SIC
close

Дидж (1290)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
FMKA140 Fairchild Semiconductor FMKA140 0,3700
RFQ
 ECAD 62 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 1 a 1 май @ 40 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A -
MM3Z43VC Fairchild Semiconductor MM3Z43VC -
RFQ
 ECAD 7538 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F 200 м SOD-323F СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 мая 45 NA @ 30,1 43 В. 141 О
MM3Z2V4C Fairchild Semiconductor MM3Z2V4C 0,0300
RFQ
 ECAD 106 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F 200 м SOD-323F СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 8 663 1 V @ 10 мая 45 мк -перо 1 2,4 В. 94 ОМ
BAV21TR Fairchild Semiconductor BAV21TR -
RFQ
 ECAD 4263 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BAV21 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 250 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 200 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
MMSZ5239B Fairchild Semiconductor MMSZ5239B 1.0000
RFQ
 ECAD 7678 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер SOD-123 MMSZ52 500 м SOD-123 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 3 мка При 7в 9.1. 8 О
BZX55C3V0 Fairchild Semiconductor BZX55C3V0 0,0200
RFQ
 ECAD 4234 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 7 295 1,3 Е @ 100 Ма 4 мка @ 1 В 3 В 85 ОМ
1N970B Fairchild Semiconductor 1n970b 1.8400
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 163 5 мк. 24 33 О
MMSD914-FS Fairchild Semiconductor MMSD914-FS -
RFQ
 ECAD 7169 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SOD-123 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3078 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
BZX85C22 Fairchild Semiconductor BZX85C22 0,0300
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85C22 1,3 DO-41G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 16 V 22 25 ОМ
1N5229B Fairchild Semiconductor 1n5229b 0,0300
RFQ
 ECAD 233 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru 500 м СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 539 5 мка @ 1 В 4,3 В. 22 ОМ
MBRD835LG Fairchild Semiconductor MBRD835LG -
RFQ
 ECAD 2545 0,00000000 Fairchild Semiconductor SwitchMode ™ МАССА Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ШOTKIй Dpak СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 510 мВ @ 8 a 1,4 мая @ 35 -65 ° С ~ 150 ° С. 8. -
ES1H Fairchild Semiconductor Es1h 0,0900
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 3209 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 150 ° C (MMAKS) 1A -
EGP20A Fairchild Semiconductor EGP20A 0,2200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-EGP20A-600039 1348 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 2 a 50 млн 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 70pf @ 4V, 1 мгха
1N5263B Fairchild Semiconductor 1n5263b 1.8600
RFQ
 ECAD 158 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 0,5% - Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5263 500 м - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 162 900 мВ @ 200 100 na @ 41 v 56 150 ОМ
KA33VTA Fairchild Semiconductor KA33VTA 0,0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 6% -20 ° C ~ 75 ° C. Чereз dыru TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) KA33 200 м Создание 92-2 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 33 В 25 ОМ
1N5395 Fairchild Semiconductor 1n5395 -
RFQ
 ECAD 4623 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 8000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,4 Е @ 1,5 А 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 25pf @ 4V, 1 мгха
UF4006 Fairchild Semiconductor UF4006 0,0800
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF400 Станода DO-41 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 3643 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -400 -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
BZX79C12 Fairchild Semiconductor BZX79C12 0,0300
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 539 1,5 Е @ 100 мая 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
FFPF06U20STU Fairchild Semiconductor FFPF06U20STU 0,2200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru 220-2 Станода TO-220F-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,2 - @ 6 a 35 м 6 мка pri 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 6A -
BZX79C47 Fairchild Semiconductor BZX79C47 0,0200
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79C47 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 Е @ 100 мая 50 Na @ 32,9 47 В 170 ОМ
MBR3035PT Fairchild Semiconductor MBR3035PT -
RFQ
 ECAD 9503 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 ШOTKIй 12 с СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 35 30A 760 мВ @ 30 a 1 май @ 35 -65 ° С ~ 150 ° С.
FLZ3V6B Fairchild Semiconductor Flz3v6b 0,0200
RFQ
 ECAD 2081 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2 077 1,2 - @ 200 Ма 2,8 мк -при. 3,7 В. 48 ОМ
RGP10A Fairchild Semiconductor RGP10A 0,0600
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Продан Продан 2156-RGP10A-600039 5,362 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BAY72TR Fairchild Semiconductor Bay72tr 0,0300
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 8 663 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 125 1 V @ 100 май 50 млн 100 na @ 100 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
1N964B Fairchild Semiconductor 1n964b 2.0200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 149 5 мк. 13 13 О
MM5Z7V5 Fairchild Semiconductor MM5Z7V5 0,0200
RFQ
 ECAD 919 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 MM5Z7 200 м SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 1 мка При 5в 7,5 В. 15 О
FLZ5V1A Fairchild Semiconductor Flz5v1a 0,0200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 15 000 1,2 - @ 200 Ма 190 NA @ 1,5 4,9 В. 17 О
DF02S1 Fairchild Semiconductor DF02S1 0,2900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло Станода 4-Sdip СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 033 1.1 V @ 1 a 3 мк 1 а ОДИНАНАНА 200
MM5Z56V Fairchild Semiconductor MM5Z56V -
RFQ
 ECAD 3639 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 7% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 200 м SOD-523F - 0000.00.0000 1 50 Na @ 39,2 56 200 ОМ
RURP860_NL Fairchild Semiconductor Rurp860_nl -
RFQ
 ECAD 2564 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220-2 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 @ 8 a 70 млн 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 8. -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть