SIC
close

Дидж (3328)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
KDZTR6.2B Rohm Semiconductor Kdztr6.2b 0,1836
RFQ
 ECAD 1706 0,00000000 ROHM Semiconductor КД Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123F Kdztr6.2 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мк @ 3 В 6,5 В.
KDZTR6.8B Rohm Semiconductor Kdztr6.8b 0,1836
RFQ
 ECAD 9675 0,00000000 ROHM Semiconductor КД Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123F Kdztr6.8 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мк. 7,3 В.
KDZTR7.5B Rohm Semiconductor Kdztr7.5b 0,5200
RFQ
 ECAD 488 0,00000000 ROHM Semiconductor КД Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123F Kdztr7.5 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 20 мк @ 4 7,9 В.
KDZTR11B Rohm Semiconductor Kdztr11b 0,5200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor КД Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123F KDZTR11 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк @ 8 11,5.
KDZTR36B Rohm Semiconductor KDZTR36B 0,5200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor КД Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123F KDZTR36 1 Вт PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мк. 39,2 В.
RSX101M-30TR Rohm Semiconductor RSX101M-30TR 0,1094
RFQ
 ECAD 6611 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-123F RSX101 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 390 мВ @ 1 a 200 мка прри 30 150 ° C (MMAKS) 1A 60pf @ 10 v, 1 мгновение
RB521ZS-30T2R Rohm Semiconductor RB521ZS-30T2R -
RFQ
 ECAD 4110 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 0201 (0603 МЕТРИКА) RB521 ШOTKIй Gmd2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 370 мВ @ 10 мая 7 мк -прри 10в 150 ° C (MMAKS) 100 май -
MTZJT-722.7B Rohm Semiconductor Mtzjt-722.7b -
RFQ
 ECAD 4740 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt722.7b Ear99 8541.10.0050 5000 2,7 В.
MTZJT-7220C Rohm Semiconductor Mtzjt-7220c -
RFQ
 ECAD 2404 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7220c Ear99 8541.10.0050 5000 20
MTZJT-7222B Rohm Semiconductor MTZJT-722222B -
RFQ
 ECAD 3058 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7222b Ear99 8541.10.0050 5000 200 Na @ 17 V 22 30 ОМ
MTZJT-7224B Rohm Semiconductor Mtzjt-7224b -
RFQ
 ECAD 3588 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7224b Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 19 v 24 35 ОМ
MTZJT-7227C Rohm Semiconductor Mtzjt-7227c -
RFQ
 ECAD 6217 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7227c Ear99 8541.10.0050 5000 200 Na @ 21 V 27 45 ОМ
MTZJT-7230A Rohm Semiconductor Mtzjt-7230a -
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7230a Ear99 8541.10.0050 5000 200 Na @ 23 V 30 55 ОМ
MTZJT-7239B Rohm Semiconductor Mtzjt-7239b -
RFQ
 ECAD 8429 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7239b Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 30 v 39 85 ОМ
MTZJT-7239C Rohm Semiconductor Mtzjt-7239c -
RFQ
 ECAD 2990 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7239c Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 30 v 39 85 ОМ
MTZJT-726.2A Rohm Semiconductor Mtzjt-726.2a -
RFQ
 ECAD 1111 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt726.2a Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 3 В 6,2 В. 30 ОМ
MTZJT-727.5C Rohm Semiconductor Mtzjt-727.5c -
RFQ
 ECAD 2324 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt727.5c Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 20 ОМ
MTZJT-729.1C Rohm Semiconductor Mtzjt-729.1c -
RFQ
 ECAD 3679 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzjt-72 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt729.1c Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 6 V 9.1. 20 ОМ
MTZJT-772.2B Rohm Semiconductor Mtzjt-772.2b -
RFQ
 ECAD 4872 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt772.2b Ear99 8541.10.0050 5000 2,2 В.
MTZJT-7724D Rohm Semiconductor Mtzjt-7724d -
RFQ
 ECAD 9519 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt7724d Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 19 v 24 35 ОМ
MTZJT-773.0B Rohm Semiconductor Mtzjt-773.0b -
RFQ
 ECAD 5143 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Mtzjt773.0b Ear99 8541.10.0050 5000 3 В
EDZVT2R10B Rohm Semiconductor EDZVT2R10B 0,2800
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 7 v 10 30 ОМ
EDZVT2R12B Rohm Semiconductor EDZVT2R12B 0,2800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 Na @ 9 V 12 30 ОМ
EDZVT2R22B Rohm Semiconductor EDZVT2R22B 0,2800
RFQ
 ECAD 263 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 Na @ 17 V 22 100 ОМ
EDZVT2R24B Rohm Semiconductor EDZVT2R24B 0,2800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 19 v 24 120 ОМ
EDZVT2R4.3B Rohm Semiconductor EDZVT2R4.3B 0,2900
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 5 мка @ 1 В 4,3 В. 100 ОМ
EDZVT2R6.8B Rohm Semiconductor Edzvt2r6.8b 0,3000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 500 NA @ 3,5 6,8 В. 40 ОМ
EDZVT2R7.5B Rohm Semiconductor Edzvt2r7.5b 0,1800
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 ROHM Semiconductor ЭdзВ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 м EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 30 ОМ
RB162M-30TR Rohm Semiconductor RB162M-30TR 0,0834
RFQ
 ECAD 1806 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-123F RB162 ШOTKIй PMDU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 520 мВ @ 1 a 100 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A -
RB520SM-30T2R Rohm Semiconductor RB520SM-30T2R 0,3400
RFQ
 ECAD 391 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 RB520 ШOTKIй EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 580 мВ @ 200 Ма 1 мка рри 10в 150 ° C (MMAKS) 200 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть