SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
GBU15L06 Taiwan Semiconductor Corporation GBU15L06 2.7984
RFQ
ECAD 8827 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU GBU15 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 960 мв 7,5 а 5 мк -400 15 а ОДИНАНАНА 800 В
SS16HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS16HR3G -
RFQ
ECAD 6106 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SS16 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 1 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
MUR140S Taiwan Semiconductor Corporation Mur140s 0,1103
RFQ
ECAD 3557 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB MUR140 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 1 a 50 млн 150 мкр 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
FR304GH Taiwan Semiconductor Corporation FR304GH 0,1823
RFQ
ECAD 8528 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-FR304GHTR Ear99 8541.10.0080 3750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
1N4751G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4751G A0G -
RFQ
ECAD 2761 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4751 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк -пр. 22,8 30 40 ОМ
S1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1K R3G -
RFQ
ECAD 5152 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA S1K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SRA1650HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1650HC0G -
RFQ
ECAD 2358 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SRA1650 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
ES1FLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Es1flhrug -
RFQ
ECAD 9524 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1f Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
BZX85C43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C43 A0G -
RFQ
ECAD 3255 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 10 мая 500 NA @ 30 V 43 В. 50 ОМ
HS1JL MTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL Mtg -
RFQ
ECAD 3191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
ES1CL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RQG -
RFQ
ECAD 8463 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1c Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 1V, 1 мгха
MBRF20H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20H150CT 0,7462
RFQ
ECAD 9988 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF20 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 20 часов 970 мВ @ 20 a 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 175 ° C.
RS1BL MQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL MQG -
RFQ
ECAD 4894 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
SR003 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR003 A0G -
RFQ
ECAD 8264 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR003 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 110pf @ 4V, 1 мгновение
BZD27C27PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRFG -
RFQ
ECAD 9029 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
BZD27C10PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10PHR3G 0,1166
RFQ
ECAD 7597 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 7 мк. 10 4 О
SR1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1090 C0G -
RFQ
ECAD 3244 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR1090 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
S1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1J R3G 0,4000
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA S1J Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
MBR20200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200CTH 0,7673
RFQ
ECAD 4500 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR20200 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 1,23 - @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
SR10150H Taiwan Semiconductor Corporation SR10150H 0,7555
RFQ
ECAD 4868 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR10150 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SR10150H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 10 часов 950 мВ @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
SS210LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS210lhrhg -
RFQ
ECAD 3961 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS210 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZD27C220P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220P RHG -
RFQ
ECAD 5220 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 160 220,5. 900 ОМ
ES1HL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL RFG -
RFQ
ECAD 9208 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1h Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 1V, 1 мгест
BZD27C47PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHRTG -
RFQ
ECAD 9142 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
SK55B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK55B R5G -
RFQ
ECAD 9122 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK55 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SS23LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS23LHMQG -
RFQ
ECAD 6408 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS23 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
FR104G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR104G B0G -
RFQ
ECAD 4774 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй FR104 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MBRF2080CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2080CT 0,5661
RFQ
ECAD 3565 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF2080 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 80 20 часов 1 V @ 20 a 100 мк -40, -55 ° C ~ 150 ° С.
1N4004GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GHB0G -
RFQ
ECAD 8791 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4004 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 1 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BYG20G R3G Taiwan Semiconductor Corporation BYG20G R3G 0,7100
RFQ
ECAD 394 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Byg20 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 Е @ 1,5 А 75 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе