SIC
close

Дидж (1290)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
EGP10C Fairchild Semiconductor EGP10C 0,1300
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 2,576 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мк -прри 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A -
SB550 Fairchild Semiconductor SB550 -
RFQ
 ECAD 9934 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 670 мВ @ 5 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
US1AFA Fairchild Semiconductor US1AFA 1.0000
RFQ
 ECAD 4051 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SOD-123W Станода SOD-123FA СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
DFB2010 Fairchild Semiconductor DFB2010 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p Станода TS-6p СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 240 1.1 V @ 20 a 10 мк -прри 50 20 а ОДИНАНАНА 100
MMSD3070 Fairchild Semiconductor MMSD3070 1.0000
RFQ
 ECAD 6659 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SOD-123 Станода SOD-123 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1 V @ 100 май 50 млн 100 Na @ 175 V 150 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
MBR3030CTTU Fairchild Semiconductor MBR3030CTTU -
RFQ
 ECAD 2349 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен - 0000.00.0000 1
MMBD1401A Fairchild Semiconductor MMBD1401A 0,0300
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Станода SOT-23-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 175 1 V @ 200 MMA 50 млн 100 Na @ 175 V 150 ° C (MMAKS) 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
DFB2505 Fairchild Semiconductor DFB2505 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p DFB25 Станода TS-6p СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 199 1.1 V @ 25 A 10 мк -прри 50 25 а ОДИНАНАНА 50
1N4753A-T50A Fairchild Semiconductor 1n4753a-t50a 0,0300
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 9 366 5 мк. 36 50 ОМ
1N4745ATR Fairchild Semiconductor 1n4745atr 0,0300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4745 1 Вт DO-41 СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 10,193 5 мк. 16 16 ОМ
RURP1560-F085 Fairchild Semiconductor RURP1560-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 1525 0,00000000 Fairchild Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 RURP1560 Станода ДО-220-2 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 - @ 15 A 70 млн 100 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 15A -
1N5231BTR Fairchild Semiconductor 1n5231btr -
RFQ
 ECAD 1610 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 2 5,1 В. 17 О
MM3Z6V8C Fairchild Semiconductor MM3Z6V8C 0,0300
RFQ
 ECAD 126 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F 200 м SOD-323F СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 8 663 1 V @ 10 мая 1,8 мка При 4в 6,8 В. 14 ОМ
MBR1560CT Fairchild Semiconductor MBR1560CT 1.0000
RFQ
 ECAD 5560 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru 220-3 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 15A 900 мВ @ 15 A 1 мая @ 60 -65 ° С ~ 150 ° С.
RHRG75120 Fairchild Semiconductor RHRG75120 -
RFQ
 ECAD 3744 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-247-2 Станода ДО-247-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 3.2 V @ 75 A 100 млн 250 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 75а -
ES1A Fairchild Semiconductor Es1a 1.0000
RFQ
 ECAD 2704 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC, SMA СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 920 мВ @ 1 a 15 млн 5 мка прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
1N4739A-T50A Fairchild Semiconductor 1n4739a-t50a 0,0500
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 6,411 10 мк -прри 7в 9.1. 5 ОМ
GBPC1204W Fairchild Semiconductor GBPC1204W 2.4800
RFQ
 ECAD 626 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, GBPC-W Станода GBPC-W СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 122 1.1 V @ 6 a 5 мка 400 12 а ОДИНАНАНА 400
1N4746ATR Fairchild Semiconductor 1n4746atr -
RFQ
 ECAD 7736 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 1 5 мк. 18 20 ОМ
1N5236B Fairchild Semiconductor 1n5236b 0,0300
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 500 м - СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 539 3 мка пр. 6в 7,5 В. 6 ОМ
1N4739ATR Fairchild Semiconductor 1n4739atr 0,0300
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 053 10 мк -прри 7в 9.1. 5 ОМ
DF005M Fairchild Semiconductor DF005M 0,2300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 мм) Станода DFM СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1296 1.1 V @ 1 a 10 мк -прри 50 1 а ОДИНАНАНА 50
BZX79C3V6-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C3V6-T50A 0,0200
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 15 000 1,5 Е @ 100 мая 15 мк 3,6 В. 90 ОМ
SS13 Fairchild Semiconductor SS13 0,1200
RFQ
 ECAD 416 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 2435 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 200 мка прри 30 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A -
GBPC12005 Fairchild Semiconductor GBPC12005 -
RFQ
 ECAD 1499 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата, GBPC Станода GBPC СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 6 a 5 мка прри 50 12 а ОДИНАНАНА 50
GBPC1508 Fairchild Semiconductor GBPC1508 2.5700
RFQ
 ECAD 4019 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата, GBPC Станода GBPC СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 100 1,1 В @ 7,5 А 5 мк -400 15 а ОДИНАНАНА 800 В
GBPC2510W Fairchild Semiconductor GBPC2510W -
RFQ
 ECAD 1579 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, GBPC-W Станода GBPC-W СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 1,1 В @ 12,5 А 5 мка @ 1 В 25 а ОДИНАНАНА 1 к
SS23 Fairchild Semiconductor SS23 1.0000
RFQ
 ECAD 6808 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -65 ° C ~ 125 ° C. 2A -
EGP20K Fairchild Semiconductor EGP20K 0,2500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк -400 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 45pf @ 4V, 1 мгест
1N457TR Fairchild Semiconductor 1n457tr 0,0400
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 8 172 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 20 мая 25 Na @ 60 V 175 ° C (MMAKS) 200 май 8pf @ 0v, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть