SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - обража тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
SSH210H Taiwan Semiconductor Corporation SSH210H 0,5600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 790mw @ 2 a 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A -
MMSZ5229B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5229B 0,0433
RFQ
ECAD 3769 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5229 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-mmmз5229btr Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 5 мка @ 1 В 4,3 В. 22 ОМ
BZX55C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C7V5 0,0287
RFQ
ECAD 2193 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C7V5TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 5 v 7,5 В. 7 О
1N4007G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007G R1G -
RFQ
ECAD 9255 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4007 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 1 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
S1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM RSG 0,1404
RFQ
ECAD 5562 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. S1G Станода МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 780 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 5pf @ 4V, 1 мгест
HER1608PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER1608PTH 1.4690
RFQ
ECAD 3279 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Her1608pth Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 1000 16A 1,7 - @ 8 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1PGSMB5944H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5944H 0,1798
RFQ
ECAD 9767 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1PGSMB59 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 47,1 62 100 ОМ
BZD27C11PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHMTG -
RFQ
ECAD 4155 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 4 мк 11 7 О
BZV55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B4V3 L0G 0,0357
RFQ
ECAD 4533 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 1 мка @ 1 В 4,3 В. 75 ОМ
2A07G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07G 0,0712
RFQ
ECAD 2363 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A07 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
SFT13GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT13GHA1G -
RFQ
ECAD 1752 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос SFT13 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
1N5401GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401GHB0G -
RFQ
ECAD 8789 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5401 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 3 a 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
SRA1040 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1040 C0G -
RFQ
ECAD 8518 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 SRA1040 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 10 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 10 часов -
BZD27C47PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHM2G -
RFQ
ECAD 2511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
RS1A Taiwan Semiconductor Corporation RS1A 0,0929
RFQ
ECAD 5238 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SFS1002G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1002G MNG -
RFQ
ECAD 6050 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFS1002 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 975 MV @ 5 A 35 м 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 70pf @ 4V, 1 мгха
MBRF2060 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060 -
RFQ
ECAD 9240 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBRF2060 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 820 м. @ 20 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
2M190ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M190ZHB0G -
RFQ
ECAD 8303 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M190 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 500 NA @ 144,8 190 825 ОМ
BZD27C130PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHRTG -
RFQ
ECAD 2421 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
SS210L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L RVG 0,4100
RFQ
ECAD 11 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS210 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZV55C51 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C51 L1G 0,0499
RFQ
ECAD 9459 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 38 51 125 ОМ
ES1CLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Es1clhmhg -
RFQ
ECAD 7164 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1c Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MBR20L100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CTHC0G -
RFQ
ECAD 3873 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR20 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 20 часов 850 м. @ 20 a 20 мк -пр. 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
S5MB Taiwan Semiconductor Corporation S5MB 0,1328
RFQ
ECAD 2068 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S5M Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 5 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 40pf @ 4V, 1 мгест
SS36L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L RFG -
RFQ
ECAD 1752 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS36 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
BZX585B15 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B15 RKG -
RFQ
ECAD 8945 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 45 NA @ 10,5 15 30 ОМ
S1DLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLHRQG -
RFQ
ECAD 4177 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
TS10P06GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P06GHD2G -
RFQ
ECAD 7909 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS10P06 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 мк. 10 а ОДИНАНАНА 800 В
1PGSMC5354 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5354 M6G -
RFQ
ECAD 5172 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5354M6GTR Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 12,9 17 3 О
BA158G A0G Taiwan Semiconductor Corporation BA158G A0G -
RFQ
ECAD 3923 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BA158 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,2 - @ 1 a 150 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе