SIC
close

Диоды(32)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Тип монтажа Пакет/ключи Технология Поставщик пакета оборудования Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф
SDS065J004D3 Sanan Semiconductor SDS065J004D3 1,6100
запросить цену
 ECAD 7809 0,00000000 Санан Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-252-2Л Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8541.10.0000 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В @ 4 А 0 нс 12 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 14А 213пФ при 0 В, 1 МГц
SDS120J010H3 Sanan Semiconductor SDS120J010H3 5.0100
запросить цену
 ECAD 5247 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS120J010H3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В при 10 А 0 нс 30 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 36А 780пФ при 0 В, 1 МГц
SDS120J002D3 Sanan Semiconductor SDS120J002D3 1,4200
запросить цену
 ECAD 4074 0,00000000 Санан Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-252-2Л Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8541.10.0000 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В @ 2 А 0 нс 8 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 11А 165пФ при 0 В, 1 МГц
SDS120J005D3 Sanan Semiconductor SDS120J005D3 2.8000
запросить цену
 ECAD 1989 год 0,00000000 Санан Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-252-2Л Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8541.10.0000 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В при 5 А 0 нс 20 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 22А 400пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J020H3 Sanan Semiconductor SDS065J020H3 6.3000
запросить цену
 ECAD 2667 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J020H3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В при 20 А 0 нс 40 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 51А 1018пФ при 0 В, 1 МГц
SDS120J020G3 Sanan Semiconductor SDS120J020G3 8.0400
запросить цену
 ECAD 2728 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS120J020G3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 1200 В 36А 1,5 В при 10 А 0 нс 30 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С
SDS120J030H3 Sanan Semiconductor SDS120J030H3 10.8300
запросить цену
 ECAD 9338 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS120J030H3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В при 30 А 0 нс 72 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 95А 2546пФ при 0 В, 1 МГц
SDS120J010C3 Sanan Semiconductor SDS120J010C3 5.2700
запросить цену
 ECAD 5757 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS120J010C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В при 10 А 0 нс 30 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 37А 780пФ при 0 В, 1 МГц
SDS120J005C3 Sanan Semiconductor SDS120J005C3 2,9500
запросить цену
 ECAD 1507 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS120J005C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В при 5 А 0 нс 20 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 22А 400пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J016H3 Sanan Semiconductor SDS065J016H3 5.9300
запросить цену
 ECAD 5280 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J016H3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В @ 16 А 0 нс 48 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 44А 837пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J006E3 Sanan Semiconductor SDS065J006E3 2,4600
запросить цену
 ECAD 7074 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-263-2Л Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 5023-SDS065J006E3 EAR99 8541.10.0000 800 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В при 6 А 0 нс 20 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 20А 310пФ при 0 В, 1 МГц
SDS120J002C3 Sanan Semiconductor SDS120J002C3 1,7000
запросить цену
 ECAD 1625 г. 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS120J002C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В @ 2 А 0 нс 8 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 11А 165пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J012C3 Sanan Semiconductor SDS065J012C3 3,6800
запросить цену
 ECAD 4729 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J012C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В при 12 А 0 нс 36 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 37А 651пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J016C3 Sanan Semiconductor SDS065J016C3 5.2700
запросить цену
 ECAD 6166 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J016C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В @ 16 А 0 нс 48 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 44А 837пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J020G3 Sanan Semiconductor SDS065J020G3 6.3000
запросить цену
 ECAD 3807 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J020G3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 30А 1,5 В при 10 А 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С
SDS065J016G3 Sanan Semiconductor SDS065J016G3 5.5300
запросить цену
 ECAD 9398 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J016G3 EAR99 8541.10.0000 300 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 650 В 25А 1,5 В @ 8 А 24 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С
SDS120J027H3 Sanan Semiconductor SDS120J027H3 10.8900
запросить цену
 ECAD 5197 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS120J027H3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,8 В при 27 А 0 нс 80 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 77А 1761пФ при 0 В, 1 МГц
SDS120J010D3 Sanan Semiconductor SDS120J010D3 5.1200
запросить цену
 ECAD 9659 0,00000000 Санан Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-252-2Л Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8541.10.0000 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В при 10 А 0 нс 30 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 37А 780пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J040G3 Sanan Semiconductor SDS065J040G3 10.6200
запросить цену
 ECAD 7453 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J040G3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 51А 1,5 В при 20 А 0 нс 40 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С
SDS065J004C3 Sanan Semiconductor SDS065J004C3 1.1000
запросить цену
 ECAD 6146 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J004C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В @ 4 А 0 нс 12 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 14А 213пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J010E3 Sanan Semiconductor SDS065J010E3 2.8000
запросить цену
 ECAD 1387 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-263-2Л Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 5023-SDS065J010E3 EAR99 8541.10.0000 800 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В при 10 А 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 30А 556пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J030G3 Sanan Semiconductor SDS065J030G3 8.5100
запросить цену
 ECAD 1351 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J030G3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 44А 1,5 В @ 15 А 0 нс 48 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С
SDS120J010G3 Sanan Semiconductor SDS120J010G3 5.7900
запросить цену
 ECAD 8702 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS120J010G3 EAR99 8541.10.0000 300 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 1200 В 20А 1,5 В при 5 А 0 нс 20 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С
SDS120J010E3 Sanan Semiconductor SDS120J010E3 5.2700
запросить цену
 ECAD 4536 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-263-2Л Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 5023-SDS120J010E3 EAR99 8541.10.0000 800 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,5 В при 10 А 0 нс 30 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 37А 780пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J002D3 Sanan Semiconductor SDS065J002D3 1.1000
запросить цену
 ECAD 9845 0,00000000 Санан Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-252-2Л Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8541.10.0000 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В @ 2 А 0 нс 8 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 9А 113пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J010C3 Sanan Semiconductor SDS065J010C3 2,9500
запросить цену
 ECAD 6644 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J010C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В при 10 А 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 30А 556пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J006S3 Sanan Semiconductor SDS065J006S3 2.3000
запросить цену
 ECAD 1961 год 0,00000000 Санан Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 4-PowerVSFN SiC (карбид кремния) Шоттки 4-ДФН (8х8) Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8541.10.0000 3000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В при 6 А 0 нс 18 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 23А 310пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J008S3 Sanan Semiconductor SDS065J008S3 2,8300
запросить цену
 ECAD 8248 0,00000000 Санан Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8541.10.0000 3000
SDS065J008C3 Sanan Semiconductor SDS065J008C3 2,6300
запросить цену
 ECAD 2379 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J008C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В @ 8 А 0 нс 24 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 25А 395пФ при 0 В, 1 МГц
SDS065J020C3 Sanan Semiconductor SDS065J020C3 5.7900
запросить цену
 ECAD 3621 0,00000000 Санан Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2Л Соответствует ROHS3 Непригодный 5023-SDS065J020C3 EAR99 8541.10.0000 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,5 В @ 20 А 0 нс 40 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 51А 1018пФ при 0 В, 1 МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.