SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZV55B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V4 0,0504
RFQ
 ECAD 6430 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B2V4TR Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 50 мк @ 1 В 2,4 В. 85 ОМ
SS36 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS36 R7 -
RFQ
 ECAD 5069 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS36R7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
BZD17C24P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C24P M2G -
RFQ
 ECAD 1391 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,83% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24 15 О
HERF1604G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1604G 0,7206
RFQ
 ECAD 9363 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка HERF1604 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 16A 1 V @ 8 A 50 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMC5352 M6 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 M6 -
RFQ
 ECAD 3206 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1SMC5352M6TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка рри 11,5 15 2,5 ОМ
SS23L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS23L RHG -
RFQ
 ECAD 7672 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS23 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZD17C100P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P RVG 0,3540
RFQ
 ECAD 8116 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 75 100 200 ОМ
BZS55C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C2V7 0,0340
RFQ
 ECAD 4812 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZS55C2V7TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 10 мка @ 1 В 2,7 В. 85 ОМ
SS110 Taiwan Semiconductor Corporation SS110 0,0686
RFQ
 ECAD 3289 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SS110 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 мВ @ 1 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
AZ23C3V9 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C3V9 RFG 0,0786
RFQ
 ECAD 5014 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 3,9 В. 95 ОМ
BZT52C33-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C33-G RHG 0,0445
RFQ
 ECAD 7427 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 23,1 33 В 80 ОМ
TSP10U45S Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U45S 0,5346
RFQ
 ECAD 5771 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TSP10 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSP10U45Str Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 460 мВ @ 10 a 300 мкр 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
UF1A A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1A A0G -
RFQ
 ECAD 6873 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1A Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
6A20G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20G B0G -
RFQ
 ECAD 5485 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно Чereз dыru R-6, osevoй 6A20 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 400 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 6 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
RS1GLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1GLHM2G -
RFQ
 ECAD 2517 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
KBPF306G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF306G B0G -
RFQ
 ECAD 2956 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBPF Станода KBPF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH KBPF306GB0G Ear99 8541.10.0080 720 1.1 V @ 3 a 5 мк -400 3 а ОДИНАНАНА 800 В
SRF10200HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF10200HC0G -
RFQ
 ECAD 1389 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF10200 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 5 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
DBLS107GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS107GHC1G -
RFQ
 ECAD 3233 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло DBLS107 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 a 2 мка рри 1000 1 а ОДИНАНАНА 1 к
BZD27C15P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P RTG -
RFQ
 ECAD 3154 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 11 В 14,7 В. 10 ОМ
SFAF801GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF801GHC0G -
RFQ
 ECAD 1835 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF801 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 90pf @ 4V, 1 мгха
ES1DLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhrhg -
RFQ
 ECAD 4765 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD17C18P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P M2G -
RFQ
 ECAD 5565 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 18 15 О
BZT52C47-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C47-G 0,0424
RFQ
 ECAD 2882 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C47-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 Na @ 33 V 47 В 170 ОМ
SFAF508G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF508G 0,7129
RFQ
 ECAD 2636 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF508 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 5 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 70pf @ 4V, 1 мгха
SR4040PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4040PT C0G -
RFQ
 ECAD 4980 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SR4040 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 40a 550 м. @ 20 a 1 май @ 40 -55 ° C ~ 125 ° C.
BZT52B47S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B47S 0,0389
RFQ
 ECAD 9242 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Bzt52b47str Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 45 Na @ 33 V 47 В 170 ОМ
1N5407GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407GH 0,1455
RFQ
 ECAD 2796 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5407 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 3 a 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
US1DH Taiwan Semiconductor Corporation US1DH 0,0907
RFQ
 ECAD 6266 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA US1D Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1SMC5352H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352H 0,3459
RFQ
 ECAD 7434 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1SMC53 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка рри 11,5 15 2,5 ОМ
KBP203G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP203G C2 -
RFQ
 ECAD 9531 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBP Станода KBP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1,2 - @ 2 a 10 мк. 2 а ОДИНАНАНА 200
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть