SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
V20120SGHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120SGHM3/4W -
RFQ
 ECAD 6615 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо Чereз dыru 220-3 V20120 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 120 1,33 В @ 20 a 250 мк -пр. 120 -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
SMLJ60S10-TP Micro Commercial Co SMLJ60S10-TP 0,9600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SMLJ60S10 Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 6 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 150pf @ 4V, 1 мгест
S1GALH Taiwan Semiconductor Corporation S1Galh 0,4000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds S1G Станода ТОНКИЯ СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
MA2Z72000L Panasonic Electronic Components MA2Z72000L -
RFQ
 ECAD 4268 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-90, SOD-323F MA2Z720 ШOTKIй Smini2-F1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. 5 млн 100 мк @ 35 125 ° C (MMAKS) 500 май 60pf @ 0v, 1 мгест
SS3P3LHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3LHM3/87A -
RFQ
 ECAD 8410 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 277, 3-Powerdfn SS3P3 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 470 мВ @ 3 a 250 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
HER103G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER103G R0G -
RFQ
 ECAD 3626 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй HER103 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SL310A SURGE SL310A 0,2500
RFQ
 ECAD 8762 0,00000000 Вес - Симка Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2616-SL310A 3A001 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 750 мВ @ 3 a 50 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 285pf @ 4V, 1 мгест
PMEG045V150EPDAZ Nexperia USA Inc. PMEG045V150EPDAZ 0,9900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 277, 3-Powerdfn PMEG045 ШOTKIй CFP15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 490 мВ @ 15 A 19 млн 900 мк -при 15 -65 ° C ~ 175 ° C. 15A 1870pf @ 1V, 1 мгновение
SF62G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF62G A0G -
RFQ
 ECAD 9553 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF62 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 975 MV @ 6 A 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 100pf @ 4V, 1 мгха
VS-S1059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1059 -
RFQ
 ECAD 8958 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл S1059 - 112-VS-S1059 1
RBK86025XX Powerex Inc. RBK86025XX -
RFQ
 ECAD 8437 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШASCI - RBK86025 Станода POW-R-DISC СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 6000 1,55 Е @ 3000 А 25 мкс 150 мая @ 6000 -40 ° С ~ 150 ° С. 3200A -
ES3D Yangjie Technology Es3d 0,0890
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-ES3DTR Ear99 3000
VS-12TQ035STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ035STRRPBF -
RFQ
 ECAD 9653 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 12TQ035 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 560 мВ @ 15 A 1,75 мая @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A 900pf @ 5V, 1 мгест
20F100 Solid State Inc. 20F100 1.8670
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-20F100 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 20 a 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
R4320D Microchip Technology R4320d 102.2400
RFQ
 ECAD 7525 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Станода DO-205AA (DO-8) - DOSTISH 150-R4320D Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
ED604CS_S2_00001 Panjit International Inc. ED604CS_S2_00001 0,8600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ED604CS Станода 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-ED604CS_S2_00001CT Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 400 6A 1.3 V @ 3 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С.
1N5281B (DO-35) Microsemi Corporation 1n5281b (do-35) -
RFQ
 ECAD 8739 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5281 DO-35 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 100 na @ 152
DCA200UA65 SanRex Corporation DCA200UA65 90.7100
RFQ
 ECAD 7643 0,00000000 САНРЕКСКОР - Поднос Актифен ШASCI Модул Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 4076-DCA200UA65 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 -й 650 200a 1,7 - @ 200 a 360 м 50 май @ 650 -40 ° С ~ 150 ° С.
1N1342RB Solid State Inc. 1n1342rb 1.9500
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Ставень, обратно До 4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N1342RB Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,3 В @ 30 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 200 ° C. 16A -
S1J-CT Diotec Semiconductor S1J-CT 0,2412
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1J Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-S1J-CT 8541.10.0000 30 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
SR2200 Yangjie Technology SR2200 0,0570
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и коробка (TB) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SR2200TB Ear99 3000
RGP10K-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10K-M3/73 -
RFQ
 ECAD 3773 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк -400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
JANTXV1N7043CAT1 Microchip Technology Jantxv1n7043cat1 218.3550
RFQ
 ECAD 8367 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/730 МАССА Актифен Чereз dыru 254-3, до 254AA 1N7043 ШOTKIй 254AA СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 35A 1,3 В @ 35 а 500 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С.
S1KW32C-4D Semtech Corporation S1KW32C-4D -
RFQ
 ECAD 5990 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно ШASCI Модул S1KW32 Станода - СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 -й 32000 1,5а 32 V @ 3 a 2 мкс 1 мая @ 32000 -55 ° C ~ 150 ° С.
MSS2P2HM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS2P2HM3/89A -
RFQ
 ECAD 5223 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Microsmp MSS2P2 ШOTKIй Microsmp (do-219AD) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 600 мВ @ 2 a 250 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 65pf @ 4V, 1 мгест
1N5394-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5394-E3/54 0,3700
RFQ
 ECAD 124 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5394 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1,4 Е @ 1,5 А 2 мкс 5 мка @ 300 -50 ° C ~ 150 ° C. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
RJS6004TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America Inc RJS6004TDPP-EJ#T2 -
RFQ
 ECAD 3260 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 ШOTKIй DO-220FP-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,8 В @ 10 a 15 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
1N4044R Powerex Inc. 1n4044r -
RFQ
 ECAD 2271 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 1N4044 Ставень, обратно DO-205AB (DO-9) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 1n4044rpx Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 15 май @ 50 -65 ° C ~ 190 ° C. 275A -
RS3MHR7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3MHR7G -
RFQ
 ECAD 3181 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1.3 V @ 3 a 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
UH2B-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2B-M3/5BT -
RFQ
 ECAD 6614 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB UH2 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,05 В @ 2 a 35 м 2 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 42pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть