SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
MBRS20200CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20200CT-Y MNG -
RFQ
 ECAD 7215 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS20200 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 990mw @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
2M75Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M75Z B0G -
RFQ
 ECAD 7002 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Активна ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M75 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 500 NA @ 56 V 75 90 ОМ
1SMA4761 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4761 R3G -
RFQ
 ECAD 2113 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4761 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 56 75 175
1N5819HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5819HA0G -
RFQ
 ECAD 6906 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Активна Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5819 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 1 a 1 май @ 40 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 55pf @ 4V, 1 мгха
MBD4448HAQW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HAQW REGE -
RFQ
 ECAD 7836 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Станода SOT-363 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBD4448HAQWREGTR Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 пар 57 В 250 май 1,25 В @ 150 4 млн 100 Na @ 70 -55 ° C ~ 150 ° С.
SF64G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF64G B0G -
RFQ
 ECAD 1853 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Активна Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF64 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 6 A 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 100pf @ 4V, 1 мгха
PU3JA Taiwan Semiconductor Corporation PU3JA 0,1323
RFQ
 ECAD 2516 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-214AC, SMA PU3J Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Pu3jatr Ear99 8541.10.0080 15 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 25 млн 2 мка При 600 В -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 31pf @ 4V, 1 мгновение
SS310LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS310lhrvg -
RFQ
 ECAD 7941 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-219AB SS310 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S5KBH Taiwan Semiconductor Corporation S5KBH 0,1415
RFQ
 ECAD 7117 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-214AA, SMB S5K Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 5 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 40pf @ 4V, 1 мгест
BZV55C6V2 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C6V2 L1G -
RFQ
 ECAD 2409 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
HS1DLW Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW 0,0916
RFQ
 ECAD 4491 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1DLWTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 16pf @ 4V, 1 мгест
S10JC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S10JC R7 -
RFQ
 ECAD 8475 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S10JCR7TR Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 10 A 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
RSFMLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlhrug -
RFQ
 ECAD 3606 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-219AB RSFML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 @ 500 мая 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SS22L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RVG 0,6000
RFQ
 ECAD 3129 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-219AB SS22 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
UGS20JH Taiwan Semiconductor Corporation UGS20JH 2.6400
RFQ
 ECAD 350 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода TO-263AB (D²PAK) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-UGS20JHTR Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 20 a 50 млн 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 94,5pf @ 4V, 1 мгновение
BZT52C7V5-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C7V5-G 0,0445
RFQ
 ECAD 2081 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C7V5-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 1 мка При 5в 7,5 В. 15 О
SR2030PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2030PT C0G -
RFQ
 ECAD 5583 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Активна Чereз dыru 247-3 SR2030 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 30 20 часов 550 м. @ 10 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C.
TS25P04G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P04G 2.6300
RFQ
 ECAD 8108 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p Станода TS-6p - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ts25p04g Ear99 8541.10.0080 1200 1.1 V @ 25 A 10 мка 400 25 а ОДИНАНАНА 400
TS10P05GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P05GHD2G -
RFQ
 ECAD 1182 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS10P05 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 мк. 10 а ОДИНАНАНА 600
SF43GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF43GHB0G -
RFQ
 ECAD 5780 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Активна Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF43 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1 V @ 4 A 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 100pf @ 4V, 1 мгха
S15GLWH Taiwan Semiconductor Corporation S15GLWH 0,0666
RFQ
 ECAD 3121 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S15GLWHTR Ear99 8541.10.0080 20 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,1 В @ 1,5 А. 1 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1,5а 10pf @ 4V, 1 мгест
ESDLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW RVG 0,1337
RFQ
 ECAD 8259 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SOD-123W Esdlw Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 800 мая 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 21pf @ 4V, 1 мгха
M3Z3V9C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z3V9C 0,0294
RFQ
 ECAD 6597 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F M3Z3 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-M3Z3V9CTR Ear99 8541.10.0050 6000 5 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
SF14GH Taiwan Semiconductor Corporation SF14GH 0,1003
RFQ
 ECAD 9383 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF14 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
1N4763A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4763a 0,1118
RFQ
 ECAD 8683 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4763 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 91 250 ОМ
1PGSMB5933 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5933 R5G 0,7000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5933 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4,7 22 17,5 О
TS10K60HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60HD3G -
RFQ
 ECAD 9760 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, GBL TS10K60 Станода TS4K СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 10 A 10 мк. 10 а ОДИНАНАНА 600
BAT54BR-G Taiwan Semiconductor Corporation BAT54BR-G 0,1224
RFQ
 ECAD 2964 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BAT54 ШOTKIй SOT-363 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bat54br-gtr Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 пар 30 200 май 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -65 ° С ~ 150 ° С.
MBRS20H200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H200CT 0,7722
RFQ
 ECAD 9101 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS20 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS20H200CTTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 970 мВ @ 20 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C.
KBU801G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU801G T0G -
RFQ
 ECAD 3398 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBU Станода Кбю СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH KBU801GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 мка прри 50 8 а ОДИНАНАНА 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть