SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
SR505-TP Micro Commercial Co SR505-TP 0,1220
RFQ
 ECAD 5683 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR505 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА 353-SR505-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 670 мВ @ 5 a 1 мая @ 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 5A 200pf @ 4V, 1 мгха
SB260 Diotec Semiconductor SB260 0,1051
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй ШOTKIй DO-15 (DO-204AC) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB260TR 8541.10.0000 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B 5.6500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Полук Amp+™ Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 GP3D005 Sic (kremniewый karbid) ДО-247-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1560-1243 Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1700 В. 1,65 - @ 5 a 0 м 20 мк @ 1700 -55 ° C ~ 175 ° C. 21А 347pf @ 1V, 1 мгновение
S3B_R1_00001 Panjit International Inc. S3B_R1_00001 0,4400
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S3B Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,2 V @ 3 a 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 53pf @ 4V, 1 мгха
BAT760-QX Nexperia USA Inc. BAT760-QX 0,0915
RFQ
 ECAD 7534 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BAT760-QXTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 50 мк -прри 15 125 ° С 1A 19pf @ 5V, 1 мгха
1N1199C Microchip Technology 1n1199c 75 5700
RFQ
 ECAD 7329 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став 1n1199 Станода DO-4 (DO-203AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,1 В @ 30 a 10 мк -прри 50 -65 ° C ~ 200 ° C. 25 а -
HSM5100JE3/TR13 Microchip Technology HSM5100JE3/TR13 0,9900
RFQ
 ECAD 8440 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC HSM5100 ШOTKIй DO-214AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 м. @ 5 a 250 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 5A -
APT2X41DC120J Microsemi Corporation Apt2x41dc120j -
RFQ
 ECAD 9761 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Актифен ШASCI Иотоп Apt2x41 Sic (kremniewый karbid) SOT-227 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 2 neзaviymый 1200 40a 1,8 В @ 40 a 0 м 800 мк.
P3D12005K2 PN Junction Semiconductor P3D12005K2 4,5000
RFQ
 ECAD 6239 0,00000000 PN Junction Semiconductor P3d Трубка Актифен ДО-247-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-247-2 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 4237-P3D12005K2 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 0 м 44 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 23 а
SDUR1560 SMC Diode Solutions Sdur1560 0,9000
RFQ
 ECAD 745 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sdur15 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 15 A 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. - -
M2 Diotec Semiconductor М2 0,0141
RFQ
 ECAD 4963 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC, SMA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-M2TR 8541.10.0000 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 5 мк -4 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
MSC090SDA330B2 Microchip Technology MSC090SDA330B2 383.0400
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-247-2 MSC090 Sic (kremniewый karbid) 247 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-MSC090SDA330B2 Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 3300 В. 2,4 В @ 90 a 0 м 200 мк @ 3300 -55 ° C ~ 175 ° C. 184a 6326pf @ 1V, 1 мгновение
BAV99T Fairchild Semiconductor Bav99t -
RFQ
 ECAD 3075 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SOT-523 Bav99 Станода SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 85 75 май 1 V @ 50 май 4 млн 2 мка При 75 125 ° C (MMAKS)
BAV19WS-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19WS-HG3-18 0,0505
RFQ
 ECAD 7423 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-BAV19WS-HG3-18TR Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 100 v 150 ° С 250 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
R2105 Microchip Technology R2105 33 4500
RFQ
 ECAD 6071 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-R2105 1
1N5711-1/TR Microchip Technology 1n5711-1/tr 7.0800
RFQ
 ECAD 9291 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй ШOTKIй DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1N5711-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 200 na @ 50 v -65 ° С ~ 150 ° С. 33 май 2pf @ 0v, 1 мгест
RB068L-30DDTE25 Rohm Semiconductor RB068L-30DDTE25 0,6200
RFQ
 ECAD 798 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA RB068 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 700 мВ @ 2 a 800 NA @ 30 V 150 ° С 2A -
SBRD8835LT4G onsemi SBRD8835LT4G -
RFQ
 ECAD 8528 0,00000000 OnSemi Automotive, AEC-Q101, SwitchMode ™ Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SBRD8835 ШOTKIй Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 510 мВ @ 8 a 1,4 мая @ 35 -65 ° С ~ 150 ° С. 8. -
CTLD-4204S Sanken CTLD-4204S -
RFQ
 ECAD 7791 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 CTLD-4204 Станода 12 с СКАХАТА ROHS COMPRINT 1261-CTLD-4204S Ear99 8541.10.0080 1440 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 400 20 часов 1,4 w @ 10 a 50 млн 20 мка 400 -40 ° С ~ 150 ° С.
DR756-TP Micro Commercial Co DR756-TP 0,3816
RFQ
 ECAD 2977 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru R-6, osevoй DR756 Станода R-6 СКАХАТА 353-DR756-TP Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 6 a 10 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 6A 100pf @ 4V, 1 мгха
RM11C-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. RM11C-Bulk 0,2000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 EIC Semiconductor Inc. - Симка Актифен Чereз dыru D-2, OSEVOй Станода D2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2439-RM11C-Bulk 8541.10.0000 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 920 мв 1,5 а 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1.2a 30pf @ 4V, 1 мгест
FR103BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR103Bulk 0,2100
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 EIC Semiconductor Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2439-FR103BULK 8541.10.0000 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
SK85 Diotec Semiconductor SK85 0,2748
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK85TR 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 8 a 200 мка прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 8. -
SD175SC100A.T2 SMC Diode Solutions SD175SC100A.T2 1.2806
RFQ
 ECAD 2488 0,00000000 SMC Diode Solutions - Поднос Актифен Пефер Умират SD175 ШOTKIй Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0040 490 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 840 мВ @ 30 a 750 мк -пки 100 -55 ° C ~ 200 ° C. 30A 1200pf @ 5V, 1 мгест
BAS21THR Nexperia USA Inc. BAS21THR 0,2800
RFQ
 ECAD 8312 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101, BAS16 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 Станода TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 200 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
S5A-CT Diotec Semiconductor S5A-CT 0,5841
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Пефер DO-214AB, SMC S5A Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-S5A-CT 8541.10.0000 15 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 5 A 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 8. -
RS1K_R1_00001 Panjit International Inc. Rs1k_r1_00001 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA RS1K Станода SMA (DO-214AC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-RS1K_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 500 млн 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
S215FA onsemi S215FA 0,4200
RFQ
 ECAD 1415 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W S215 ШOTKIй SOD-123FA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 120pf @ 4V, 1 мгха
MBRB15H60CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H60CThe3_a/p -
RFQ
 ECAD 8913 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB15 ШOTKIй DO-263AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 7,5а 730 мв 7,5 а 50 мк. -65 ° C ~ 175 ° C.
1N2055 Solid State Inc. 1n2055 21.0000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud Станода DO-9 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N2055 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,3 В @ 300 А 75 мк -пки 100 -65 ° C ~ 190 ° C. 275A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть