SIC
close

Дидж (1290)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
FDLL914 Fairchild Semiconductor FDLL914 0,0300
RFQ
 ECAD 137 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Станода SOD-80 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 11 539 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 175 ° C (MMAKS) 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
SS28 Fairchild Semiconductor SS28 -
RFQ
 ECAD 9924 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 850 мВ @ 2 a 400 мкр. -65 ° C ~ 125 ° C. 2A -
RHRP30120 Fairchild Semiconductor RHRP30120 -
RFQ
 ECAD 9134 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 3,2 В @ 30 A 85 м 250 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 30A -
BZX79C39 Fairchild Semiconductor BZX79C39 0,0200
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 15 000 1,5 Е @ 100 мая 50 NA @ 27,3 39 130 ОМ
BAT54CWT1G Fairchild Semiconductor BAT54CWT1G -
RFQ
 ECAD 7445 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SC-70, SOT-323 BAT54 ШOTKIй SC-70-3 (SOT323) СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 30 200 май (DC) 800 мВ @ 100 мая 5 млн 2 мка 4 25 -55 ° C ~ 125 ° C.
DF01M Fairchild Semiconductor DF01M 0,2600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 мм) Станода DFM СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1151 1.1 V @ 1 a 10 мк -пки 100 1 а ОДИНАНАНА 100
FFH60UP40S3 Fairchild Semiconductor FFH60UP40S3 1.0000
RFQ
 ECAD 9759 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru 247-3 Станода 247 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 60 A 85 м 100 мк 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 60A -
1N4752ATR Fairchild Semiconductor 1n4752atr 0,0300
RFQ
 ECAD 9158 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 8,208 5 мк. 33 В 45 ОМ
1N4148 Fairchild Semiconductor 1N4148 -
RFQ
 ECAD 4088 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n414 Станода DO-35 СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
MM3Z8V2C Fairchild Semiconductor MM3Z8V2C 0,0300
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F 200 м SOD-323F СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 8586 1 V @ 10 мая 630 NA @ 5 V 8,2 В. 14 ОМ
1N5260B Fairchild Semiconductor 1n5260b 2.0500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 159 1,5 - @ 200 Ма 100 na @ 33 43 В. 93 ОМ
GBU8G Fairchild Semiconductor GBU8G -
RFQ
 ECAD 2664 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP, GBU Станода GBU СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 146 1 V @ 8 A 5 мка 400 5,6 а ОДИНАНАНА 400
DF005S1 Fairchild Semiconductor DF005S1 0,2100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло Станода 4-Sdip СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1 a 3 мка При 50 В 1 а ОДИНАНАНА 50
MMSZ5243B Fairchild Semiconductor MMSZ5243B -
RFQ
 ECAD 9857 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 500 NA @ 9,9 13 13 О
BZX84C27 Fairchild Semiconductor BZX84C27 0,0200
RFQ
 ECAD 91 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 50 NA @ 18,9 27 80 ОМ
MMSZ5236B Fairchild Semiconductor MMSZ5236B 0,0200
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер SOD-123 MMSZ52 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 3 мка пр. 6в 7,5 В. 5 ОМ
MM5Z36V Fairchild Semiconductor MM5Z36V 1.0000
RFQ
 ECAD 9820 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 6% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523F MM5Z3 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 50 NA @ 25,2 36 90 ОМ
MMSZ5246B Fairchild Semiconductor MMSZ5246B 1.0000
RFQ
 ECAD 8636 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 12 v 16 17 О
1N5402 Fairchild Semiconductor 1n5402 -
RFQ
 ECAD 7746 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй 1n5402 Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,2 V @ 3 a 1,5 мкс 200 na @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C. 3A -
1N5255B Fairchild Semiconductor 1n5255b -
RFQ
 ECAD 2887 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 0,5% - Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5255 500 м - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 900 мВ @ 200 100 Na @ 21 V 28 44 ОМ
BZX84C3V6 Fairchild Semiconductor BZX84C3V6 0,0200
RFQ
 ECAD 131 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bzx84c3 250 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 5 мка @ 1 В 3,6 В. 90 ОМ
BZX84C13 Fairchild Semiconductor BZX84C13 0,0200
RFQ
 ECAD 178 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C13 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 13 30 ОМ
BZX84C33 Fairchild Semiconductor BZX84C33 -
RFQ
 ECAD 4290 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 50 NA @ 23,1 33 В 80 ОМ
BAW62 Fairchild Semiconductor BAW62 0,0200
RFQ
 ECAD 247 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BAW62 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 75 1 V @ 100 май 4 млн 5 мка прри 75 175 ° C (MMAKS) 300 май 2pf @ 0v, 1 мгест
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1n4751a-t50a 0,0500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4751 1 Вт DO-41 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 5 мк -пр. 22,8 30 40 ОМ
BZX79C2V7-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C2V7-T50A 0,0200
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79C2 500 м DO-35 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 Е @ 100 мая 75 мка При 1в 2,7 В. 100 ОМ
SS24 Fairchild Semiconductor SS24 0,0900
RFQ
 ECAD 5399 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS24 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 11 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 400 мкр 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 2A -
BZX85C5V6 Fairchild Semiconductor BZX85C5V6 0,0300
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85C5 1,3 DO-41G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 2 5,6 В. 7 О
1S921TR Fairchild Semiconductor 1S921TR 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1S92 Станода DO-35 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 0000.00.0000 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,2 - @ 200 Ма 100 na @ 100 v 200 май -
BZX85C18 Fairchild Semiconductor BZX85C18 0,0300
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 12,5 18 20 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть