SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
PX8244HDMG008XTMA1 Infineon Technologies PX8244HDMG008XTMA1 -
RFQ
 ECAD 6730 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо PX8244HD СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Управо 1
1N1348 Microchip Technology 1n1348 45 3600
RFQ
 ECAD 8384 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став 1n1348 Станода DO-4 (DO-203AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,3 В @ 30 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 16A -
VS-47CTQ020STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-47CTQ020STRLPBF -
RFQ
 ECAD 3431 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 47CTQ020 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 20 20 часов 450 м. @ 20 a 3 мая @ 20 В -55 ° C ~ 150 ° С.
MMBD3004A-7-F Diodes Incorporated MMBD3004A-7-F 0,2900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 Станода SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 225 май (DC) 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 240 v -65 ° С ~ 150 ° С.
VS-16CTQ060GSTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ060GSTRRP -
RFQ
 ECAD 3286 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 16CTQ060 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) VS16CTQ060GSTRRP Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 8. 880mw @ 16 a 280 мк -пр. 60 150 ° C (MMAKS)
GP10KHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10KHM3/73 -
RFQ
 ECAD 7990 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мк -400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
VS-SD823C20S20C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD823C20S20C 131.7283
RFQ
 ECAD 1971 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл Стало DO-200AA, A-Puk SD823 Станода B-43, хokkeйnый puk СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 12 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 2,2 @ 1500 А 3 мкс 50 май @ 2000 810a -
MBR560MFST1G onsemi MBR560MFST1G -
RFQ
 ECAD 9877 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 8-powertdfn, 5лидо MBR560 ШOTKIй 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 780 мВ @ 5 a 150 мкр. -55 ° C ~ 175 ° C. 5A -
DSEI2X31-12B IXYS DSEI2X31-12B 24.0200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен ШASCI SOT-227-4, Minibloc DSEI2X31 Станода SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DSEI2X3112B Ear99 8541.10.0080 10 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 1200 28А 2,55 - @ 30 a 60 млн 750 мк -при 1200 -40 ° С ~ 150 ° С.
FGP50BHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50BHE3/54 -
RFQ
 ECAD 7017 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй FGP50 Станода GP20 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 5 a 35 м 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A 100pf @ 4V, 1 мгха
TRS12E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65F, S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 TRS12E65 Sic (kremniewый karbid) ДО-220-2L - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 12 a 0 м 90 мк -пр. 650 175 ° C (MMAKS) 12A 65pf @ 650V, 1 мгновение
1SS400T5G onsemi 1SS400T5G 0,4800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 1SS400 Станода SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 na @ 80 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 3pf @ 0v, 1 мгц
S1A R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A R3G 0,4300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA S1A Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 50 В -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
1N5188/TR Microchip Technology 1n5188/tr 8.2800
RFQ
 ECAD 5564 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1N5188/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,5 - @ 9 a 250 млн 2 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SD103BWS-7-F Diodes Incorporated SD103BWS-7-F 0,3600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 SD103 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 600 мВ @ 200 10 млн 5 мка @ 20 -65 ° C ~ 125 ° C. 350 май 28pf @ 0V, 1 мгест
1N4948-AP Micro Commercial Co 1n4948-ap -
RFQ
 ECAD 4218 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4948 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
NSR0240V2T5G onsemi NSR0240V2T5G 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 NSR0240 ШOTKIй SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 700 мВ @ 200 3 млн 10 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 250 май 4pf @ 5V, 1 мгест
HER603-T Diodes Incorporated HER603-T -
RFQ
 ECAD 9690 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru R-6, osevoй HER603 Станода R-6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,2 - @ 6 a 60 млн 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 6A -
1N4003G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003G R0G -
RFQ
 ECAD 5419 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4003 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 1 A 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
STPST3H100AF STMicroelectronics STPST3H100AF 0,1497
RFQ
 ECAD 7626 0,00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 ШOTKIй SOD128flat СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 755 MV @ 3 A 5,7 мка 4 100 175 ° С 3A -
1N647UR-1/TR Microchip Technology 1N647UR-1/tr 3.6841
RFQ
 ECAD 2906 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA (Стекло) Станода DO-213AA - Rohs3 DOSTISH 150-1N647UR-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 400 мая 50 NA @ 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 400 май -
R6010625XXYA Powerex Inc. R6010625XXYA -
RFQ
 ECAD 2723 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud R6010625 Ставень, обратно DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 11 мкс 50 май @ 600 -65 ° C ~ 175 ° C. 250a -
MBRS25150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25150CT 0,9315
RFQ
 ECAD 3739 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS25150 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS25150CTTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 25 а 1,02 В @ 25 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
MBR20100CTF-G1 Diodes Incorporated MBR20100CTF-G1 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3- MBR20100 ШOTKIй TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH MBR20100CTF-G1DI Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 840 мВ @ 10 a 50 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C.
SBA0820AS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SBA0820AS-AU_R1_000A1 0,3400
RFQ
 ECAD 8047 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SBA0820 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-SBA0820AS-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 800 мая 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май -
SFF508G Taiwan Semiconductor Corporation SFF508G -
RFQ
 ECAD 2913 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF508 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 В @ 2,5 а 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
1N5402-AP Micro Commercial Co 1n5402-ap -
RFQ
 ECAD 4175 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5402 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1200 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 3 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
PE4BC Taiwan Semiconductor Corporation PE4BC 0,6500
RFQ
 ECAD 8171 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - 1 (neograniчennnый) 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 930 мВ @ 4 a 20 млн 2 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 72pf @ 4V, 1 мгха
V8PAM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8PAM10S-M3/I. 0,4100
RFQ
 ECAD 548 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221BC, выплаченная плоская головка SMA ШOTKIй DO-221BC (SMPA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 840mw @ 8 a 180 мк -пки 100 -40 ° C ~ 175 ° C. 2.8a 600pf @ 4V, 1 мгха
GS1006HE-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. GS1006HE-AU_R1_000A1 -
RFQ
 ECAD 1697 0,00000000 Panjit International Inc. Automotive, AEC-Q101, GS1000FL-AU Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOD-123H GS1006 Станода SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-GS1006HE-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть