SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
CDBZC0140L-HF Comchip Technology CDBZC0140L-HF 0,2800
RFQ
 ECAD 6152 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 0201 (0603 МЕТРИКА) CDBZC0140 ШOTKIй 0201/DFN0603 - 1 (neograniчennnый) 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 800 мВ @ 100 мая 20 мка 40, -40 ° C ~ 125 ° C. 100 май 4pf @ 1V, 1 мгест
WNSC101200WQ WeEn Semiconductors WNSC101200WQ 5.4441
RFQ
 ECAD 8880 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Прохл Чereз dыru ДО-247-2 WNSC1 Sic (kremniewый karbid) ДО-247-2 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 600 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,6 В @ 10 a 0 м 110 мк -прри 1200 175 ° C (MMAKS) 10 часов 510pf @ 1V, 1 мгест
S07B-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07B-M-18 0,1016
RFQ
 ECAD 7594 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S07 Станода DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 700 май 4pf @ 4V, 1 мгест
V10K60CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10K60CHM3/H. 0,3703
RFQ
 ECAD 2671 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА DOSTISH 112-V10K60CHM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 4.6a 590 мВ @ 5 a 900 мкр. -40 ° С ~ 150 ° С.
FEP16DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16DTHE3/45 -
RFQ
 ECAD 5549 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо Чereз dыru 220-3 FEP16 Станода 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 16A 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
RS2BH Taiwan Semiconductor Corporation RS2BH 0,0984
RFQ
 ECAD 1596 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS2BHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
LSIC2SD120E20CCA Littelfuse Inc. LSIC2SD120E20CCA -
RFQ
 ECAD 9500 0,00000000 Littelfuse Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 Sic (kremniewый karbid) 247 СКАХАТА 18-LSIC2SD120E20CCA Ear99 8541.10.0080 450 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 32a (DC) 1,8 В @ 10 a 0 м 100 мк @ 1200 -55 ° C ~ 175 ° C.
SBT3045C Microchip Technology SBT3045C 62,1000
RFQ
 ECAD 2280 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru TO-204AA, TO-3 SBT3045 ШOTKIй До 204AA (TO-3) - DOSTISH 150-SBT3045C Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 30A 700 мВ @ 30 a 1,5 мая @ 45 -65 ° C ~ 175 ° C.
LL4148-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4148-7 -
RFQ
 ECAD 2003 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL4148 Станода SOD-80 Минимум - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LL4148-7GI Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 50 май 8 млн 5 мка прри 75 175 ° C (MMAKS) 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
VI30100CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100CHM3/4W -
RFQ
 ECAD 3498 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TMBS® Трубка Управо Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA VI30100 ШOTKIй ДО-262AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 15A 800 м. @ 15 A 500 мк -пки 100 -40 ° С ~ 150 ° С.
SPV1001T40 STMicroelectronics SPV1001T40 -
RFQ
 ECAD 6839 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 SPV1001 Станода ДО-220 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 - 40 920 мВ @ 8 a 1 мка 40, -45 ° C ~ 175 ° C. 16A -
BYP25K05 Diotec Semiconductor Byp25K05 1.0184
RFQ
 ECAD 7735 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BYP25K05TR 8541.10.0000 300 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 100 мк -прри 50 -50 ° C ~ 215 ° C. 25 а -
NXPS20H100CX,127 WeEn Semiconductors NXPS20H100CX, 127 -
RFQ
 ECAD 6734 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка NXPS20 ШOTKIй DO-220F СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 770 мВ @ 10 a 4,5 мая 100 175 ° C (MMAKS)
1N1345C Microchip Technology 1n1345c 45 3600
RFQ
 ECAD 5802 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став 1n1345 Станода DO-4 (DO-203AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1,3 В @ 30 a 10 мк @ 300 -65 ° C ~ 200 ° C. 16A -
VS-65EPS16L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65EPS16L-M3 4.3800
RFQ
 ECAD 4790 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 65EPS16 Станода DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,17 В @ 65 А 100 мк @ 1600 -40 ° С ~ 150 ° С. 65A -
MBRF20150 C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20150 C0 -
RFQ
 ECAD 7037 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Прохл MBRF20150 - 1801-MBRF20150C0 1
PKMBR845RL onsemi PKMBR845RL 1.0000
RFQ
 ECAD 4563 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 1
WNSC6D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC6D16650CW6Q 4.5600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 WNSC6 Sic (kremniewый karbid) 247-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,45 В @ 16 A 0 м 80 мка @ 650 175 ° С 16A 780pf @ 1V, 1 мгновение
1N248C Microchip Technology 1n248c 74 5200
RFQ
 ECAD 6609 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода Do-5 (do-203ab) СКАХАТА DOSTISH 150-1N248C Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,19 В @ 90 a 5 мкс 10 мк -прри 50 -65 ° C ~ 200 ° C. 20 часов -
SS210B-HF Comchip Technology SS210B-HF 0,0918
RFQ
 ECAD 9195 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS210 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 300 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A 110pf @ 4V, 1 мгновение
QRD3320004 Powerex Inc. QRD3320004 -
RFQ
 ECAD 8925 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Пркрэно ШASCI Модул Станода - - 835-QRD3320004 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 -й 3300 В. 260a 3 V @ 200 A 500 млн 5 май @ 3,3 k -50 ° C ~ 150 ° C.
VS-8EVH06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EVH06HM3/I. 0,9100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 8 В.06 Станода Слимдапак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,4 - @ 8 a 25 млн 20 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 8. -
IDP30E60XKSA1 Infineon Technologies IDP30E60XKSA1 1.2518
RFQ
 ECAD 3281 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Прохл Чereз dыru ДО-220-2 IDP30 Станода PG-TO220-2-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 30 A 126 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 52,3а -
FR1JAFC_R1_00001 Panjit International Inc. Fr1jafc_r1_00001 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds FR1J Станода SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-FR1JAFC_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 250 млн 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
FR2M-TP Micro Commercial Co FR2M-TP -
RFQ
 ECAD 6856 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB FR2M Станода DO-214AA, HSMB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 500 млн 5 мк -пр. 1000 -50 ° C ~ 150 ° C. 2A 40pf @ 4V, 1 мгест
B130BE-13 Diodes Incorporated B130be-13 -
RFQ
 ECAD 6886 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB B130 ШOTKIй МАЛИ СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
RF051VA1STR Rohm Semiconductor RF051VA1str 0,1020
RFQ
 ECAD 8320 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RF051 Станода Tumd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 980 мВ @ 500 мая 25 млн 10 мк -пки 100 150 ° C (MMAKS) 500 май -
G5S06502AT Global Power Technology Co. Ltd G5S06502AT -
RFQ
 ECAD 5626 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC - Продан 4436-G5S06502AT 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,5 - @ 2 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 9.6A 124pf @ 0v, 1 мгест
BYG20G R3G Taiwan Semiconductor Corporation BYG20G R3G 0,7100
RFQ
 ECAD 394 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Byg20 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 Е @ 1,5 А 75 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а -
BAT54J/ZL115 Nexperia USA Inc. BAT54J/ZL115 -
RFQ
 ECAD 2100 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен BAT54 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 3000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть