SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
AZ23C5V1 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C5V1 0,0786
RFQ
ECAD 1371 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-AZ23C5V1TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 0,8 5,1 В. 60 ОМ
HS1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RQG -
RFQ
ECAD 8971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
BZT55C62 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C62 0,0343
RFQ
ECAD 5816 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-80 ВАРИАНТ 500 м Qmmelf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT55C62TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 47 V 62 150 ОМ
SS1H4LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS1H4LS RVG 0,5200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H SS1H4 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 650 мВ @ 1 a 1 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
1SMA5929H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5929H 0,0995
RFQ
ECAD 6455 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5929 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 500 NA @ 11,4 15 9 О
BZT52C22-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C22-G 0,0445
RFQ
ECAD 8728 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C22-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 15,4 22 55 ОМ
BZT52B3V0 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V0 RHG 0,0412
RFQ
ECAD 5361 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 9 мка @ 1 В 3 В 100 ОМ
MBRF1060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1060CT 1.0500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF106 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 900 мВ @ 10 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
SK26A Taiwan Semiconductor Corporation SK26A 0,0821
RFQ
ECAD 9542 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK26 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SR809H Taiwan Semiconductor Corporation SR809H -
RFQ
ECAD 4064 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ШOTKIй Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR809HTR Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 920 мВ @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
1PGSMA4752HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4752HR3G -
RFQ
ECAD 5731 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4752 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 25,1 33 В 45 ОМ
BZD17C220P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P MHG -
RFQ
ECAD 4677 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 160 220 900 ОМ
SR1504HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1504HB0G -
RFQ
ECAD 7736 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru R-6, osevoй SR1504 ШOTKIй R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 15 A 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 15A -
2A07GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07GHB0G -
RFQ
ECAD 4209 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A07 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
SK320A Taiwan Semiconductor Corporation SK320a 0,4600
RFQ
ECAD 9 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK320 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
HS3M R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3M R6G -
RFQ
ECAD 9754 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3MR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SR310 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR310 B0G -
RFQ
ECAD 4532 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR310 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
KBL604G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL604G T0G -
RFQ
ECAD 8172 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBL Станода KBL СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH KBL604GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 10 мка 400 6 а ОДИНАНАНА 400
TSZU52C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C5V6 0,0669
RFQ
ECAD 4562 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tszu52c5v6trt Ear99 8541.10.0050 20 000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 1 V 5,6 В. 40 ОМ
SR209 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR209 B0G -
RFQ
ECAD 1723 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SR209 ШOTKIй DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
1N4001G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G R1G -
RFQ
ECAD 6783 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4001 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1 V @ 1 A 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
GBPC2506M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2506M T0G -
RFQ
ECAD 5831 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата, GBPC-M GBPC2506 Станода GBPC-M СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 1,1 В @ 12,5 А 5 мк. 25 а ОДИНАНАНА 600
BAV19WS-G Taiwan Semiconductor Corporation BAV19WS-G 0,0334
RFQ
ECAD 4033 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV19 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BAV19WS-GTR Ear99 8541.10.0070 9000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 Е @ 100 мая 50 млн 100 na @ 100 v -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
UGA15120 Taiwan Semiconductor Corporation UGA15120 -
RFQ
ECAD 9933 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-UGA15120 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 2,9 В @ 15 A 65 м 5 мка @ 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 15A -
MBRF1045 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1045 -
RFQ
ECAD 1385 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF104 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBRF1045 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 700 мВ @ 10 a 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
SK54C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK54C R6 -
RFQ
ECAD 5990 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK54CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
1N4750AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4750ahr1g -
RFQ
ECAD 5077 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4750 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка прри 20,6 27 35 ОМ
BZD17C43P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P R3G 0,2625
RFQ
ECAD 8218 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 33 43 В. 45 ОМ
TSZU52C6V2 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C6V2 RGG 0,0669
RFQ
ECAD 5568 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
BZT52C68 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 0,0453
RFQ
ECAD 8701 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C68TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 47,6 68 В 240 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе