SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
MBR30L100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L100CT -
RFQ
 ECAD 6776 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-3 MBR30 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 30A 770 мВ @ 15 A 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
RSFMLH Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlh 0,1680
RFQ
 ECAD 8676 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RSFMLHTR Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 @ 500 мая 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
MBR1050CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1050CTHC0G -
RFQ
 ECAD 2162 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR1050 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 10 часов 900 мВ @ 10 a 100 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
UGF1606G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1606G 0,5920
RFQ
 ECAD 2823 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка UGF1606 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 400 16A 1,25 - @ 8 a 25 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C.
BZD27C24P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P Mtg -
RFQ
 ECAD 3111 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
PU2BAH Taiwan Semiconductor Corporation PU2BAH 0,5300
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 930 мВ @ 2 a 25 млн 2 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 33pf @ 4V, 1 мгест
HS1DL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL R3G -
RFQ
 ECAD 5405 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
1N5817 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5817 B0G -
RFQ
 ECAD 6962 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5817 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 450 мВ @ 1 a 1 мая @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 55pf @ 4V, 1 мгха
SK310B Taiwan Semiconductor Corporation SK310B 0,1121
RFQ
 ECAD 4239 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK310 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SR815 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR815 A0G -
RFQ
 ECAD 5564 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR815 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,02 В @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
FR303G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR303G A0G -
RFQ
 ECAD 7201 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй FR303 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
SR809 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR809 A0G -
RFQ
 ECAD 2680 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR809 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 920 мВ @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
AZ23C43 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C43 0,0786
RFQ
 ECAD 1248 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-AZ23C43TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 32 43 В. 100 ОМ
BZD27C6V8P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P M2G -
RFQ
 ECAD 6464 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
BZT52C12-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C12-G RHG 0,0445
RFQ
 ECAD 8263 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
BZT52C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7 0,0412
RFQ
 ECAD 5794 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C2V7TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 18 мка @ 1 В 2,7 В. 100 ОМ
RS2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2B R5G -
RFQ
 ECAD 6029 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB RS2B Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ2V4SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V4SA R0G 0,0305
RFQ
 ECAD 6800 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj2 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 120 мк -перо 1 2,43 В. 100 ОМ
RS3J R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3J R7G -
RFQ
 ECAD 7350 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1.3 V @ 3 a 250 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SRAF590HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF590HC0G -
RFQ
 ECAD 6956 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SRAF590 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZD17C36P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RHG -
RFQ
 ECAD 7098 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 27 36 40 ОМ
1N5235B Taiwan Semiconductor Corporation 1n5235b 0,0271
RFQ
 ECAD 4821 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5235 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N5235btr Ear99 8541.10.0050 10000 1,1 - @ 200 Ма 3 мка @ 5 6,8 В. 5 ОМ
ESH1DM RSG Taiwan Semiconductor Corporation ESH1DM RSG 0,4700
RFQ
 ECAD 231 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. ESH1 Станода МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,5 - @ 1 a 25 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 3pf @ 4V, 1 мгест
SR1204HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1204HA0G -
RFQ
 ECAD 8944 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR1204 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 12 A 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
GBPC3510 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510 T0G -
RFQ
 ECAD 5547 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата, GBPC GBPC3510 Станода GBPC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 1,1 В @ 17,5 а 5 мк -пр. 1000 35 а ОДИНАНАНА 1 к
SR804 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR804 A0G -
RFQ
 ECAD 3222 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR804 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
SR105 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR105 A0G 0,5000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR105 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1004GH 0,5732
RFQ
 ECAD 5328 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1004 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SF1004GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 975 MV @ 5 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C33P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P MQG -
RFQ
 ECAD 4307 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 24 33 В 15 О
RSFDL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFDL RTG -
RFQ
 ECAD 1753 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFDL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть