Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение — вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAW56T-TP | 0,0481 | ![]() | 8306 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОТ-523 | БАБ56 | Стандартный | СОТ-523 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 1 пара общего анода | 85 В | 75 мА (постоянный ток) | 1 В при 50 мА | 4 нс | 2 мкА при 75 В | -55°С ~ 150°С | ||||
![]() | ВС-С1560 | - | ![]() | 5172 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | * | Трубка | Устаревший | S1560 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||
![]() | HSM880GE3/TR13 | 1,5600 | ![]() | 1392 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | HSM880 | Шоттки | ДО-215АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80 В | 780 мВ при 8 А | 500 мкА при 80 В | -55°С ~ 175°С | 8А | - | |||||
![]() | ЭС3Д-Е3/9АТ | 0,6300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | ES3 | Стандартный | ДО-214АБ (СМК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 900 мВ при 3 А | 30 нс | 10 мкА при 200 В | -55°С ~ 150°С | 3А | 45пФ @ 4В, 1МГц | ||||
![]() | PMEG6010EP-QX | 0,4400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-128 | Шоттки | СОД-128/CFP5 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 530 мВ при 1 А | 60 мкА при 60 В | 150°С | 1А | 120пФ @ 1В, 1МГц | ||||||
![]() | ДД100Н16ШПСА1 | 29.6800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | Крепление на шасси | Модуль | ДД100Н16 | Стандартный | Модуль | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | 1 пара последовательного подключения | 1600 В | 130А | |||||||||
![]() | US2JA | 0,3700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | US2J | Стандартный | ДО-214АС (СМА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 7500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,7 В при 1,5 А | 75 нс | 5 мкА при 600 В | -55°С ~ 150°С | 1,5 А | 30пФ @ 4В, 1МГц | ||||
![]() | ЛСМ150Г/ТР13 | 1,2900 | ![]() | 6646 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | ЛСМ150 | Шоттки | ДО-215АА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 580 мВ при 1 А | 1 при мА 50 В | -55°С ~ 150°С | 1А | - | |||||
| 1N8035-GA | - | ![]() | 8792 | 0,00000000 | GeneSiC Полупроводник | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-276АА | 1N8035 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-276 | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 1,5 В @ 15 А | 0 нс | 5 мкА при 650 В | -55°С ~ 250°С | 14,6А | 1107пФ @ 1В, 1МГц | ||||||
![]() | 16Ф180 | 1,6670 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Solid State Inc. | 16F | Масса | Активный | Крепление шпильки | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | ДО-4 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2383-16Ф180 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,2 В @ 16 А | -65°С ~ 150°С | |||||||||||
![]() | 1Н1345А | 45.3600 | ![]() | 2148 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Крепление шпильки | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | 1Н1345 | Стандартный | ДО-4 (ДО-203АА) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 300 В | 1,3 В при 30 А | 10 мкА при 300 В | -65°С ~ 200°С | 16А | - | |||||
![]() | МБР15100CT-BP | 0,2930 | ![]() | 6147 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Последняя покупка | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | МБР15100 | Шоттки | ТО-220АБ | скачать | 353-MBR15100CT-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 100 В | 15А | 100 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | ||||||||
![]() | СС2ФХ6-М3/И | 0,0870 | ![]() | 7942 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | СС2ФХ6 | Шоттки | ДО-219АБ (СМФ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 780 мВ при 2 А | 3 мкА при 60 В | -55°С ~ 175°С | 2А | 90пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | AP01CV0 | - | ![]() | 9077 | 0,00000000 | Санкен | - | Лента и коробка (ТБ) | Активный | Сквозное отверстие | Осевой | AP01 | Стандартный | - | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | AP01CV0 ДК | EAR99 | 8541.10.0070 | 1000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 1000 В | 4 В при 200 мА | 200 нс | 100 мкА при 1000 В | -40°С ~ 150°С | 200 мА | - | ||||
![]() | PMEG2020EJ-QX | 0,1170 | ![]() | 1818 г. | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | ПМЭГ2020 | Шоттки | СОД-323Ф | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1727-PMEG2020EJ-QXTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 В | 525 мВ при 2 А | 200 мкА при 20 В | 150°С | 2А | 50пФ @ 5В, 1МГц | |||||
![]() | MUR1040CT | 0,3730 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Трубка | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-MUR1040CT | EAR99 | 1000 | ||||||||||||||||||
![]() | ЯН1Н3913АР | - | ![]() | 1271 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/308 | Масса | Активный | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | Стандартный | ДО-5 | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400 В | 1,4 В при 50 А | 150 нс | -65°С ~ 150°С | 50А | - | |||||||
![]() | МРА4005Т1Г | 0,4100 | ![]() | 600 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | МРА4005 | Стандартный | СМА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1500 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 1,1 В @ 1 А | 10 мкА при 600 В | -55°С ~ 175°С | 1А | - | |||||
![]() | STPS40150CW | 2.9000 | ![]() | 11 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | СТПС40150 | Шоттки | ТО-247-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 150 В | 20А | 920 мВ при 20 А | 8 мкА при 150 В | 175°С (макс.) | |||||
![]() | HSB83TL-E | 0,1900 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | |||||||||||||||||
![]() | 84CNQ040SM | 15.5913 | ![]() | 4314 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | ПРМ2-СМ | 84CNQ | Шоттки | ПРМ2-СМ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | 84CNQ040SMSMC | EAR99 | 8541.10.0080 | 48 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 40 В | 40А | 620 мВ при 40 А | 5 при мА 40 В | -55°С ~ 125°С | ||||
| BAV199WTQ | 0,0360 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-BAV199WTQTR | EAR99 | 3000 | |||||||||||||||||||
![]() | ПМЭГ120Г20ЭЛРЗ | - | ![]() | 9269 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | СОД-123W | ПМЭГ120 | SiGe (кремний германий) | CFP3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >1А (Ио) | 120 В | 840 мВ при 2 А | 6 нс | 30 нА при 120 В | 175°С | 2А | 75пФ @ 1В, 1МГц | ||||
![]() | JANTXV1N1204A | - | ![]() | 9796 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/260 | Масса | Снято с производства в НИЦ | Шасси, Крепление на шпильке | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | Стандартный | ДО-203АА (ДО-4) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 400 В | 1,35 В @ 38 А | 5 мкА при 400 В | -65°С ~ 150°С | 12А | - | ||||||
![]() | STTH1R02Q | 0,5500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Разрезанная лента (CT) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-15, осевой | СТТХ1 | Стандартный | ДО-15 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1 В @ 1,5 А | 30 нс | 3 мкА при 200 В | 175°С (макс.) | 1,5 А | - | ||||
![]() | СС5П3-М3/87А | 0,2279 | ![]() | 7793 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | eSMP® | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-277, 3-PowerDFN | СС5П3 | Шоттки | ТО-277А (СМПК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 6500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 В | 520 мВ при 5 А | 250 мкА при 30 В | -55°С ~ 150°С | 5А | 280пФ @ 4В, 1МГц | |||||
![]() | SD090SB45B.T1 | 0,6491 | ![]() | 8751 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Поднос | Активный | Поверхностный монтаж | Править | SD090 | Шоттки | Править | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0040 | 100 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 45 В | 640 мВ при 7,5 А | 200 мкА при 45 В | -55°С ~ 175°С | 7,5 А | 400пФ @ 5В, 1МГц | |||||
![]() | HER104G R1G | - | ![]() | 9898 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | HER104 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 300 В | 1 В @ 1 А | 50 нс | 5 мкА при 300 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 15пФ @ 4В, 1МГц | ||||
| ЕЭС1105/ТР | 24.5700 | ![]() | 9017 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | А, Осевой | Стандартный | А, Осевой | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-УЭС1105/ТР | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 300 В | 1,25 В при 1 А | 50 нс | -55°С ~ 150°С | 2А | - | |||||||
![]() | JANS1N6677UR-1/TR | - | ![]() | 1297 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/610 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | Шоттки | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-ЯНС1Н6677УР-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 40 В | 500 мВ при 200 мА | 5 мкА при 40 В | -65°С ~ 125°С | 200 мА | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)