SIC
close

Дидж (3328)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Raboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТОК - МАКС Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f
MTZJT-7710B Rohm Semiconductor Mtzjt-7710b -
RFQ
 ECAD 1007 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 200 na @ 7 v 10 20 ОМ
MTZJT-774.3B Rohm Semiconductor Mtzjt-774.3b -
RFQ
 ECAD 6112 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 1 В 4,3 В. 100 ОМ
MTZJT-775.6C Rohm Semiconductor Mtzjt-775.6c -
RFQ
 ECAD 2700 0,00000000 ROHM Semiconductor MTZ J. Lenta и коробка (TB) Управо ± 3% - Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м MSD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 5,6 В. 40 ОМ
PTZTE2511A Rohm Semiconductor Ptzte2511a 0,2014
RFQ
 ECAD 4877 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% - Пефер DO-214AC, SMA Ptzte2511 1 Вт PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 10 мк @ 8 11 8 О
PTZTE2518B Rohm Semiconductor Ptzte2518b 0,1664
RFQ
 ECAD 5798 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% - Пефер DO-214AC, SMA Ptzte2518 1 Вт PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 10 мка 13. 18 12
PTZTE2536A Rohm Semiconductor PTZTE2536A 0,5200
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% - Пефер DO-214AC, SMA Ptzte2536 1 Вт PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 10 мк. 36 20 ОМ
PTZTE254.3A Rohm Semiconductor Ptzte254.3a 0,2014
RFQ
 ECAD 7713 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% - Пефер DO-214AC, SMA Ptzte254.3 1 Вт PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 20 мка При 1в 4,3 В. 15 О
RN739FT106 Rohm Semiconductor RN739FT106 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 RN739 UMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 50 май 100 м 0,4pf pri 35 - PIN -KOD - 1 POSLEROWELENONOE oceDINENENEEP -PARы 50 7om @ 10ma, 100 мгр.
STZ6.2NT146 Rohm Semiconductor STZ6.2nt146 0,6200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 STZ6.2 200 м SMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 1 мка @ 3 В 6,2 В. 60 ОМ
UDZSTE-1713B Rohm Semiconductor UDZSTE-1713B 0,3500
RFQ
 ECAD 752 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F Udzste 200 м UMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 10 V 13 37 ОМ
CDZT2R15B Rohm Semiconductor Cdzt2r15b 0,0928
RFQ
 ECAD 3307 0,00000000 ROHM Semiconductor CDZ Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-923 Cdzt2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 11 v 15 42 ОМ
CDZT2R3.6B Rohm Semiconductor Cdzt2r3.6b 0,0928
RFQ
 ECAD 5374 0,00000000 ROHM Semiconductor CDZ Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-923 Cdzt2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 10 мка @ 1 В 3,6 В. 100 ОМ
CDZT2R4.7B Rohm Semiconductor Cdzt2r4.7b 0,0928
RFQ
 ECAD 3616 0,00000000 ROHM Semiconductor CDZ Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-923 Cdzt2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 2 мка @ 1 В 4,7 В. 100 ОМ
EMZ6.8ET2R Rohm Semiconductor EMZ6.8et2r 0,4600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен - - Пефер SOT-553 EMZ6.8 150 м EMD5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 2 пар 500 NA @ 3,5 6,8 В.
VDZT2R30B Rohm Semiconductor VDZT2R30B -
RFQ
 ECAD 7126 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-723 Vdzt2 100 м VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 Na @ 23 В 30 200 ОМ
VDZT2R6.2B Rohm Semiconductor Vdzt2r6.2b -
RFQ
 ECAD 8872 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-723 Vdzt2 100 м VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 1 мка @ 3 В 6,2 В. 60 ОМ
VDZT2R8.2B Rohm Semiconductor Vdzt2r8.2b 0,4100
RFQ
 ECAD 225 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-723 Vdzt2 100 м VMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 500 NA @ 5 V 8,2 В. 30 ОМ
RB068LAM150TR Rohm Semiconductor RB068lam150tr 0,4700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RB068 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 810 мВ @ 2 a 3 мка При 150 150 ° C (MMAKS) 2A -
RFN1LAM7STR Rohm Semiconductor Rfn1lam7str 0,4400
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Rfn1lam7 Станода PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 700 1,5 В @ 800 мая 80 млн 1 мка При 700 150 ° C (MMAKS) 800 май -
RB056LAM-40TR Rohm Semiconductor RB056lam-40tr 0,3800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RB056 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 670 мВ @ 3 a 50 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 3A -
RB060LAM-40TR Rohm Semiconductor RB060LAM-40TR 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RB060 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 100 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 2A -
RB162LAM-40TR Rohm Semiconductor RB162lam-40tr 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RB162 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 100 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 1A -
RB050L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB050L-40DDTE25 0,6900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RB050 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 1 май @ 40 125 ° C (MMAKS) 3A -
RB886CST2RA Rohm Semiconductor RB886CST2RA 0,4000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 125 ° C (TJ) SOD-923 RB886 VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 10 май 0,8pf pri 1-, 1 мгц ШOTKIй - Сингл 5в -
RBE05SM20AT2R Rohm Semiconductor RBE05SM20AT2R -
RFQ
 ECAD 2632 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-79, SOD-523 ШOTKIй EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 530 мВ @ 500 150 мк. 150 ° C (MMAKS) 500 май -
RRE07VSM4STR Rohm Semiconductor RRE07VSM4STR 0,4400
RFQ
 ECAD 8336 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RRE07 Станода Tumd2sm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 @ 700 мая 1 мка 400 150 ° C (MMAKS) 700 май -
RFV15TG6SGC9 Rohm Semiconductor RFV15TG6SGC9 1.7900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 RFV15 Станода DO-220ACFP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,8 В @ 15 A 50 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 15A -
CDZT2RA15B Rohm Semiconductor Cdzt2ra15b 0,0841
RFQ
 ECAD 9187 0,00000000 ROHM Semiconductor CDZ Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-923 Cdzt2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 100 na @ 11 v 15 42 ОМ
CDZT2RA5.6B Rohm Semiconductor Cdzt2ra5.6b 0,0841
RFQ
 ECAD 1474 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-923 Cdzt2 100 м VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 1 мка 4,5 5,6 В. 60 ОМ
RBR1L30ATE25 Rohm Semiconductor RBR1L30ATE25 0,5300
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RBR1L30 ШOTKIй PMDS - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 480 мВ @ 1 a 50 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть