SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
2M130ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M130ZH 0,1667
RFQ
ECAD 6433 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M130 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 98,8 130 400 ОМ
SK54C Taiwan Semiconductor Corporation SK54C 0,1897
RFQ
ECAD 2131 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SK54 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
1PGSMA4755HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4755HR3G -
RFQ
ECAD 4618 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4755 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 32,7 43 В. 70 ОМ
1SMA5951 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5951 0,0935
RFQ
ECAD 8707 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5951 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 500 NA @ 91,2 120 360 ОМ
1N4763A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4763a 0,1118
RFQ
ECAD 8683 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4763 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 91 250 ОМ
HERF1607G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1607G -
RFQ
ECAD 4544 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка HERF1607 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 800 В 16A 1,7 - @ 8 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZX55C3V0 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V0 A0G -
RFQ
ECAD 3330 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 4 мка @ 1 В 3 В 85 ОМ
BZX55C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C12 0,0287
RFQ
ECAD 2340 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C12TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
SF34GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF34GHB0G -
RFQ
ECAD 4580 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF34 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
HS1JL RTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL RTG -
RFQ
ECAD 4950 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
RS5M-T M6G Taiwan Semiconductor Corporation RS5M-T M6G 0,1407
RFQ
ECAD 8918 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC RS5M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS5M-TM6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1.3 V @ 5 a 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 31pf @ 4V, 1 мгновение
SR109 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR109 R1G -
RFQ
ECAD 2249 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR109 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SSL13HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SSL13HR3G -
RFQ
ECAD 8112 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SSL13 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 390 мВ @ 1 a 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
SR506HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR506HB0G -
RFQ
ECAD 1159 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR506 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZD17C11P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RQG -
RFQ
ECAD 8889 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 4 мк 11 7 О
UG1005G Taiwan Semiconductor Corporation UG1005G 0,5043
RFQ
ECAD 7462 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 UG1005 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 10 часов 1,25 - @ 5 a 22 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 175 ° C.
UDZS7V5B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS7V5B 0,0354
RFQ
ECAD 1588 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Udzs7v5 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-udzs7v5btr Ear99 8541.10.0050 10000 900 NA @ 4 V 7,5 В. 30 ОМ
HS3M V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3M V7G -
RFQ
ECAD 8236 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SF2006PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF2006PTH 1.4290
RFQ
ECAD 8317 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF2006 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,5 - @ 20 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 175pf @ 4V, 1 мгха
S15GLWH Taiwan Semiconductor Corporation S15GLWH 0,0666
RFQ
ECAD 3121 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S15GLWHTR Ear99 8541.10.0080 20 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,1 В @ 1,5 А. 1 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1,5а 10pf @ 4V, 1 мгест
MMSZ5226B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5226B 0,0433
RFQ
ECAD 8930 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5226 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MMMз5226btr Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 25 мка @ 1 В 3.3в 28 ОМ
SF14G Taiwan Semiconductor Corporation SF14G 0,1043
RFQ
ECAD 5903 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF14 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
TSPB15U100S Taiwan Semiconductor Corporation TSPB15U100S 1.4100
RFQ
ECAD 22 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TSPB15 ШOTKIй SMPC4.0 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 700 м. @ 15 A 250 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
SF43G Taiwan Semiconductor Corporation SF43G -
RFQ
ECAD 5568 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SF43GTR Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1 V @ 4 A 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 100pf @ 4V, 1 мгха
1N4744A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4744a 0,1118
RFQ
ECAD 2151 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4744 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 15 14 ОМ
S1MLW Taiwan Semiconductor Corporation S1MLW 0,3500
RFQ
ECAD 12 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W S1ML Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
1N4148W-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation 1n4148w-g rhg 0,1900
RFQ
ECAD 161 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 1N4148 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 В @ 150 4 млн 2,5 мка при 75 -65 ° С ~ 150 ° С. 150 май 2pf @ 0v, 1 мгест
BZX79B24 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B24 A0G -
RFQ
ECAD 6300 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 16,8 мая @ 50 м. 24 70 ОМ
RS1JL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL R3G 0,4600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 - @ 800 мая 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C36PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PWH 0,1787
RFQ
ECAD 7046 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 MMA 1 мка 4 27 36 40 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе