкА при 600 В | -55°С ~ 150°С | 1А | - | ||
![]() | G3S12002A | 3,8200 | ![]() | 3116 | 0,00000000 | Глобальная энергетическая технология-GPT | - | Разрезанная лента (CT) | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-220АС | скачать | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 1,7 В при 2 А | 0 нс | 50 мкА при 1200 В | -55°С ~ 175°С | 7А | 136пФ при 0 В, 1 МГц | ||||
![]() | HER102BULK | 0,2100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. | - | Сумка | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Стандартный | ДО-41 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2439-HER102ОБЫЧНЫЙ | 8541.10.0000 | 500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 1,1 В @ 1 А | 50 нс | 5 мкА при 100 В | -65°С ~ 150°С | 1А | 50пФ @ 4В, 1МГц | ||||
![]() | US3BC-HF | 0,1471 | ![]() | 8720 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | US3B | Стандартный | ДО-214АБ (СМК) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 641-US3BC-HFTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 1 В при 3 А | 50 нс | 5 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | 3А | - | ||
![]() | РБ521С-30G9JTE61 | - | ![]() | 5761 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | РБ521 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 846-RB521S-30G9JTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | ||||||||||||||
![]() | CD214B-R2400 | - | ![]() | 9256 | 0,00000000 | Борнс Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | CD214B | Стандартный | СМБ (ДО-214АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400 В | 1 В @ 1 А | 5 мкА при 400 В | -65°С ~ 175°С | 2А | 25пФ @ 4В, 1МГц | |||
![]() | СТПС5Л60РЛ | - | ![]() | 5098 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-201АД, Осевой | СТПС5 | Шоттки | ДО-201АД | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1900 г. | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 520 мВ при 5 А | 220 мкА при 60 В | 150°С (макс.) | 5А | - | |||
![]() | С3Д М6Г | - | ![]() | 2105 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | С3Д | Стандартный | ДО-214АБ (СМК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200 В | 1,15 В при 3 А | 1,5 мкс | 5 мкА при 200 В | -55°С ~ 150°С | 3А | 30пФ @ 4В, 1МГц | ||
![]() | CUR802-Г | - | ![]() | 3048 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Масса | Устаревший | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | CUR80 | Стандартный | ТО-220АС | - | Соответствует ROHS3 | 641-CUR802-G | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 1 В @ 8 А | 60 нс | 10 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | 8А | 40пФ @ 4В, 1МГц | |||
![]() | JANTXV1N4454UR-1/TR | 3,8038 | ![]() | 6421 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/144 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | Стандартный | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N4454UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 1 В при 10 мА | 4 нс | 100 нА при 50 В | -55°С ~ 175°С | 200 мА | - | |||
![]() | BAS170WS-G3-18 | 0,4100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | БАС170 | Шоттки | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 70 В | 1 В при 15 мА | 10 мкА при 70 В | -55°С ~ 125°С | 70 мА | 2пФ при 0 В, 1 МГц | |||
![]() | BY228TR | 1.1300 | ![]() | 725 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | СОД-64, Осевой | BY228 | лавина | СОД-64 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 2500 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1500 В | 1,5 В @ 5 А | 20 мкс | 5 мкА при 1500 В | 140°С (макс.) | 3А | - | ||
| JANTXV1N6622U | 18.1050 | ![]() | 7058 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | Военный, MIL-PRF-19500/585 | Масса | Активный | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, А | 1N6622 | Стандартный | Д-5А | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,4 В при 1,2 А | 30 нс | 500 нА при 600 В | -65°С ~ 150°С | 1,2А | - | |||
![]() | JANS1N6642UB2/ТР | 80.3400 | ![]() | 1678 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/578 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 2-СМД, без свинца | Стандартный | УБ2 | - | 150-ЯНС1Н6642УБ2/ТР | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 75 В | 1,2 В при 100 мА | 5 нс | 500 нА при 75 В | -65°С ~ 175°С | 300 мА | 5 пФ @ 0 В, 1 МГц |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)