SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
TST30L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30L200CW 2.5200
RFQ
 ECAD 71 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST30 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 960 мВ @ 15 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
HER201G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G A0G -
RFQ
 ECAD 2180 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER201 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 2 A 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 35pf @ 4V, 1 мгест
1N5246B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5246B A0G 0,3100
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Актифен ± 5% 100 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5246 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,1 - @ 200 Ма 100 na @ 12 v 16 17 О
ZM4756A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4756A L0G 0,0830
RFQ
 ECAD 1153 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF ZM4756 1 Вт Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 35,8 47 В 80 ОМ
1SMB5926H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926H 0,1560
RFQ
 ECAD 4143 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5926 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 8,4 11 5,5 ОМ
BZD27C62P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62P RVG 0,3900
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 47 62 80 ОМ
GP1002 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1002 C0G -
RFQ
 ECAD 6996 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 GP1002 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 100 10 часов 1.1 V @ 5 A 2 мк -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRI30100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRI30100CT 0,9495
RFQ
 ECAD 7840 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA MBRI30100 ШOTKIй I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 30A 940 мВ @ 30 a 200 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C24PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PHRQG -
RFQ
 ECAD 5931 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
BZD27C22PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PW 0,4800
RFQ
 ECAD 264 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 MMA 1 мка @ 16 22 15 О
BZV55B18 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B18 L1G -
RFQ
 ECAD 7033 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 100 na @ 13 v 18 50 ОМ
SR502 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR502 B0G -
RFQ
 ECAD 3711 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR502 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 5A -
S12KC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S12KC R7 -
RFQ
 ECAD 1129 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S12Kcr7tr Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 12 A 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ33SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SB 0,0305
RFQ
 ECAD 5533 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй MTZJ33 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ33SBTR Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 25 v 31.1 V. 65 ОМ
1N4761AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4761aha0g -
RFQ
 ECAD 1873 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4761 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 56 75 175
SS36LW Taiwan Semiconductor Corporation SS36LW 0,4100
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS36 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 3 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
BZS55C36 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C36 RXG 0,0340
RFQ
 ECAD 6061 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 27 36 80 ОМ
AZ23C9V1 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C9V1 RFG 0,0786
RFQ
 ECAD 9941 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 7 v 9.1. 10 ОМ
ES1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation Es1jlw rvg 0,1458
RFQ
 ECAD 4933 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C24P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P MQG -
RFQ
 ECAD 2066 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
RS2D Taiwan Semiconductor Corporation Rs2d 0,0946
RFQ
 ECAD 8493 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Rs2d Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
SRA10150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA10150 C0G -
RFQ
 ECAD 9583 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 SRA10150 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
TS15P06G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P06G C2G -
RFQ
 ECAD 8381 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS15P06 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 мк. 15 а ОДИНАНАНА 800 В
BZX79B27 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B27 0,0305
RFQ
 ECAD 4271 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79B27TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 18,9 мая @ 50 м. 27 80 ОМ
BZY55C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c3v3 0,0350
RFQ
 ECAD 4481 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55c3v3tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3.3в 85 ОМ
BZT52C27S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27S RRG -
RFQ
 ECAD 4576 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 18,9 27 80 ОМ
ESH3C Taiwan Semiconductor Corporation Esh3c 0,2139
RFQ
 ECAD 5177 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ESH3 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 20 млн 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
GBU1002 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1002 D2G -
RFQ
 ECAD 4197 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU GBU1002 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 10 A 5 мк -4 100 10 а ОДИНАНАНА 100
HER207G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER207G B0G -
RFQ
 ECAD 3038 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER207 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
BZT52B9V1-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B9V1-G RHG 0,0461
RFQ
 ECAD 6229 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52b 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 500 NA @ 6 V 9.1. 15 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть