SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
V10K202DUHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10K202duhm3/i 0,5118
RFQ
 ECAD 4057 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak 5x6 (Dvoйnoй) СКАХАТА DOSTISH 112-V10K202DUHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 100 1.9а 890 мВ @ 5 a 15 мк. -40 ° С ~ 150 ° С.
VX60202PWHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60202PWHM3/p 6.0166
RFQ
 ECAD 5992 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 ШOTKIй DO-247AD СКАХАТА DOSTISH 112-VX60202PWHM3/p Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 30 часов 840 мВ @ 30 a 200 мк @ 200 -40 ° C ~ 175 ° C.
MBRF1545CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Mbrf1545cthe3_a/p 0,7920
RFQ
 ECAD 6912 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА DOSTISH 112-MBRF1545CThe3_a/p Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 7,5а 570 мВ @ 15 A 100 мка 45 -65 ° С ~ 150 ° С.
V8P22C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8p22c-m3/i 0,2970
RFQ
 ECAD 7508 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА DOSTISH 112-V8P22C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 3.1a 900 мВ @ 4 a 80 мка При 200 -40 ° C ~ 175 ° C.
V20K60HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20K60HM3/H. 0,4028
RFQ
 ECAD 4415 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 112-V20K60HM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 610 мВ @ 20 a 700 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 5A 2910pf @ 4V, 1 мгха
SE10DLJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE10DLJ-M3/I. 0,5280
RFQ
 ECAD 9390 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ДО 263-3, ВАРИАНТ D²PAK (2 головы + вкладка) Станода TO-263AC (SMPD) СКАХАТА DOSTISH 112-SE10DLJ-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1 V @ 10 A 280 м 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 3.6a 70pf @ 4V, 1 мгха
RS07D-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS07D-HM3-08 0,3900
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Станода DO-219AB (SMF) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,15 Е @ 700 Ма 150 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 9pf @ 4V, 1 мгест
V20KL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20KL45-M3/I. 0,3660
RFQ
 ECAD 6793 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА DOSTISH 112-V20KL45-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 600 мВ @ 20 a 1 май @ 45 -40 ° С ~ 150 ° С. 5.4a 3400pf @ 4V, 1 мгновение
V12P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P22HM3/H. 1.6400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 12 A 300 мк. -40 ° C ~ 175 ° C. 3.2a 720pf @ 4V, 1 мгест
VS-A5PH3006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-A5PH3006LHN3 1.4317
RFQ
 ECAD 6304 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 Станода DO-247AD СКАХАТА DOSTISH 112-VS-A5PH3006LHN3 Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,6 В @ 30 a 46 м 20 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 30 часов -
SE20DLGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20DLGHM3/I. 1.7200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ДО 263-3, ВАРИАНТ D²PAK (2 головы + вкладка) Станода TO-263AC (SMPD) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 20 a 330 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3.9a 160pf @ 4V, 1 мгха
VX6060C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX6060C-M3/P. 1.0395
RFQ
 ECAD 5188 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА DOSTISH 112-VX6060C-M3/p Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 30 часов 620 мВ @ 30 a 3,5 мая @ 60 -40 ° С ~ 150 ° С.
VX40100C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX40100C-M3/p 0,9356
RFQ
 ECAD 4989 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 112-VX40100C-M3/p Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 20 часов 730 мВ @ 20 a 650 мк -пки 100 -40 ° С ~ 150 ° С.
AU1FMHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Au1fmhm3/i 0,0980
RFQ
 ECAD 7998 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Лавина DO-219AB (SMF) СКАХАТА DOSTISH 112-AU1FMHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,85 - @ 1 a 75 м 1 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 8.2pf @ 4V, 1 мгест
V10P22C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P22C-M3/I. 0,3465
RFQ
 ECAD 4425 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА DOSTISH 112-V10P22C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 3.2a 930 мВ @ 5 a 100 мк. -40 ° C ~ 175 ° C.
V10PWM45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10PWM45-M3/I. 0,7000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ШOTKIй Слимдапак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 590 мВ @ 10 a 100 мка 45 -40 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 1900pf @ 4V, 1 мгновение
VX60M45C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60M45C-M3/p 1.0395
RFQ
 ECAD 6380 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 VX60M ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 112-VX60M45C-M3/p Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 30 часов 620 мВ @ 30 a 350 мка 45 -40 ° C ~ 175 ° C.
V15KM150CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15KM150CHM3/H. 0,4737
RFQ
 ECAD 8219 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 112-V15KM150CHM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 3.7a 1,08 Е @ 7,5 А. 300 мк -при 150 -40 ° C ~ 175 ° C.
VS-E5PH6012LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PH6012LHN3 4.9700
RFQ
 ECAD 439 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 Станода DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-VS-E5PH6012LHN3 Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 2,5 - @ 60 a 130 млн 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 60A -
ZHCS500QTA Diodes Incorporated ZHCS500QTA 0,1708
RFQ
 ECAD 2796 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ШOTKIй SOT-23-3 СКАХАТА DOSTISH 31-ZHCS500QTATR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. 10 млн 40 мк. 125 ° С 1A 20pf @ 25 v, 1 мгха
S8MCQ-13 Diodes Incorporated S8MCQ-13 0,2786
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S8MC Станода SMC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 31-S8MCQ-13TR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 985 MV @ 8 A 2,7 мкс 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 8. 45pf @ 4V, 1 мгест
BAV199TQ-7-F Diodes Incorporated BAV199TQ-7-F 0,0736
RFQ
 ECAD 4494 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-523 BAV199 Станода SOT-523 СКАХАТА DOSTISH 31-BAV199TQ-7-FTR Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 -й 85 215 май (DC) 1,25 В @ 150 3 мкс 5 Na @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° С.
STPR1620 Diodes Incorporated STPR1620 0,7588
RFQ
 ECAD 6481 0,00000000 Дидж - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 STPR16 Станода TO220AB (TYP WX) СКАХАТА DOSTISH 31-SPPR1620 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 8. 1.1 V @ 8 A 30 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
SDT15H50P5-7D Diodes Incorporated SDT15H50P5-7D 0,2578
RFQ
 ECAD 9879 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 ШOTKIй Powerdi ™ 5 СКАХАТА DOSTISH 31-SDT15H50P5-7DTR Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 470 мВ @ 15 A 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
R504100TS Microchip Technology R504100ST 158.8200
RFQ
 ECAD 7960 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud Ставень, обратно DO-205AB (DO-9) - DOSTISH 150-R504100TS Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,25 В @ 1000 А 75 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
JAN1N4148UBCD Microchip Technology Jan1n4148ubcd 26.3700
RFQ
 ECAD 6996 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/116 МАССА Актифен Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1N4148 Станода UBC - DOSTISH 150 Ананахер 4148bcd Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 -й 75 1A 800 мВ @ 100 мая 5 млн 25 Na @ 20 V -65 ° C ~ 200 ° C.
UFT3140D Microchip Technology UFT3140D 63 7050
RFQ
 ECAD 5427 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru TO-204AA, TO-3 Станода До 204AA (TO-3) - DOSTISH 150-UFT3140D Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 -й 400 30 часов 1.1 V @ 15 A 50 млн 15 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C.
UTR3340 Microchip Technology UTR3340 12.8400
RFQ
 ECAD 2315 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос - DOSTISH 150-UTR3340 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.1 V @ 3 a 300 млн 5 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 240pf @ 0v, 1 мгест
1N1396 Microchip Technology 1n1396 38.3850
RFQ
 ECAD 6683 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Станода DO-205AA (DO-8) СКАХАТА DOSTISH 150-1N1396 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,2 - @ 200 a 50 мк -прри 50 -65 ° C ~ 200 ° C. 100 а -
1N2459 Microchip Technology 1n2459 74 5200
RFQ
 ECAD 6736 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода Do-5 (do-203ab) СКАХАТА DOSTISH 150-1N2459 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,25 w @ 200 a 25 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть