SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZV55B6V8 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B6V8 L0G 0,0357
RFQ
ECAD 8778 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
TSSA5U50HE3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50HE3G 0,2817
RFQ
ECAD 8392 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA TSSA5 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 540 мВ @ 5 a 300 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
MTZJ16SA Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj16sa 0,0305
RFQ
ECAD 5211 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj16 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ16SATR Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 12 v 15.19 40 ОМ
RSFBL MHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBL MHG -
RFQ
ECAD 9343 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFBL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SK36AH Taiwan Semiconductor Corporation SK36AH 0,1164
RFQ
ECAD 9421 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK36 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 720 мВ @ 3 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
2M20ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M20ZH 0,1667
RFQ
ECAD 9531 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M20 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 15,2 20 11 О
1N4749AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4749aha0g -
RFQ
ECAD 1728 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4749 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мк. 24 25 ОМ
HER157G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER157G A0G -
RFQ
ECAD 4187 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER157 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1В @ 1,5 а 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
RSFKL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFKL R3G -
RFQ
ECAD 6934 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFKL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 @ 500 мая 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SS310HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SS310HR7G -
RFQ
ECAD 9416 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS310 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1N4936G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4936g 0,0577
RFQ
ECAD 4387 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4936 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SF64GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF64GHB0G -
RFQ
ECAD 8516 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF64 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 6 A 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 100pf @ 4V, 1 мгха
SFT16GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT16GHA0G -
RFQ
ECAD 2553 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SFT16 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
1SMA200Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA200Z R3G 0,7100
RFQ
ECAD 18 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA200 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка При 152 200 1500 ОМ
BZX85C51 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C51 0,0645
RFQ
ECAD 1454 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX85C51TR Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 10 мая 500 NA @ 36 V 51 115
ES1HL MTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL Mtg -
RFQ
ECAD 4085 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1h Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 1V, 1 мгест
HS1BL RFG Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL RFG -
RFQ
ECAD 1258 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
SR2090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2090PTHC0G -
RFQ
ECAD 9375 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 247-3 SR2090 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 20 часов 920 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMA4764HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4764HR3G -
RFQ
ECAD 5098 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4764 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка При 76 100 350 ОМ
BZD27C7V5PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHMHG -
RFQ
ECAD 7471 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 3 В 7,45 В. 2 О
TSF40L200C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L200C 2.6600
RFQ
ECAD 12 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSF40 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 980 мВ @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZS55C4V3 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C4V3 RXG 0,0340
RFQ
ECAD 2624 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 1 мка @ 1 В 4,3 В. 80 ОМ
SS110L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS110L Mtg -
RFQ
ECAD 9515 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS110 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 мВ @ 1 a 50 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
LSR105 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LSR105 L0G -
RFQ
ECAD 5477 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF LSR105 ШOTKIй Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 1 мая @ 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 80pf @ 4V, 1 мгха
SS22LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS22lhrfg -
RFQ
ECAD 1118 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS22 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MBR10H200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR10H200CT 0,5148
RFQ
ECAD 4451 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR10 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 970 мВ @ 10 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C.
ES2JAH Taiwan Semiconductor Corporation Es2jah 0,1338
RFQ
ECAD 5429 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Es2j Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
HER105G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER105G B0G -
RFQ
ECAD 4917 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй HER105 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SR204HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR204HB0G -
RFQ
ECAD 3147 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SR204 ШOTKIй DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 2 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
ES1JLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1jlhrtg -
RFQ
ECAD 7175 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1j Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе