SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - обража тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
MBR16100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16100HC0G -
RFQ
ECAD 1059 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 MBR1610 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 16 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
MBR1650HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1650HC0G -
RFQ
ECAD 1334 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 MBR1650 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
BZD27C24P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P MQG -
RFQ
ECAD 2066 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
AZ23C9V1 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C9V1 RFG 0,0786
RFQ
ECAD 9941 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 7 v 9.1. 10 ОМ
1SMA4749 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4749 0,0935
RFQ
ECAD 4745 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4749 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1 мка При 18,2 24 25 ОМ
S1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL RTG -
RFQ
ECAD 7417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SSL34HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SSL34HR7G -
RFQ
ECAD 6140 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SSL34 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 410 мВ @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
BZD27C150PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHG -
RFQ
ECAD 7321 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 110 147 В 300 ОМ
1SMA130Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA130Z R3G -
RFQ
ECAD 9759 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA130 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 98,8 130 700 ОМ
S1GMHRSG Taiwan Semiconductor Corporation S1gmhrsg 0,4400
RFQ
ECAD 50 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. S1G Станода МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 780 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 5pf @ 4V, 1 мгест
S1AL RUG Taiwan Semiconductor Corporation S1Al Ruge -
RFQ
ECAD 7561 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SR505HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR505HA0G -
RFQ
ECAD 1383 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR505 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZD27C24PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PHRQG -
RFQ
ECAD 5931 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
SK83CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK83CHM6G -
RFQ
ECAD 5839 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK83 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
SRAF1040HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1040HC0G -
RFQ
ECAD 1255 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SRAF1040 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 10 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 10 часов -
HS3B R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3B R6 -
RFQ
ECAD 2305 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3BR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
FR301G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR301G B0G -
RFQ
ECAD 4716 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй FR301 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
ZM4750A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4750A 0,0830
RFQ
ECAD 4660 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF ZM4750 1 Вт Пособие СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ZM4750ATR Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка прри 20,6 27 35 ОМ
UDZS7V5B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS7V5B RRG -
RFQ
ECAD 2225 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Udzs7 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 NA @ 4 V 7,5 В. 30 ОМ
S5D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5D R7G -
RFQ
ECAD 4270 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S5d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
MBRF10200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10200CT 1.1300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF1020 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 980 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
TSSD10L150SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD10L150SW 0,8453
RFQ
ECAD 7185 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSSD10 ШOTKIй 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSSD10L150SWTR Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,05 В @ 10 a 20 мк -при 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 540pf @ 4V, 1 мгновение
SK16BH Taiwan Semiconductor Corporation SK16BH 0,1134
RFQ
ECAD 3832 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK16 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SF1006G Taiwan Semiconductor Corporation SF1006G 1.2200
RFQ
ECAD 373 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1006 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 10 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 50pf @ 4V, 1 мгест
PU3JFS Taiwan Semiconductor Corporation PU3JFS 0,1383
RFQ
ECAD 9753 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 PU3J Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Pu3jfstr Ear99 8541.10.0080 28 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 26 млн 2 мка При 600 В -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 31pf @ 4V, 1 мгновение
FR152G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152G B0G -
RFQ
ECAD 8573 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR152 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
SS23L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS23L M2G -
RFQ
ECAD 1684 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS23 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZX85C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C8V2 0,0645
RFQ
ECAD 4573 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX85C8V2TR Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 10 мая 1 мка рри 6,2 8,2 В. 5 ОМ
B0520LW RHG Taiwan Semiconductor Corporation B0520LW RHG 0,0878
RFQ
ECAD 1061 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 B0520 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 385 м. @ 500 мая 250 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 170pf @ 0v, 1 мгест
SR4050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4050PT C0G -
RFQ
ECAD 9403 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 247-3 SR4050 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 40a 700 м. @ 20 a 1 мая @ 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе