SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
1N1665 Solid State Inc. 1n1665 21.0000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud Станода DO-9 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N1665 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,3 В @ 300 А 75 мка 400 -65 ° C ~ 190 ° C. 275A -
BZT52B3V9Q Yangjie Technology BZT52B3V9Q 0,0280
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BZT52B3V9QTR Ear99 3000
UF2002-T Diodes Incorporated UF2002-T -
RFQ
 ECAD 9478 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 2 A 50 млн 5 мк -4 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
FFP30S60STU onsemi FFP30S60STU -
RFQ
 ECAD 5399 0,00000000 OnSemi Stealth ™ Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 FFP30S60 Станода ДО-220-2L СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,6 В @ 30 a 40 млн 100 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 30A -
SS13-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS13-E3/61T 0,4900
RFQ
 ECAD 817 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SS13 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 200 мка прри 30 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A -
USC1104 Semtech Corporation USC1104 -
RFQ
 ECAD 5755 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос Станода Оос СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,25 - @ 1 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2.1a 25pf @ 5V, 1 мгест
EGP30D-TP Micro Commercial Co EGP30D-TP -
RFQ
 ECAD 3535 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ae, Osevoй EGP30D Станода Do-201ae СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 3 a 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
GP10MHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10MHE3/54 -
RFQ
 ECAD 7429 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 1 a 3 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
VS-VSKC270-04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC270-04PBF 201.1700
RFQ
 ECAD 4081 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШASCI Int-A-Pak VSKC270 Станода Int-A-Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSVSKC27004PBF Ear99 8541.10.0080 2 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 -й 400 135а 50 май @ 400 -40 ° С ~ 150 ° С.
SDB13HS-AQ Diotec Semiconductor SDB13HS-AQ 0,0753
RFQ
 ECAD 8344 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-SDB13HS-AQTR 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 470 мВ @ 1 a 200 мка прри 30 -40 ° C ~ 125 ° C. 1A 30pf @ 10 v, 1 mmgц
CGRB307-HF Comchip Technology CGRB307-HF 0,1328
RFQ
 ECAD 3130 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB CGRB307 Станода SMB/DO-214AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-CGRB307-HFTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.15 V @ 3 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SB540E-G Comchip Technology SB540E-G 0,7500
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SB540 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 5A 500pf @ 4V, 1 мгновение
CDBA5200-G Comchip Technology CDBA5200-G 0,2025
RFQ
 ECAD 4565 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA CDBA5200 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 5 мая 500 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 5A 380pf @ 4V, 1 мгновение
1N4587R Solid State Inc. 1n4587r 15,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Ставень, обратно Дол СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N4587R Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 200 a 50 мк -4 100 -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
FFAF40U60DNTU onsemi Ffaf40u60dntu -
RFQ
 ECAD 6022 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack FFAF40 Станода To-3pf СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 360 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 40a 2.1 V @ 40 a 110 млн 20 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
RB751CS40,315 Nexperia USA Inc. RB751CS40,315 0,3000
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-882 RB751CS40 ШOTKIй DFN1006-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 30 V 150 ° C (MMAKS) 120 май 2pf @ 1V, 1 мгест
V20DL45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20dl45hm3_a/i 1.0800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ДО 263-3, ВАРИАНТ D²PAK (2 головы + вкладка) V20DL45 ШOTKIй TO-263AC (SMPD) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 640 мВ @ 20 a 2,5 мая @ 45 -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
BAV21W Yangjie Technology BAV21W 0,0170
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 BAV21 Станода SOD-123 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BAV21WTR Ear99 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,25 Е @ 100 мая 50 млн 100 na @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
PR1503S-A Diodes Incorporated PR1503S-A -
RFQ
 ECAD 5097 0,00000000 Дидж - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,2 Е @ 1,5 а 150 млн 5 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгест
RSFBLH Taiwan Semiconductor Corporation Rsfblh 0,1815
RFQ
 ECAD 6381 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RSFBLHTR Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
RHRD660S9A-S2515P onsemi RHRD660S9A-S2515P -
RFQ
 ECAD 8243 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Лавина 252AA - Rohs3 DOSTISH 488-RHRD660S9A-S2515PTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 6 a 35 м 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 6A -
JANS1N5811 Microchip Technology Jans1n5811 23.4750
RFQ
 ECAD 8777 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/477 МАССА Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 875 MV @ 4 A 30 млн -65 ° C ~ 175 ° C. 6A -
MBRA320T3G onsemi MBRA320T3G 0,6500
RFQ
 ECAD 7630 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA MBRA320 ШOTKIй СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 м. @ 3 a 2 мая @ 20 -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
ES2J_R1_00001 Panjit International Inc. ES2J_R1_00001 0,4800
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Es2j Станода SMA (DO-214AC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-ES2J_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 35 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
S2A Diodes Incorporated S2A -
RFQ
 ECAD 3943 0,00000000 Дидж - МАССА Управо Пефер DO-214AA, SMB Станода МАЛИ - DOSTISH 31-S2A Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,15 Е @ 1,5 А. 1,5 мкс 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгест
SB570-T Diodes Incorporated SB570-T -
RFQ
 ECAD 6070 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 70 800 м. @ 5 a 500 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 5A -
30CTQ200 Diotec Semiconductor 30CTQ200 1.1320
RFQ
 ECAD 6968 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 30ctq ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-30CTQ200 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 15A 860 мВ @ 15 A 50 мк. -50 ° C ~ 175 ° C.
RB238NS150FHTL Rohm Semiconductor RB238NS150FHTL 2.5700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RB238 ШOTKIй LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 40a 920 мВ @ 20 a 20,2 млн 30 мк -при 150 150 ° C (MMAKS)
RB068VWM-40TR Rohm Semiconductor RB068VWM-40TR 0,4800
RFQ
 ECAD 2305 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RB068 ШOTKIй PMDE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 790mw @ 2 a 500 NA @ 40 V 175 ° С 2A -
NTE120 NTE Electronics, Inc NTE120 1.2800
RFQ
 ECAD 939 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru 7-sip sformirovaliLILIDы Станода 7-sip СКАХАТА Rohs 2368-NTE120 Ear99 8541.10.0080 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 10 85 ° C (MMAKS) 65 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть