SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - обража тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
SR310 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR310 B0G -
RFQ
ECAD 4532 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR310 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1PGSMA4752HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4752HR3G -
RFQ
ECAD 5731 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4752 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 25,1 33 В 45 ОМ
SS15L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS15L R3G -
RFQ
ECAD 6964 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZT52B3V0 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V0 RHG 0,0412
RFQ
ECAD 5361 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 9 мка @ 1 В 3 В 100 ОМ
2A07GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07GHB0G -
RFQ
ECAD 4209 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A07 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
S1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL RHG -
RFQ
ECAD 8062 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SK26A Taiwan Semiconductor Corporation SK26A 0,0821
RFQ
ECAD 9542 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK26 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
KBL604G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL604G T0G -
RFQ
ECAD 8172 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBL Станода KBL СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH KBL604GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 10 мка 400 6 а ОДИНАНАНА 400
HS3M R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3M R6G -
RFQ
ECAD 9754 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3MR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMB5952HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5952HR5G -
RFQ
ECAD 7642 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5952 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 98,8 130 450 ОМ
S3D M6G Taiwan Semiconductor Corporation S3D M6G -
RFQ
ECAD 2105 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S3d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C75P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75P RVG 0,6900
RFQ
ECAD 793 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
SFA1004G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1004G -
RFQ
ECAD 3654 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFA1004G Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 10 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 70pf @ 4V, 1 мгха
S1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1GL RQG -
RFQ
ECAD 2275 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
ES15GLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Es15glwhrvg -
RFQ
ECAD 2813 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W ES15 Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 21pf @ 4V, 1 мгха
S1KFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation S1KFSHMWG 0,4800
RFQ
ECAD 21 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 S1K Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
TST30U45C Taiwan Semiconductor Corporation TST30U45C 1.8492
RFQ
ECAD 2736 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST30 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 540 мВ @ 15 A 500 мкр 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
RB706F-40 Taiwan Semiconductor Corporation RB706F-40 0,0523
RFQ
ECAD 1891 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 ШOTKIй SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RB706F-40TR Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 40 30 май 370 мВ @ 1ma 1 мка рри 10в 125 ° С
UF4007 B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4007 B0G -
RFQ
ECAD 6402 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4007 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SS13L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS13L MHG -
RFQ
ECAD 8991 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS13 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
SSL22H Taiwan Semiconductor Corporation SSL22H 0,2793
RFQ
ECAD 7386 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SSL22 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 410 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
ES1ALHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Es1alhrfg -
RFQ
ECAD 2405 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1a Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C130PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHRTG -
RFQ
ECAD 2421 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
ES2HM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2HM4G -
RFQ
ECAD 9994 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Es2h Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 2 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
BZD17C68P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P MQG -
RFQ
ECAD 4961 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 51в 68 В 80 ОМ
UF1MH Taiwan Semiconductor Corporation UF1MH 0,1044
RFQ
ECAD 7816 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1M Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
1SMA4740HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4740HR3G -
RFQ
ECAD 6798 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4740 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 5 мк. 10 7 О
SF43G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF43G B0G -
RFQ
ECAD 6487 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF43 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1 V @ 4 A 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 100pf @ 4V, 1 мгха
MUR360SBH Taiwan Semiconductor Corporation Mur360sbh 0,5900
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB MUR360 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
M3Z11VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z11VC 0,0294
RFQ
ECAD 7397 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F M3Z11 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-M3Z11VCTR Ear99 8541.10.0050 6000 100 na @ 8 v 11 20 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе