SIC
close

Дидж (1290)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
FFSH2065A Fairchild Semiconductor FFSH2065A -
RFQ
 ECAD 9891 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-247-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-247-2 - Rohs Продан 2156-FFSH2065A-600039 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,75 - @ 20 a 0 м 200 мка @ 650 -55 ° C ~ 175 ° C. 25 а 1085pf @ 1V, 100 кгц
1N4735A Fairchild Semiconductor 1n4735a 0,0800
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3845-1N4735A Ear99 1 10 мк @ 3 В 6,2 В. 2 О
BZX85C5V6-T50R Fairchild Semiconductor BZX85C5V6-T50R 0,0400
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 - Продан DOSTISH 2156-BZX85C5V6-T50R-600039 1 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 2 5,6 В. 7 О
BZX79C33-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C33-T50A 0,0200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-BZX79C33-T50A-600039 1 1,5 Е @ 100 мая 50 NA @ 23,1 33 В 80 ОМ
MMSZ5254B Fairchild Semiconductor MMSZ5254B 0,0200
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер SOD-123 500 м SOD-123 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-MMSGGE5254B-600039 1 27 25 ОМ
BZX79C4V3-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C4V3-T50A -
RFQ
 ECAD 3271 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 6,98% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) - Rohs Neprigodnnый Продан 2156-BZX79C4V3-T50A Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 1 В 4,3 В. 90 ОМ
FFSH1665ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH1665ADN-F155 4.5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru 247-3 Sic (kremniewый karbid) 247-3 СКАХАТА Rohs Продан 2156-FFSH1665ADN-F155 Ear99 8541.10.0080 72 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 650 11a (DC) 1,75 В @ 8 a 0 м 200 мка @ 650 -55 ° C ~ 175 ° C.
1N4751A_NL Fairchild Semiconductor 1n4751a_nl -
RFQ
 ECAD 6630 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2000 5 мк -пр. 22,8 30 40 ОМ
1N4738A_NL Fairchild Semiconductor 1n4738a_nl 0,0400
RFQ
 ECAD 5216 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1970 10 мк. 8,2 В. 4,5 ОМ
BZX79C20 Fairchild Semiconductor BZX79C20 0,0200
RFQ
 ECAD 139 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79C20 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 Е @ 100 мая 50 Na @ 14 V 20 55 ОМ
BZX85C6V2 Fairchild Semiconductor Bzx85c6v2 0,0300
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 3 В 6,2 В. 4 О
1N962BTR Fairchild Semiconductor 1n962btr 0,0200
RFQ
 ECAD 4297 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0050 11 995 5 мка @ 8,4 11 9,5
BZX85C10TR5K Fairchild Semiconductor BZX85C10TR5K 0,0200
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0050 5000
BZX84C9V1 Fairchild Semiconductor BZX84C9V1 0,0200
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C9 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 500 NA @ 6 V 9.1. 15 О
MM5Z3V0 Fairchild Semiconductor MM5Z3V0 1.0000
RFQ
 ECAD 6267 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 6,67% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 10 мка @ 1 В 3 В 100 ОМ
MM5Z62V Fairchild Semiconductor MM5Z62V 0,0200
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 6% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523F MM5Z6 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 50 Na @ 43,4 62 215
1N4936 Fairchild Semiconductor 1n4936 0,0200
RFQ
 ECAD 7922 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода Оос СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6 173 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 - @ 1 a 300 млн 5 мка 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A -
MMSZ5249B Fairchild Semiconductor MMSZ5249B -
RFQ
 ECAD 2046 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ52 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 14 v 19 v 23 ОМ
1N4731ATR Fairchild Semiconductor 1n4731atr 0,0300
RFQ
 ECAD 249 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4731 1 Вт DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мка @ 1 В 4,3 В. 9 О
BZX84C6V8 Fairchild Semiconductor BZX84C6V8 0,0200
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C6 250 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 2 мка @ 4 В 6,8 В. 15 О
BZX85C24-T50R Fairchild Semiconductor BZX85C24-T50R 0,0300
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 17 V 24 25 ОМ
MMSZ5256B Fairchild Semiconductor MMSZ5256B 0,0200
RFQ
 ECAD 838 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 23 В 30 49 ОМ
MM5Z24V Fairchild Semiconductor MM5Z24V 0,0200
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 6% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523F MM5Z2 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 50 NA @ 16,8 24 70 ОМ
BZX84C24 Fairchild Semiconductor BZX84C24 -
RFQ
 ECAD 6689 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 16,8 24 70 ОМ
GBPC1208 Fairchild Semiconductor GBPC1208 1.1600
RFQ
 ECAD 760 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, GBPC Станода GBPC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 6 a 5 мк -400 12 а ОДИНАНАНА 800 В
1N5821 Fairchild Semiconductor 1n5821 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй 1n58 ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1603 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 900 мВ @ 9,4 а 2 мая @ 30 В -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
MMSD4148-D87Z-FS Fairchild Semiconductor MMSD4148-D87Z-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 175 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SOD-123 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
RHRG5060-F085 Fairchild Semiconductor RHRG5060-F085 -
RFQ
 ECAD 4183 0,00000000 Fairchild Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru ДО-247-2 RHRG5060 Станода ДО-247-2 - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) 2156-RHRG5060-F085 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 50 a 60 млн 250 мк -при 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 50 часов -
MMSZ5237B Fairchild Semiconductor MMSZ5237B 0,0200
RFQ
 ECAD 132 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер SOD-123 MMSZ52 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 3 мка рри 6,5 8,2 В. 6 ОМ
MMSZ5235B Fairchild Semiconductor MMSZ5235B 0,0200
RFQ
 ECAD 361 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 3 мка @ 5 6,8 В. 5 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть