SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - обража тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZT55B75 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B75 L1G -
RFQ
 ECAD 6746 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 56 75 170 ОМ
UGS5J Taiwan Semiconductor Corporation UGS5J -
RFQ
 ECAD 1752 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB UGS5 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 5 A 20 млн 20 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
TST20L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20L200CW 2.1000
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST20 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 990mw @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
S1AL RFG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL RFG -
RFQ
 ECAD 3423 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C56PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56PWH 0,1191
RFQ
 ECAD 7975 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка @ 43 56 60 ОМ
BZV55B12 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B12 L0G 0,0357
RFQ
 ECAD 7973 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
HS2BA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2BA M2G -
RFQ
 ECAD 9445 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA HS2B Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1В @ 1,5 а 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 50pf @ 4V, 1 мгест
1SMA4756HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4756HR3G -
RFQ
 ECAD 5993 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4756 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 35,8 47 В 80 ОМ
UF4006 A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4006 A0G -
RFQ
 ECAD 8207 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4006 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
GBU15L05 Taiwan Semiconductor Corporation GBU15L05 2.7984
RFQ
 ECAD 9944 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU GBU15 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 900 мв 7,5 а 5 мк. 15 а ОДИНАНАНА 600
HER206G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER206G B0G -
RFQ
 ECAD 7985 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER206 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
FR302G R0G Taiwan Semiconductor Corporation FR302G R0G -
RFQ
 ECAD 5951 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй FR302 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
BZD17C11P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P MHG -
RFQ
 ECAD 8502 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 4 мк 11 7 О
SRA1690HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1690HC0G -
RFQ
 ECAD 7901 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 SRA1690 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 920 мВ @ 16 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
MBRS4060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS4060CTH 1.0110
RFQ
 ECAD 9526 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS4060 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS4060Cthtr Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 40a 1 V @ 40 A 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 175 ° C.
BZT52B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2 0,0412
RFQ
 ECAD 5192 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B8V2TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 630 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
SFF502G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF502G C0G -
RFQ
 ECAD 5422 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF502 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 980 мв 2,5 а 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 70pf @ 4V, 1 мгха
S10MCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10MCHR7G -
RFQ
 ECAD 8316 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S10M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 10 A 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
SRT115HA1G Taiwan Semiconductor Corporation SRT115HA1G -
RFQ
 ECAD 6817 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SRT115 ШOTKIй TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
1N914B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N914b A0G 0,0266
RFQ
 ECAD 3817 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n914 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 720 мВ @ 5 мая 4 млн 5 мка прри 75 -65 ° С ~ 150 ° С. 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
BZD27C130P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P RTG -
RFQ
 ECAD 9582 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
SFF1002GA C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1002GA C0G -
RFQ
 ECAD 3660 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1002 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD17C27P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P RVG 0,2625
RFQ
 ECAD 3070 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
BZD27C10P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10P RVG -
RFQ
 ECAD 5701 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 7 мк. 10 4 О
TSF20U60C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20U60C 2.5400
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSF20 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 540 мВ @ 10 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1N5391G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5391G A0G -
RFQ
 ECAD 6235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5391 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,1 В @ 1,5 А. 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
S12KC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12KC M6G -
RFQ
 ECAD 3615 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S12K Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 12 A 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
SK24A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK24A R3G -
RFQ
 ECAD 7614 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SK24 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
BZT55B36 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B36 L1G -
RFQ
 ECAD 2740 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 27 36 80 ОМ
1N4760AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4760ahb0g -
RFQ
 ECAD 2765 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4760 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мк 51,7 68 В 150 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть