Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 125NQ015 | - | ![]() | 7437 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | Крепление на шасси | Д-67 ПОЛУПАК | 125NQ015 | Шоттки | Д-67 ПОЛУПАК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 15 В | 390 мВ при 120 А | 40 при мА 15 В | 120А | 7700пФ @ 5В, 1МГц | ||||||
![]() | 1N4006GHA0G | - | ![]() | 6304 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и коробка (ТБ) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4006 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 800 В | 1 В @ 1 А | 5 мкА при 800 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 10пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | МУРС140Т3Х | - | ![]() | 3663 | 0,00000000 | онсеми | - | Поднос | Устаревший | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | МУРС14 | Стандартный | СМБ | - | Соответствует ROHS3 | Поставщик не определен | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400 В | 1,25 В @ 1 А | 75 нс | 5 мкА при 400 В | -65°С ~ 175°С | 2А | - | ||||
![]() | DFLS240LQ-7 | 0,6600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | Пауэрди®123 | ДФЛС240 | Шоттки | PowerDI™ 123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 650 мВ при 3 А | 50 мкА при 20 В | -55°С ~ 125°С | 2А | 90пФ @ 10В, 1МГц | |||||
![]() | SS34-3HE3_A/I | - | ![]() | 2837 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | СС34 | Шоттки | ДО-214АБ (СМК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 500 мВ при 3 А | 500 мкА при 40 В | -55°С ~ 150°С | 3А | - | |||||
![]() | FEPB6BTHE3/81 | - | ![]() | 6504 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ФЕПБ6 | Стандартный | ТО-263АБ (Д²ПАК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 100 В | 6А | 975 мВ при 3 А | 35 нс | 5 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | ||||
![]() | БАС40-04ЛТ1Г | 0,2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | БАС40 | Шоттки | СОТ-23-3 (ТО-236) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 1 пара последовательного подключения | 40 В | 120 мА (постоянный ток) | 1 В @ 40 мА | 1 мкА при 25 В | -55°С ~ 150°С | |||||
![]() | SE20PBHM3/84A | 0,1048 | ![]() | 2336 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-220АА | SE20 | Стандартный | ДО-220АА (СМП) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 100 В | 1,05 В при 2 А | 1,2 мкс | 5 мкА при 100 В | -55°С ~ 175°С | 1,6А | 13пФ @ 4В, 1МГц | ||||
![]() | ВС-МБР1545КТ-1-М3 | 0,6773 | ![]() | 4924 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA | МБР1545 | Шоттки | ТО-262-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 45 В | 7,5 А | 570 мВ при 7,5 А | 100 мкА при 45 В | -65°С ~ 150°С | |||||
![]() | MURD620CTTR | - | ![]() | 1818 г. | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | МУРД620 | Стандартный | Д-ПАК (ТО-252АА) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 2000 г. | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 200 В | 3А | 1,2 В @ 3 А | 35 нс | 5 мкА при 200 В | -65°С ~ 175°С | ||||
![]() | Р7221606АСОО | - | ![]() | 6834 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Масса | Активный | Зажим на | ДО-200АБ, Б-ПУК | Р7221606 | Стандартный | ДО-200АБ, Б-ПУК | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1600 В | 2,05 В при 1500 А | 2 мкс | 50 при мА 1600 В | 650А | - | ||||||
![]() | VS-MBRB2080CTTRRP | - | ![]() | 5657 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | МБРБ20 | Шоттки | ТО-263АБ (Д²ПАК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | ВСМБРБ2080CTTRRP | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 80 В | 10А | 800 мВ при 10 А | 100 мкА при 80 В | -65°С ~ 150°С | ||||
![]() | 1N5819H | 0,0727 | ![]() | 7954 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N5819 | Шоттки | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 600 мВ при 1 А | 1 при мА 40 В | -55°С ~ 125°С | 1А | 55пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | JANTXV1N6080 | 41.3850 | ![]() | 6023 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/503 | Масса | Активный | Сквозное отверстие | Г, Осевой | Стандартный | Г, Осевой | - | REACH не касается | 150-JANTXV1N6080 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 1,5 В при 37,7 А | 30 нс | 10 мкА при 100 В | -65°С ~ 155°С | 2А | - | ||||||
| БАТ54А-Г3-18 | 0,0501 | ![]() | 9930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | БАТ54 | Шоттки | СОТ-23-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 1 пара общего анода | 30 В | 200 мА (постоянный ток) | 800 мВ при 100 мА | 5 нс | 2 мкА при 25 В | 125°С (макс.) | |||||
![]() | Р6221230ПСОО | - | ![]() | 8033 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Масса | Активный | Зажим на | ДО-200АА, А-ПУК | Р6221230 | Стандартный | ДО-200АА, Р62 | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1200 В | 2,75 В при 800 А | 500 нс | 50 при мА 1200 В | 300А | - | ||||||
![]() | ИРКД91/16А | - | ![]() | 5104 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | Крепление на шасси | АДД-А-ПАК (3) | IRKD91 | Стандартный | АДД-А-ПАК® | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1 пара последовательного подключения | 1600 В | 100А | 10 при мА 1600 В | |||||||
![]() | С3ГХ | 0,1561 | ![]() | 4429 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | Стандартный | ДО-214АБ (СМК) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 400 В | 1,15 В @ 3 А | 1,5 мкс | 10 мкА при 400 В | -55°С ~ 150°С | 3А | 60пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | MD18180S-BM2MM | - | ![]() | 9640 | 0,00000000 | Литтелфус Инк. | - | Масса | Устаревший | Крепление на шасси | Модуль С-3 | Стандартный | S3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1 пара последовательного подключения | 1800 В | 180А | 1,5 В при 600 А | 500 мкА при 1800 В | ||||||||
![]() | ГПАС1007 МНГ | - | ![]() | 6203 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ГПАС1007 | Стандартный | ТО-263АБ (Д²ПАК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1000 В | 1,1 В при 10 А | 5 мкА при 1000 В | -55°С ~ 150°С | 10А | 50пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | Б120-13 | - | ![]() | 8864 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | Б120 | Шоттки | СМА | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 В | 500 мВ при 1 А | 500 мкА при 20 В | -65°С ~ 150°С | 1А | 110пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | ИРКЕ166/08 | - | ![]() | 2915 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | Крепление на шасси | ИНТ-А-ПАК (2) | IRKE166 | Стандартный | Модуль | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 800 В | 20 при мА 800 В | 165А | - | |||||||
![]() | 1N4001E-E3/54 | 0,4800 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4001 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5500 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 В | 1,1 В @ 1 А | 5 мкА при 50 В | -50°С ~ 150°С | 1А | 15пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | BAW56TT1G | 0,1700 | ![]() | 31 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | БАБ56 | Стандартный | СК-75, СОТ-416 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 1 пара общего анода | 70 В | 200 мА (постоянный ток) | 1,25 В при 150 мА | 6 нс | 2,5 мкА при 70 В | -55°С ~ 150°С | ||||
![]() | 1Н1183АР | 6.3770 | ![]() | 4662 | 0,00000000 | GeneSiC Полупроводник | - | Масса | Активный | Шасси, Крепление на шпильке | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1Н1183АР | Стандартная, обратная полярность | ДО-5 | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | 1N1183ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 В | 1,1 В при 40 А | 10 мкА при 50 В | -65°С ~ 200°С | 40А | - | |||||
![]() | СС8П5С-М3/87А | 0,2737 | ![]() | 6490 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | eSMP® | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-277, 3-PowerDFN | СС8П5 | Шоттки | ТО-277А (СМПК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 6500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 50 В | 4А | 700 мВ при 4 А | 50 мкА при 50 В | -55°С ~ 150°С | |||||
![]() | СТПС1150AY | 0,7300 | ![]() | 20 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | Q Автомобильная промышленность | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | СТПС1150 | Шоттки | СМА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 В | 820 мВ при 1 А | 1 мкА при 150 В | 175°С (макс.) | 1А | - | |||||
| РСФИЛ РТГ | - | ![]() | 9483 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | РСФИЛ | Стандартный | Суб-SMA | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 7500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,3 В @ 500 мА | 250 нс | 5 мкА при 600 В | -55°С ~ 150°С | 500 мА | 4пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | РС07К-GS08 | 0,4800 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | RS07 | Стандартный | ДО-219АБ (СМФ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 800 В | 1,3 В @ 1 А | 300 нс | 2 мкА при 800 В | -55°С ~ 150°С | 500 мА | 4пФ @ 4В, 1МГц | ||||
![]() | 1N5400ОБЪЕМНЫЙ | 0,1800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. | - | Сумка | Активный | Сквозное отверстие | ДО-201АД, Осевой | Стандартный | ДО-201АД | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2439-1Н5400ОБЪЕМНЫЙ | 8541.10.0000 | 500 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 50 В | 950 мВ при 3 А | 5 мкА при 50 В | -65°С ~ 175°С | 3А | 28пФ @ 4В, 1МГц |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)