SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - обража тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
SRF10150 Taiwan Semiconductor Corporation SRF10150 -
RFQ
ECAD 6941 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF10150 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 10 часов 1 V @ 5 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C18P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P RFG -
RFQ
ECAD 9388 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 17,95 В. 15 О
SS215LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS215LHM2G -
RFQ
ECAD 9483 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS215 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZY55B30 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b30 Ryg -
RFQ
ECAD 4732 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 22 30 80 ОМ
RS3G R6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3G R6G -
RFQ
ECAD 6602 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-RS3GR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 150 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
UG58GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG58GHA0G -
RFQ
ECAD 6034 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UG58 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 5 a 20 млн 30 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
KBL403G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL403G T0 -
RFQ
ECAD 8658 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBL KBL403 Станода KBL СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH KBL403GT0 Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 a 10 мк. 4 а ОДИНАНАНА 200
1N4758AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758AHB0G -
RFQ
ECAD 7451 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4758 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мка @ 42,6 56 110 ОМ
SK56C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK56C R6 -
RFQ
ECAD 5289 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK56CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SRS1020 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1020 MNG -
RFQ
ECAD 9467 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS1020 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 20 10 часов 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C.
HER605G Taiwan Semiconductor Corporation HER605G 0,5136
RFQ
ECAD 1162 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй HER605 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 6 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C75PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHRUG -
RFQ
ECAD 6720 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
UGF2008GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2008GH 0,6996
RFQ
ECAD 1658 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка UGF2008 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-UGF2008GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 20 часов 1,7 - @ 10 a 25 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
HER1006GH Taiwan Semiconductor Corporation HER1006GH 0,6087
RFQ
ECAD 5962 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HER1006GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 10 часов 1,7 - @ 5 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRS16100HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS16100HMNG -
RFQ
ECAD 7555 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS16100 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 16 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
MTZJ18SA Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj18sa 0,0305
RFQ
ECAD 9836 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj18 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Mtzj18satr Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 13 v 16,64 В. 45 ОМ
BAT54S RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54S RFG 0,2600
RFQ
ECAD 232 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 30 200 май 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -55 ° C ~ 125 ° C.
1SMB5951HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5951HR5G -
RFQ
ECAD 8384 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5951 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 91,2 120 360 ОМ
RS2KFS Taiwan Semiconductor Corporation RS2KFS 0,4800
RFQ
ECAD 7 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RS2K Станода SOD-128 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 2 a 500 млн 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
MBRF10H100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H100CT -
RFQ
ECAD 4746 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF10 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 950 мВ @ 10 a 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C.
SF805G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF805G C0G -
RFQ
ECAD 2014 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF805 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 8 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 50pf @ 4V, 1 мгест
SF2L8GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L8GHB0G -
RFQ
ECAD 3378 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF2L8 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 35 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
SS14LW Taiwan Semiconductor Corporation SS14LW 0,0623
RFQ
ECAD 1921 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS14LWTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 100 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
S3MB Taiwan Semiconductor Corporation S3MB 0,1105
RFQ
ECAD 7600 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S3M Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
TS8P03GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P03GHD2G -
RFQ
ECAD 8175 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS8P03 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 8 A 10 мк. 8 а ОДИНАНАНА 200
SS26L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS26L RHG -
RFQ
ECAD 5818 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS26 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MBRS1590CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1590CTHMNG -
RFQ
ECAD 5592 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1590 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 15A 920 мв 7,5 а 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMA5955HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5955HR3G -
RFQ
ECAD 9440 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5955 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 136,8 180 900 ОМ
BZT52C51K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C51K 0,0511
RFQ
ECAD 8507 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C51KTR Ear99 8541.10.0050 6000 1 мка @ 39 51 180 ОМ
MUR420S M6 Taiwan Semiconductor Corporation Mur420S M6 -
RFQ
ECAD 6803 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR420SM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 875 MV @ 4 A 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе