SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
BAS70-04W-QF Nexperia USA Inc. BAS70-04W-QF 0,0434
RFQ
 ECAD 7979 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 BAS70 Станода SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BAS70-04W-QFTR Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 70 70 май 1 V @ 15 мая 10 мк. 150 ° С
1N3673A GeneSiC Semiconductor 1n3673a 4.2345
RFQ
 ECAD 9171 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 1N3673 Станода До 4 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 1242-1109 Ear99 8541.10.0080 250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 12 A 10 мк -прри 50 -65 ° C ~ 200 ° C. 12A -
BAS70ADW_R1_00001 Panjit International Inc. BAS70ADW_R1_00001 0,0513
RFQ
 ECAD 7736 0,00000000 Panjit International Inc. BAS70TW Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BAS70 ШOTKIй SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 4 002 000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 пар 70 200 май (DC) 1 V @ 15 мая 5 млн 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C.
1PS70SB14,115 Nexperia USA Inc. 1PS70SB14,115 0,3800
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 1PS70SB14 ШOTKIй SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 30 200 май (DC) 800 мВ @ 100 мая 2 мка 4 25 150 ° C (MMAKS)
SB560 Diotec Semiconductor SB560 0,2241
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-SB560TR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 670 мВ @ 5 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
SB10-09P-TD-E onsemi SB10-09P-TD-E 0,4100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1000
SK515 Diotec Semiconductor SK515 0,2041
RFQ
 ECAD 2880 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK515TR 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 870 мВ @ 5 a 200 мк @ 150 -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
BAT5404E6327HTSA1 Infineon Technologies BAT5404E6327HTSA1 0,5000
RFQ
 ECAD 154 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT5404 ШOTKIй PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 30 200 май (DC) 800 мВ @ 100 мая 5 млн 2 мка 4 25 150 ° C (MMAKS)
S4PBHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PBHM3/86A -
RFQ
 ECAD 9037 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер 277, 3-Powerdfn S4P Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 4 a 2,5 мкс 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 30pf @ 4V, 1 мгест
APD260VDTR-E1 Diodes Incorporated APD260VDTR-E1 -
RFQ
 ECAD 3794 0,00000000 Дидж - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй APD260 ШOTKIй DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 500 мВ @ 2 a 500 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 2A -
1N4935GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935GH -
RFQ
 ECAD 7622 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1N4935GHTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SB3H150 Diotec Semiconductor SB3H150 0,2014
RFQ
 ECAD 8664 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB3H150TR 8541.10.0000 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 820 мВ @ 3 a 2 мка При 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
MBR4050PT Fairchild Semiconductor MBR4050PT -
RFQ
 ECAD 2430 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru 247-3 MBR4050 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 190 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 40a 720 м. @ 20 a 1 мая @ 50 -65 ° С ~ 150 ° С.
CD0603-B0130 Bourns Inc. CD0603-B0130 -
RFQ
 ECAD 8945 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) CD0603 ШOTKIй 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 440 мВ @ 100 мая 30 мк. -40 ° C ~ 125 ° C. 100 май 9pf @ 10V, 1 мгха
SDT20120GCT Diodes Incorporated SDT20120GCT 0,6954
RFQ
 ECAD 1026 0,00000000 Дидж - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SDT20120 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА DOSTISH 31-SDT20120GCT Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 120 10 часов 830 м. @ 10 A 30 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
RS2BH Taiwan Semiconductor Corporation RS2BH 0,0984
RFQ
 ECAD 1596 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS2BHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
VI30100CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100CHM3/4W -
RFQ
 ECAD 3498 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TMBS® Трубка Управо Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA VI30100 ШOTKIй ДО-262AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 15A 800 м. @ 15 A 500 мк -пки 100 -40 ° С ~ 150 ° С.
LSIC2SD120E20CCA Littelfuse Inc. LSIC2SD120E20CCA -
RFQ
 ECAD 9500 0,00000000 Littelfuse Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 Sic (kremniewый karbid) 247 СКАХАТА 18-LSIC2SD120E20CCA Ear99 8541.10.0080 450 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1200 32a (DC) 1,8 В @ 10 a 0 м 100 мк @ 1200 -55 ° C ~ 175 ° C.
SPV1001T40 STMicroelectronics SPV1001T40 -
RFQ
 ECAD 6839 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 SPV1001 Станода ДО-220 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 - 40 920 мВ @ 8 a 1 мка 40, -45 ° C ~ 175 ° C. 16A -
DFLU1400-7 Diodes Incorporated DFLU1400-7 0,4100
RFQ
 ECAD 169 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер PowerDi®123 DFLU1400 Станода Powerdi ™ 123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 1 a 25 млн 5 мка 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 14pf @ 4V, 1 мгха
1N1345C Microchip Technology 1n1345c 45 3600
RFQ
 ECAD 5802 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став 1n1345 Станода DO-4 (DO-203AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1,3 В @ 30 a 10 мк @ 300 -65 ° C ~ 200 ° C. 16A -
VS-65EPS16L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65EPS16L-M3 4.3800
RFQ
 ECAD 4790 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 65EPS16 Станода DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,17 В @ 65 А 100 мк @ 1600 -40 ° С ~ 150 ° С. 65A -
SM2000GP Diotec Semiconductor SM2000GP 0,1263
RFQ
 ECAD 4703 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF Станода Melf do-213ab СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-SM2000GPTR 8541.10.0000 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 1,1 - @ 1 мка 1,5 мкс 5 a @ 2 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
SBT3045C Microchip Technology SBT3045C 62,1000
RFQ
 ECAD 2280 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru TO-204AA, TO-3 SBT3045 ШOTKIй До 204AA (TO-3) - DOSTISH 150-SBT3045C Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 30A 700 мВ @ 30 a 1,5 мая @ 45 -65 ° C ~ 175 ° C.
P3D12020K3 PN Junction Semiconductor P3D12020K3 12.4100
RFQ
 ECAD 1272 0,00000000 PN Junction Semiconductor P3d Трубка Актифен 247-3 Sic (kremniewый karbid) 247-3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 4237-P3D12020K3 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 70A
SK83CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK83CHM6G -
RFQ
 ECAD 5839 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC SK83 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
MURS340HE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS340HE3/57T -
RFQ
 ECAD 1913 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AB, SMC MURS340 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,28 В @ 3 a 75 м 10 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
LL4148-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4148-7 -
RFQ
 ECAD 2003 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL4148 Станода SOD-80 Минимум - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LL4148-7GI Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 50 май 8 млн 5 мка прри 75 175 ° C (MMAKS) 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
BYP25K05 Diotec Semiconductor Byp25K05 1.0184
RFQ
 ECAD 7735 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BYP25K05TR 8541.10.0000 300 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 100 мк -прри 50 -50 ° C ~ 215 ° C. 25 а -
UG2B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG2B-E3/73 -
RFQ
 ECAD 6383 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй UG2 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 2 a 25 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть