Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Скороп | Коунфигурахия | На | Ток - Средниги ипра. | На | ВОЗНАЯ ВОЗНА | Ток - Обратна тебе | Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | Ток - Среднигиисправейни (io) | Emcostath @ vr, f | Дип | Napraheneee - пик в | КОГИГИОН ЭМКОСТИ | СОСТОЧНАЯ ВОЗДЕЛИТЬСЯ | Q @ VR, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TRS6A65F, S1Q | 2.7600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | Чereз dыru | 220-2 | TRS6A65 | Sic (kremniewый karbid) | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Верниони -весановейн> 500 май (io) | 650 | 1,6 @ 6 a | 0 м | 30 мк @ 650 | 175 ° C (MMAKS) | 6A | 22pf @ 650V, 1 мгновение | ||||||||||||
![]() | CUS357, H3F | 0,1900 | ![]() | 96 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SC-76, SOD-323 | Cus357 | ШOTKIй | USC | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3000 | Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning | 40 | 600 мВ @ 100 мая | 5 мка 40, | 125 ° C (MMAKS) | 100 май | 11pf @ 0v, 1 мгест | |||||||||||
![]() | TBAV99, LM | 0,2000 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TBAV99 | Станода | SOT-23-3 | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3000 | Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning | 1 -й | 80 | 100 май | 1,25 В @ 150 | 4 млн | 500 NA @ 80 V | 125 ° C (MMAKS) | ||||||||||
![]() | CLS03 (TE16R, Q) | - | ![]() | 7771 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | ||||||||||||
![]() | CLS03 (T6L, Cano-O, Q. | - | ![]() | 8132 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | ||||||||||||
![]() | TRS6E65H, S1Q | 2.3200 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | Чereз dыru | ДО-220-2 | Sic (kremniewый karbid) | ДО-220-2L | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | 264 TRS6E65H, S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Верниони -весановейн> 500 май (io) | 650 | 1,35 - @ 6 a | 0 м | 70 мк -пр. 650 | 175 ° С | 6A | 392pf @ 1V, 1 мгест | ||||||||||
![]() | 1SS402TE85LF | 0,3800 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SC-82 | 1SS402 | ШOTKIй | USQ | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3000 | Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning | 2 neзaviymый | 20 | 50 май | 550 м. | 500 NA @ 20 V | 125 ° C (MMAKS) | |||||||||||
![]() | CMG03A, LQ (м | - | ![]() | 7420 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Коробка | Актифен | Пефер | SOD-128 | Станода | M-Flat (2,4x3,8) | СКАХАТА | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) | 600 | 1.1 V @ 2 A | 5 мк. | 150 ° С | 2A | - | ||||||||||||||
![]() | 1sv285tph3f | 0,0834 | ![]() | 9414 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | 125 ° C (TJ) | Пефер | SC-79, SOD-523 | 1SV285 | ЭСК | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4000 | 2,35PF @ 4V, 1 мгновение | Одинокий | 10 | 2.3 | C1/C4 | - | ||||||||||||
![]() | CUHS15S60, H3F | 0,4900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | 2-й, Плоскин С.С. | ШOTKIй | US2H | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 670 мв 1,5 а | 450 мк -при 60 | 150 ° С | 1,5а | 130pf @ 0V, 1 мгест | ||||||||||||
CMS04 (TE12L, Q, M) | 0,7800 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-128 | CMS04 | ШOTKIй | M-Flat (2,4x3,8) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 370 мВ @ 5 a | 8 май @ 30 В | -40 ° C ~ 125 ° C. | 5A | 330pf @ 10v, 1 мгест | ||||||||||||
![]() | CBS10S40, L3F | 0,4300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | 2-SMD, neTLIDERSTVA | CBS10S40 | ШOTKIй | CST2B | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 40 | 550 мВ @ 1 a | 150 мка 4 40 | 125 ° C (MMAKS) | 1A | 120pf @ 0V, 1 мгест | |||||||||||
![]() | CRS10I30B (TE85L, QM | 0,4100 | ![]() | 9920 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-123F | ШOTKIй | S-Flat (1,6x3,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 420 мВ @ 1 a | 60 мка прри 30в | 150 ° С | 1A | 50pf @ 10 v, 1 mmgц | ||||||||||||
![]() | CLS03 (TE16L, SQC, Q) | - | ![]() | 9458 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | ||||||||||||
![]() | TRS12E65H, S1Q | 3.2700 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | Чereз dыru | ДО-220-2 | Sic (kremniewый karbid) | ДО-220-2L | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | 264 TRS12E65H, S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Верниони -весановейн> 500 май (io) | 650 | 1,35 Е @ 12 A | 0 м | 120 мк -при 650 | 175 ° С | 12A | 778pf @ 1V, 1 мгновение | ||||||||||
CRS01 (TE85L, Q, M) | 0,3900 | ![]() | 51 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-123F | CRS01 | ШOTKIй | S-Flat (1,6x3,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 360 мВ @ 1 a | 1,5 мая @ 30 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 1A | 40pf @ 10 v, 1 мгновение | ||||||||||||
CMH05A (TE12L, Q, M) | - | ![]() | 6271 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | Пефер | SOD-128 | CMH05A | Станода | M-Flat (2,4x3,8) | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 400 | 1,8 - @ 1 a | 35 м | 10 мка 400 | -40 ° С ~ 150 ° С. | 1A | - | |||||||||||
![]() | TRS10E65H, S1Q | 2.8900 | ![]() | 340 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | Чereз dыru | ДО-220-2 | Sic (kremniewый karbid) | ДО-220-2L | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | 264 TRS10E65H, S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Верниони -весановейн> 500 май (io) | 650 | 1,35 В @ 10 a | 0 м | 100 мк @ 650 | 175 ° С | 10 часов | 649pf @ 1V, 1 мгха | ||||||||||
![]() | 1SS226, LF | 0,2300 | ![]() | 5380 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS226 | Станода | S-Mini | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | 264-1SS226, LFCT | Ear99 | 8541.10.0070 | 3000 | Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning | 1 -й | 80 | 100 май | 1,2 Е @ 100 мая | 4 млн | 500 NA @ 80 V | 125 ° C (MMAKS) | |||||||||
![]() | 1SS405, H3F | 0,2700 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SC-79, SOD-523 | 1SS405 | ШOTKIй | ЭСК | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0070 | 4000 | Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning | 20 | 550 м. | 500 NA @ 20 V | 125 ° C (MMAKS) | 50 май | 3,9PF @ 0V, 1 мгест | |||||||||||
CMS20I30A (TE12L, QM | 0,5800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-128 | CMS20 | ШOTKIй | M-Flat (2,4x3,8) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 450 мВ @ 2 a | 100 мк. | 150 ° C (MMAKS) | 2A | 82pf @ 10V, 1 мгха | ||||||||||||
![]() | CRG07 (TE85L, Q, M) | 0,4000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-123F | CRG07 | Станода | S-Flat (1,6x3,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) | 400 | 1.1 @ 700 мая | 10 мка 400 | 175 ° C (MMAKS) | 700 май | - | |||||||||||
![]() | CTS521, L3F | 0,2000 | ![]() | 191 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-882 | CTS521 | ШOTKIй | CST2 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 500 м. @ 200 Ма | 30 мк. | 125 ° C (MMAKS) | 200 май | 25pf @ 0v, 1 мгест | |||||||||||
![]() | TRS20N65FB, S1F (с | - | ![]() | 1932 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | Чereз dыru | 247-3 | TRS20N65 | Sic (kremniewый karbid) | 247 | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TRS20N65FBS1F (с | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Верниони -весановейн> 500 май (io) | 1 пар | 650 | 10a (DC) | 1,7 - @ 10 a | 0 м | 90 мк -пр. 650 | 175 ° C (MMAKS) | |||||||||
![]() | 1SS190TE85LF | 0,3500 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS190 | Станода | SC-59-3 | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3000 | Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning | 80 | 1,2 Е @ 100 мая | 4 млн | 500 NA @ 80 V | 125 ° C (MMAKS) | 100 май | 4pf @ 0V, 1 мгест | ||||||||||
CMS11 (TE12L, Q, M) | 0,6000 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-128 | CMS11 | ШOTKIй | M-Flat (2,4x3,8) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 40 | 550 мВ @ 2 a | 500 мк. | -40 ° С ~ 150 ° С. | 2A | 95pf @ 10V, 1 мгха | ||||||||||||
![]() | CLH05 (TE16R, Q) | - | ![]() | 3564 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLH05 | Станода | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 200 | 980mw @ 5 a | 35 м | 10 мк. | -40 ° С ~ 150 ° С. | 5A | - | |||||||||||
![]() | Cus15S30, H3F | 0,3500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SC-76, SOD-323 | Cus15S30 | ШOTKIй | USC | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 400 мВ @ 1 a | 500 мк. | 125 ° C (MMAKS) | 1,5а | 200pf @ 0v, 1 мгест | |||||||||||
CMS03 (TE12L) | - | ![]() | 2598 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Веса | Управо | Пефер | SOD-128 | CMS03 | ШOTKIй | M-Flat (2,4x3,8) | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 450 мВ @ 3 a | 500 мк. | -40 ° С ~ 150 ° С. | 3A | - | ||||||||||||
![]() | CUS05S30, H3F | 0,3100 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SC-76, SOD-323 | Cus05S30 | ШOTKIй | USC | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 340 мВ @ 100 мая | 150 мк -при 10 | 125 ° C (MMAKS) | 500 май | 55pf @ 0v, 1 мгест |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе