SIC
close

Дидж (1290)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
MM5Z3V6 Fairchild Semiconductor MM5Z3V6 1.0000
RFQ
 ECAD 2573 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-MM5Z3V6-600039 1
MMBD1705 Fairchild Semiconductor MMBD1705 0,3400
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Станода SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 30 50 май 1,1 В @ 50 ма 700 с 50 Na @ 20 V 150 ° C (MMAKS)
BZX55C7V5_NL Fairchild Semiconductor BZX55C7V5_NL 0,0200
RFQ
 ECAD 8115 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0050 1000 1,3 Е @ 100 Ма 100 na @ 5 v 7,5 В. 7 О
1N916A Fairchild Semiconductor 1n916a 1.0000
RFQ
 ECAD 1634 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n916 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 20 мая 4 млн 5 мка прри 75 -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
RGP10J Fairchild Semiconductor RGP10J 0,0600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 250 млн 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MM3Z6V2B Fairchild Semiconductor MM3Z6V2B 0,0300
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F 200 м SOD-323F СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 мая 2,7 мка 4- 6,2 В. 9 О
1N5243B Fairchild Semiconductor 1n5243b 0,0300
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 539 900 мВ @ 200 500 NA @ 9,9 13 13 О
1N914BWS Fairchild Semiconductor 1n914bws -
RFQ
 ECAD 5234 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SC-90, SOD-323F Станода SOD-323F СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 15 000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 100 май 4 млн 5 мка прри 75 150 ° C (MMAKS) 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
1N5380BG Fairchild Semiconductor 1n5380bg -
RFQ
 ECAD 7314 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт Оос СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 500 NA @ 91,2 120 170 ОМ
MMSZ5248B Fairchild Semiconductor MMSZ5248B -
RFQ
 ECAD 6210 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер SOD-123 MMSZ52 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 14 v 18 16 ОМ
MMBZ5238B Fairchild Semiconductor MMBZ5238B 0,0200
RFQ
 ECAD 118 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 500 900 мВ @ 10 мая 3 мка рри 6,5 8,7 В. 8 О
BAV21-T50A Fairchild Semiconductor BAV21-T50A 244.9900
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) - 2156-BAV21-T50A 2 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 250 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 200 v 175 ° С 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
FLZ18VA Fairchild Semiconductor Flz18va 0,0200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 15 000 1,2 - @ 200 Ма 133 Na @ 13 V 16,7 В. 19,4 О
FLZ36VC Fairchild Semiconductor FLZ36VC 0,0200
RFQ
 ECAD 9474 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 4513 1,2 - @ 200 Ма 133 Na @ 27 V 34,3 В. 63 ОМ
1N6011B Fairchild Semiconductor 1n6011b 1.8400
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 163 1,2 - @ 200 Ма 100 Na @ 23 В 30 78 ОМ
RB751S40 Fairchild Semiconductor RB751S40 -
RFQ
 ECAD 1295 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SC-79, SOD-523F RB751 ШOTKIй SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 10 V -55 ° C ~ 125 ° C. 30 май -
MUR460FFG Fairchild Semiconductor Mur460ffg 1.0000
RFQ
 ECAD 4059 0,00000000 Fairchild Semiconductor SwitchMode ™ МАССА Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода Оос СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,28 w @ 4 a 75 м 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 4 а -
MMSZ5245B Fairchild Semiconductor MMSZ5245B -
RFQ
 ECAD 5050 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер SOD-123 MMSZ52 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 11 v 15 13 О
1N914BTR Fairchild Semiconductor 1n914btr 0,0300
RFQ
 ECAD 186 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 11 539 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 100 май 4 млн 5 мка прри 75 -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
ISL9K1560G3 Fairchild Semiconductor ISL9K1560G3 1.3300
RFQ
 ECAD 1008 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-ISL9K1560G3-600039 1
FEP16BTA Fairchild Semiconductor FEP16BTA 0,6100
RFQ
 ECAD 6792 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 Станода 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 346 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 16A 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
FDLL300 Fairchild Semiconductor FDLL300 0,2900
RFQ
 ECAD 436 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Станода SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 125 1 V @ 200 MMA 1 na @ 125 175 ° C (MMAKS) 200 май 6pf @ 0v, 1 мгест
FLZ2V7B Fairchild Semiconductor Flz2v7b 0,0200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2500 1,2 - @ 200 Ма 70 мк -перо 1 2,8 В. 35 ОМ
FFSPF0665A Fairchild Semiconductor FFSPF0665A -
RFQ
 ECAD 4447 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru 220-2 Sic (kremniewый karbid) TO-220F-2FS - Rohs Продан 2156-FFSPF0665A Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,75 В @ 6 a 0 м 200 мка @ 650 -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 361pf @ 1v, 100 kgц
1N459 Fairchild Semiconductor 1n459 1.0000
RFQ
 ECAD 5458 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n459 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 100 май 25 Na @ 175 V 175 ° C (MMAKS) 500 май 6pf @ 0v, 1 мгест
ISL9K3060G3 Fairchild Semiconductor ISL9K3060G3 1.6300
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Fairchild Semiconductor Stealth ™ МАССА Актифен Чereз dыru 247-3 Лавина 247 СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 184 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 30A 2,4 - @ 30 a 45 м 100 мк. -55 ° C ~ 175 ° C.
FFB20UP20DN Fairchild Semiconductor FFB20UP20DN 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 1,15 Е @ 10 a 40 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C.
BAV19 Fairchild Semiconductor BAV19 0,0200
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0070 2000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 120 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 100 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
BZX85C12T50A Fairchild Semiconductor BZX85C12T50A 0,0200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0050 15 000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 8,4 12 9 О
1N5254BTR Fairchild Semiconductor 1n5254btr -
RFQ
 ECAD 6698 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) - Rohs Продан 2156-1N5254444BTR-600039 1 100 Na @ 21 V 27 41 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть