SIC
close

Дидж (1290)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BAV70 Fairchild Semiconductor Bav70 0,0300
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bav70 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 75 215 май 1,25 В @ 150 4 млн 2,5 мка при 75 -55 ° C ~ 150 ° С.
FYP1004DNTU Fairchild Semiconductor FYP1004DNTU 0,4200
RFQ
 ECAD 88 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 10 часов 670 мВ @ 10 a 1 май @ 40 -65 ° С ~ 150 ° С.
MMSD4448 Fairchild Semiconductor MMSD4448 0,0300
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SOD-123 Станода SOD-123 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 10 764 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 100 май 4 млн 5 мка прри 75 150 ° C (MMAKS) 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
FLZ22VA Fairchild Semiconductor Flz22va 0,0200
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2500 1,2 - @ 200 Ма 133 Na @ 17 V 20,6 В. 25,6 ОМ
1N4729A Fairchild Semiconductor 1n4729a 0,0300
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 0,5% - Чereз dыru Оос 1n4729 1 Вт DO-41G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 май 100 мка @ 1 В 3,6 В. 10 ОМ
ISL9K460P3_Q Fairchild Semiconductor ISL9K460P3_Q 1.0000
RFQ
 ECAD 9365 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен - 0000.00.0000 1
BZX79C15-T50R Fairchild Semiconductor BZX79C15-T50R 0,0300
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 539 1,5 Е @ 100 мая 50 NA @ 10,5 15 30 ОМ
MBR1045 Fairchild Semiconductor MBR1045 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 MBR104 ШOTKIй ДО-220-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 840 мВ @ 20 a 100 мка 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
BAW56 Fairchild Semiconductor BAW56 0,0300
RFQ
 ECAD 104 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW56 Станода SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 85 200 май 1,25 В @ 150 6 м 2,5 мка прри 70 150 ° С
SB340 Fairchild Semiconductor SB340 0,2000
RFQ
 ECAD 2266 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 801 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 490 мВ @ 3 a 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
1N4938TR Fairchild Semiconductor 1n4938tr 0,0200
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0070 15 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 100 май 50 млн 100 Na @ 75 175 ° C (MMAKS) 500 май 5pf @ 0v, 1 мгц
BZX85C6V8 Fairchild Semiconductor BZX85C6V8 0,0300
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85C6 1,3 DO-41G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 4 В 6,8 В. 3,5 ОМ
RURD620CCS9A-SB82068 Fairchild Semiconductor RURD620CCS9A-SB82068 0,8700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода 252, (D-PAK) СКАХАТА Neprigodnnый Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 6A 1 V @ 6 A 30 млн 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C.
FFA10U120DNTU Fairchild Semiconductor FFA10U120DNTU 1.6200
RFQ
 ECAD 902 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 Станода 12 с СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 1200 10 часов 3,5 - @ 10 a 100 млн 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
ES1DAF Fairchild Semiconductor Es1daf 0,2600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Fairchild Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Пефер DO-214AD, SMAF Es1d Станода DO-214AD (SMAF) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1152 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 34 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
FMKA130 Fairchild Semiconductor FMKA130 0,1000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 30 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A -
LL4148 Fairchild Semiconductor LL4148 1.0000
RFQ
 ECAD 7199 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL414 Станода SOD-80C СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -50 ° C ~ 175 ° C. 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
FDH300ATR Fairchild Semiconductor FDH300ATR 0,0200
RFQ
 ECAD 5187 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 125 1 V @ 200 MMA 1 na @ 125 175 ° C (MMAKS) 200 май 6pf @ 0v, 1 мгест
S2G Fairchild Semiconductor S2G -
RFQ
 ECAD 1975 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода SMB (DO-214AA) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,15 h @ 2 a 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
BAY80 Fairchild Semiconductor Bay80 0,0200
RFQ
 ECAD 8133 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Neprigodnnый Ear99 8541.10.0070 550 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1 V @ 150 мая 60 млн 100 na @ 120 175 ° C (MMAKS) 200 май 6pf @ 0v, 1 мгест
1N4750A Fairchild Semiconductor 1n4750a 0,0300
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 9 779 5 мка прри 20,6 27 35 ОМ
ES1D Fairchild Semiconductor Es1d -
RFQ
 ECAD 1930 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC, SMA СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 602 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 920 мВ @ 1 a 15 млн 5 мка При 200 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
FFAF15U20DNTU Fairchild Semiconductor FFAF15U20DNTU 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack Станода To-3pf СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 360 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 15A 1,2 - @ 15 A 40 млн 15 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
EGP20C Fairchild Semiconductor EGP20C 0,2100
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-EGP20C-600039 1401 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 50 млн 5 мк -прри 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 70pf @ 4V, 1 мгха
1N4749A-T50R Fairchild Semiconductor 1n4749a-t50r 0,0300
RFQ
 ECAD 2633 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4749 1 Вт DO-41 СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 1 5 мк. 24 25 ОМ
SB560 Fairchild Semiconductor SB560 1.0000
RFQ
 ECAD 3074 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 670 мВ @ 5 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
BZX79C51 Fairchild Semiconductor BZX79C51 0,0200
RFQ
 ECAD 139 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79C51 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 Е @ 100 мая 500 NA @ 35,7 51 180 ОМ
1N5401 Fairchild Semiconductor 1n5401 -
RFQ
 ECAD 8738 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода Оос СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2746 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 3 a 10 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A -
S100 Fairchild Semiconductor S100 0,2300
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА 0000.00.0000 1311 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 1 a 200 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 1A -
FDH333_Q Fairchild Semiconductor FDH333_Q 0,6200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть